- •ОптИческие устройства в радиотехнике учебное пособие
- •Предисловие
- •Введение
- •1. Когерентная оптика и оптическая
- •1.1. Свойства света и его параметры
- •1.2. Оптоэлектронные приборы и устройства
- •1.3. Монохроматичность, когерентность и поляризация света
- •Вопросы для самопроверки
- •2. Геометрическая оптика
- •2.1. Распространение света
- •2.2. Преломление и отражение света на границе двух однородных сред
- •2.3. Особенности распространения оптического излучения в световодах
- •2.4. Взаимодействие света с веществом
- •2.5. Классификация оптоэлектронных приборов и устройств
- •2.6. Пассивные оптические элементы
- •Вопросы для самопроверки
- •3. Дисперсия, дифракция и интерференция света
- •3.1. Дисперсия света
- •3.2. Дифракция света
- •3.3. Интерференция света и интерферометры
- •3.4. Двухлучевые интерферометры
- •3.5. Волоконно-оптические и интегрально-оптические интерферометры
- •3.6. Планарные диспергирующие элементы интегральной оптики
- •3.7. Многоканальные волоконно-оптические линии связи
- •Вопросы для самопроверки
- •4. Электрооптические, магнитооптические и акустооптические устройства
- •4.1. Электрооптические эффекты
- •4.2. Электрооптические модуляторы света
- •4.3. Модуляторы на жидких кристаллах
- •4.4. Электрооптический эффект в цтсл-керамике
- •4.5. Магнитооптические эффекты
- •4.6. Акустооптическая модуляция
- •Вопросы для самопроверки
- •5. Оптическая обработка информации
- •5.1. Описание оптического сигнала
- •5.2. Методы Фурье-анализа
- •5.3. Аналоговые оптические процессоры
- •5.4. Оптоэлектронные ацп
- •Вопросы для самопроверки
- •6. Радиооптические системы
- •6.1. Классификация радиооптических систем
- •6.2. Структурные схемы основных радиооптических систем
- •6.3. Источники излучения
- •6.4. Приемный оптический модуль
- •Вопросы для самопроверки
- •7. Лазерные локационные системы
- •7.1. Схема лазерной локационной системы
- •7.2. Многофункциональная система лазерной локации.
- •7.3. Лазерные системы управления оружием
- •7.4. Лазерные системы связи и стыковки космических аппаратов
- •7.5. Расчеты параметров оптической связи
- •Вопросы для самопроверки
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Глоссарий
- •Предметный указатель
- •Содержание
4.2. Электрооптические модуляторы света
При продольном линейном эффекте Поккельса используется кристалл типа XH2PO4 , а также кубические кристаллы упомянутые в разделе 4.1. Структура электрооптического модулятора представлена на рис. 4.1. Там же описана его работа.
При скрещенных поляризаторах на входе и выходе модулятора, сигнал на выходе фотоприемника изменяется по закону:
(4.22)
где , - разность фаз φx и φy поляризационных компонент по x и y.
В этом случае модулятор работает на нелинейном участке преобразования света, т.е. интенсивность на выходе фотоприемника увеличивается при увеличении положительного напряжения и при увеличении отрицательного напряжения.
При параллельных поляризационных осях поляризатора и анализатора сигнал на выходе фотоприемника изменяется по закону:
(4.23)
В этом случае модулятор работает также на нелинейном участке преобразования света, т.е. интенсивность на выходе фотоприемника увеличивается как при увеличении положительного напряжения, так и при увеличении отрицательного напряжения.
Для работы на линейном участке оси поляризаторов должны быть направлены под углом 45º. В этом случае интенсивность на выходе фотоприемника увеличивается при увеличении положительного напряжения, и уменьшается при увеличении отрицательного напряжения.
Увеличение толщины электрооптического кристалла не приводит к увеличению эффективности модуляции, так как L=d и при этом уменьшается напряженность электрического поля в кристалле. Для увеличения глубины модуляции при равных напряжениях делают наборный модулятор с разворотом фаз на 90°, рис. 4.3 . При этом набег разности фаз увеличивается пропорционально числу пластин: Δφn= n∙Δφ1 . Недостатком такого увеличения эффекта модуляции является одновременное увеличение ёмкости модулятора, что ведет к снижению предельной частоты модуляции.
Устройство модулятора с использованием поперечного линейного электрооптического эффекта показано на рис.4.2.
Используют, как правило, кристаллы КДП (KH2PO4 - фосфид калия) и ДКДП (KDHPO4 – дейтерированный фосфид калия), а также BSO (Bi12SiO20 – селенид висмута) и BGO (Bi12GeO20 – германат висмута), BSO (Bi12SiO20). Естественное ДЛП у КДП и ДКДП очень большое. Для кристалла L = 1 см: .
Рис. 4.2. Соединение пластин для увеличения глубины модуляции
Для компенсации температурной нестабильности ДЛП применяют последовательном соединении кристаллов с разной направленностью естественного ДЛП.
Поперечный ОЭ эффект применяют в модуляторах на кубических кристаллах BGO, BSO.
Поперечный ОЭ эффект используется и в интегрально-оптических модуляторах, где ширина волновода 5…10 мкм, что увеличивает напряженность электрического поля и приводит к высокой глубине модуляции даже при малых напряжениях (5..10 В) .
Электрооптические модуляторы ВЧ и СВЧ. В электрооптических модуляторах высоких частот (ВЧ - модуляторах) кристалл с поляризаторами вводят в LC-контур как элемент емкости. Такой контур может находиться в ВЧ-генераторе или в резонансном усилителе.
Модулирующие мощности для продольного и поперечного ЭО эффектов одинаковые. При поперечном ЭО эффекте выигрыш в L/2d раз по сравнению с продольным приводит к увеличению емкости в (L/2d)2 раз.
Поперечный ЭО эффект предпочтительнее в области ВЧ до 100 Мгц. Продольный ЭО эффект выгоднее на СВЧ до 200 МГц и там, где легче создать высокое напряжение.
В электрооптических модуляторах на сверхвысоких частотах (СВЧ) кристалл вводят непосредственно в волновод и туда же направляют луч света через кварцевые окна малого размер. В этом случае необходимо принять меры по предотвращению вытекания энергии из волновода и учитывать влияние емкости и индуктивности кристалла.