- •1.1. Загальні характеристики хвилевідних трактів ткс
- •1.1.1. Призначення і склад типового хвилевідного тракту телекомунікаційних
- •1.1.2. Загальні принципи конструювання пристроїв і трактів нвч
- •1.1.3. Вибір типу лінії передачі і її розмірів
- •1.1.4. Особливості експлуатації хвилевідних трактів
- •Висновки
- •Запитання та завдання (див. Також мод.1)
- •1.2. Багатополюсники нвч і методи їхнього опису
- •1.2.1. Хвильова матриця розсіювання
- •1.2.2. Хвильова матриця передачі чотириполюсника
- •1.2.3. Зв’язок елементів матриць передачі та розсіювання
- •1.2.4. Хвильові матриці простих чотириполюсників та восьмиполюсників
- •Висновок
- •Запитання та завдання
- •1.3. Чотириполюсники нвч
- •1.3.2. Хвилевідні зчленування
- •1.3.2.1. Контактні зчленування
- •1.3.2.2. Безконтактні зчленування
- •1.3.2.3. Гнучкі зчленування
- •1.3.2.4. Обертові зчленування
- •1.3.4. Хвилевідні поглинаючі навантаження
- •1.3.5. Хвилевідні атенюатори
- •1.3.5.1. Поглинаючі змінні механічно керовані атенюатори
- •1.3.5.2. Фіксовані атенюатори на смужкових лініях
- •1.3.5.3. Граничні атенюатори
- •1.3.6. Фазообертачі
- •1.3.7. Перетворювачі поляризації (поляризатори)
- •1.3.8. Хвилевідні фільтри типів хвиль
1.3.5.2. Фіксовані атенюатори на смужкових лініях
У трактах ТКС на смужкових та мікросмужкових лініях зазвичай застосовують дискретні ступінчасті атенюатори на зосереджених резисторах. Кожна ступінь
а
тенюатора,
як правило, має вигляд або Т- (рис.1.29) або
П-подібніх (рис.1.30) з'єднань активних
опорів, до входу і виходу якого підключені
смужкові лінії, що
Рис. 1.29.
Рис. 1.30.
- для Т-подібної схеми R1=ZB/A, R2=ZB/B;
- для П-подібної схеми R1=ZBA, R2=ZBB,
де А=(К+1)/(К-1); В=(К2 -1)/(2К); К2 =10L/10.
Зосереджені резистори застосовують на частотах аж до 12....18 ГГц, проте на частотах вище 1....2 ГГц використовують спеціальні конструкції резисторів, які називають ЧІП-резисторами. Їх застосовують в мікросмужкових лініях у складі гібридних інтегральних схем. Такий резистор є вельми рисою діелектричною пластиною, на яку нанесені резистивний шар (поглинаюча плівка) і контактні ділянки (рис.1.31). Рис. 1.31
Наприклад, один з типових розмірів пластини мм, при цьому розмір ділянки з резистивним шаром мм, а контактних ділянок - мм. Настільки рисі розміри і дозволяють розглядати такі елементи, як зосереджені резистори на частотах до12…18 ГГц.
На рис.1.32 показана мікросмужкова конструкція Т-ланки з використанням ЧІП- резисторів.
В
Рис. 1.32
1.3.5.3. Граничні атенюатори
У
а)
a)
б)
(1.32)
д е
Рис. 1.33
в)
О
в)
L = 10 lg (E(0)/E(l))2 = 8,68al,
і практично не залежить від частоти. Останнє пояснюється тим, що для l lкр (а саме такі довжини хвиль є робочими для позамежного атенюатора) a » 2p/lкр » const. Ця особливість атенюатора істотно полегшує його градуювання. У разі використання хвилі Н11 чи Е01 a відповідно дорівнює u11/R чи a = u01/R. Ослаблення поля в атенюаторі відбувається через відбиття частини потужності назад до генератора, тому для підтримки в лінії режиму, близького до режиму біжучої хвилі, в атенюатор вводять узгоджувальне
навантаження з поглинаючого матеріалу. Тому позамежному атенюатору властиве зазвичай значне початкове ослаблення.
Н айчастіше граничні атенюатори використовуються для відгалуження частини потужності з основного тракту (рис.1.34).
Рис. 1.34