- •Выбор места контроля загрязнения и поиск его источника с целью первичной оценки и отбора проб.
- •Пробоподготовка в анализе объектов окружающей среды
- •20 См) нанесены риски. Проба отбирается вращением пробоотборника за рукоятку против часовой стрелки с
- •Отбор проб донных отложений
- •Отбор проб растительности.
- •6. Отбор проб животного происхождения
- •Стабилизация, хранение, и транспортировка проб для анализа.
- •Особенности хранения биологических проб.
- •Отбор проб объектов загрязненной среды. Отбор проб воды.
- •Пробы из рек и водных потоков.
- •Пробы из природных и искусственных озер (прудов).
- •Пробы влажных осадков (дождя и снега).
- •Пробы грунтовых вод.
- •14. Пробы воды из водопроводных сетей.
- •Отбор проб воздуха. Отбор проб газа, способы и устройства для хранения газов.
- •4) Экстракция
- •Отбор проб в жидкие среды.
- •Отбор проб на твердые сорбенты
- •Криогенное концентрирование.
- •Хемосорбция.
- •24. Отбор проб в контейнеры.
- •25. Концентрирование на фильтрах.
- •26. Метод пробоподготовки сухое и мокрое озоление. Преимущества и недостатки.
- •Физико-химические методы в контроле загрязнения окружающей среды. Основные приборы и устройства для проведения анализов.
- •Экологическое нормирование. Критерии оценки качества окружающей природной среды. Нормы оценки загрязнения атмосферного воздуха, поверхностных вод и почв.
- •31.Электрохимические методы анализа
- •32. Вольтамперометрия.
- •Потенциометрические методы анализа.
- •Кислотно-основное титрование.
- •Комплексонометрическое титрование.
- •Титрование по методу осаждения.
- •Окислительно-восстановительное титрование .
- •Газовый анализ. Виды газового анализа: механические, акустические, тепловые, магнитные, оптические, ионизационные, масс-спектрометрические, электрохимические, полупроводниковые.
- •Микроскопия. Методы микроскопии.
- •Оптическая микроскопия.
- •Электронная микроскопия.
- •Рентгеновская микроскопия
- •Трансмиссионная микроскопия.
- •Растровая (сканирующая) микроскопия.
- •Сканирующая микроскопия.
- •Физические методы в мониторинге (масспектрометрия, рентгеноспектральный анализ).
- •Использование методов хроматографии в экологическом мониторинге. Способы расчета концентрации загрязняющих веществ.
- •Относится к оптическим методам анализа воды
- •Глобальные и региональные прогнозы состояния природной среды. Прогноз загрязнения природных вод, почв. Прогноз качества водных ресурсов.
- •Мониторинг за состоянием окружающей среды в местах хранения (накопления) отходов.
- •Глобальные и региональные прогнозы состояния природной среды. Прогноз загрязнения атмосферы.
Растровая (сканирующая) микроскопия.
В растровых электронных микроскопах (РЭМ; рис. 2) электронный луч, сжатый магн. линзами в тонкий (1-10 нм) зонд, сканирует пов-сть образца, формируя на ней растр из неск. тыс. параллельных линий. Возникающее при электронной бомбардировке пов-сти вторичные излучения (вторичная эмиссия электронов, оже-электронная эмиссия и др.) регистрируются разл. детекторами и преобразуются в видеосигналы, модулирующие электронный луч в ЭЛТ. Развертки лучей в колонне РЭМ и в ЭЛТ синхронны, поэтому на экране ЭЛТ появляется изображение, представляющее собой картину распределения интенсивности одного из вторичных излучений по сканируемой площади объекта. Увеличение РЭМ определяется как М = L/l, где L и l - длины линий сканирования на экране ЭЛТ и на пов-сти образца.
ыбор регистрируемого вторичного излучения обусловлен задачей исследования. Основной режим работы РЭМ - регистрация вторичных электронов (ВЭ). Поскольку интенсивность эмиссии ВЭ сильно зависит от угла падения электронного луча на пов-сть, получаемое изображение весьма близко к обычному макроскопич. изображению рельефа объекта, освещаемого со всех сторон рассеянным светом; иначе говоря, формируется топографич. контраст. Эмиссия ВЭ отличается наиб. интенсивностью по сравнению с др. вторичными излучениями. Кроме того, в этом режиме достигается макс. разрешение.
При исследовании неоднородных по составу пов-стей на топографич. изображение ВЭ накладывается дополнит. распределение яркостей, зависящее от ср. атомного номера Z в-ва образца на каждом микроучастке (т. наз. композиционный, или Z-контраст), к-рый проявляется сильнее, если регистрировать не вторичные, а упругорассеянные электроны. Этот режим применяют при исследовании шлифов металлич. сплавов минералов, композиционных материалов и др. объектов, когда топографич. контраст отсутствует и нужно установить композиционную неоднородность пов-сти.
Тонкопленочные образцы (до 1 мкм) просвечиваются электронным лучом насквозь и прошедшие электроны регистрируются детектором, расположенным под объектом. Изображения, получаемые в этом режиме, иногда более информативны, чем обычные ТЭМ-изображения, т.к. свободны от хроматич. аберрации.
В техн. исследованиях используется также регистрация поглощенных электронов в сочетании с приложением рабочих напряжений к изучаемому транзистору или интегральной схеме. Это позволяет получать изображение, отвечающее распределению электрич. потенциалов, и т. обр. выявлять микродефекты в элементах схемы. При этом можно прерывать первичный электронный луч с высокой частотой и визуализировать прохождение по схеме высокочастотных сигналов.
С помощью соответствующих детекторных систем и спектрометров в РЭМ можно регистрировать электромагн. излучения: катодолюминесценцию, тормозное и характеристич. рентгеновские излучения, а также оже-электроны. Получаемые при этом изображения и спектры дают количеств, информацию о локальном элементном составе поверхностных слоев образца и широко применяются в материаловедении (см. Электронно-зондовые методы).
Для изучения структуры пов-сти посредством РЭМ к образцу предъявляется ряд требований. Прежде всего, его пов-сть должна быть электропроводящей, чтобы исключить помехи за счет накопления поверхностного заряда при сканировании. Кроме того, нужно всемерно повышать отношение сигнал/шум, к-рое наряду с параметрами оптич. системы определяет разрешение. Поэтому перед исследованием на диэлектрич. пов-сти путем вакуумного испарения или ионного распыления наносят тонкую (15-20 нм) однородную пленку металла с высоким коэф. вторичной электронной эмиссии (Au, Au-Pd, Pt-Pd). Биол. объекты, содержащие, как правило, большое кол-во воды, перед нанесением покрытия необходимо зафиксировать спец. хим. обработкой и высушить, сохранив естеств. микрорельеф пов-сти (сушка в критич. точке с использованием сжиженных СО2 и N2O, хладонов или вакуумнокриогенными методами).
Разрешающая способность РЭМ определяется многими факторами, зависящими как от конструкции прибора, так и от природы исследуемого объекта. Если образец электро- и теплопроводен, однороден по составу и не обладает приповерхностной пористостью, в РЭМ с вольфрамовыми электродами достигается разрешение 5-7 нм, в РЭМ с электронными пушками на полевой эмиссии - 1,0-1,5 нм.