- •1. Цель и задачи индивидуального задания
- •2. Основные сведения о физических явлениях и процессах в полупроводниковых структурах
- •2.1. Вводные замечания
- •2.2. Основные понятия и уравнения твердотельной электроники
- •2.3. Электронно-дырочный переход
- •2.4. Структура металл-полупроводник
- •2.5. Структура металл-диэлектрик-полупроводник
- •3. Состав индивидуального задания
- •4. Указания по составлению пояснительной записки
- •4.1. Введение
- •4.2. Основная часть
- •4.3. Заключение
- •4.4. Библиографический список и требования к нему
- •I. Варианты индивидуальных заданий
- •1.1. Электронно-дырочный переход
- •1.2. Электронно-дырочный переход
- •1.3. Электронно-дырочный переход
- •1.4. Электронно-дырочный переход
- •1.5. Контакт металл-полупроводник
1.3. Электронно-дырочный переход
Определить во сколько раз увеличивается обратный ток насыщения p-n -перехода, если температура увеличивается:
от T1 ' до Т2' для германиевого диода;
от T1" до Т2 " для кремниевого диода.
Опишите физические процессы, происходящие в р-n - переходах:
при лавинном пробое;
при туннельном пробое.
P-n - переход изготовлен из легированного германия с концентрацией акцепторной и донорной примесей соответственно Nai и Ndi. Определите толщину обедненного слоя, если при обратном смещении величина максимального электрического поля в переходе равна ξmi.
Рассчитать и построить энергетическую диаграмму p-n - перехода в равновесном состоянии, а также при напряжении, соответствующем величине ξmi.
Численные значения исходных данных, необходимых для выполнения задания по вариантам 3.1-3.24, представлены в табл. 3.
Таблица 3
Варианты индивидуальных заданий
№ варианта |
T1 ' - Т2' , °C |
T1" - Т2 ", °C |
Nai, м-3 |
Ndi, м-3 |
ξmi, В/м |
3.1 |
0-20 |
0-35 |
1·1017 |
2·1015 |
1·106 |
3.2 |
20-40 |
35-70 |
5·1017 |
4·1015 |
2·106 |
3.3 |
40-60 |
70-105 |
1·1018 |
6·1015 |
4·106 |
3.4 |
60-80 |
105-140 |
5·1018 |
8·1016 |
8·106 |
3.5 |
80-100 |
140-175 |
1·1019 |
1·1017 |
1,1·106 |
3.6 |
5-25 |
5-40 |
5·1019 |
5·1017 |
1,2·106 |
3.7 |
25-45 |
40-75 |
1·1020 |
2·1015 |
2,3·106 |
3.8 |
45-65 |
75-110 |
2,5·1017 |
1·1015 |
4,1·106 |
3.9 |
65-85 |
110-145 |
2,5·1018 |
8·1014 |
8,3·106 |
3.10 |
85-105 |
145-180 |
2,5·1019 |
6·1014 |
1,3·106 |
3.11 |
10-30 |
10-45 |
7,5·1017 |
4·1014 |
1·107 |
3.12 |
30-50 |
45-80 |
7,5·1018 |
2·1014 |
2,3·107 |
3.13 |
50-70 |
80-115 |
3,3·1017 |
2,1·1015 |
1,4·107 |
3.14 |
70-90 |
115-150 |
2,2·1017 |
4,6·1015 |
2,8·107 |
3.15 |
90-110 |
150-185 |
4,4·1018 |
6·1015 |
1,3·107 |
3.16 |
15-35 |
15-50 |
5,5·1018 |
2,8·1016 |
1·107 |
3.17 |
35-55 |
50-85 |
5·1019 |
1,3·1017 |
2,3·107 |
3.18 |
55-75 |
85-120 |
5,5·1019 |
5,3·1017 |
1,4·107 |
3.19 |
75-95 |
120-155 |
1·1020 |
2,5·1015 |
3,8·105 |
3.20 |
95-115 |
155-190 |
3,5·1017 |
1,6·1015 |
4,3·105 |
3.21 |
8-28 |
20-55 |
4,5·1018 |
3,8·1014 |
2,1·105 |
3.22 |
28-48 |
55-90 |
4,5·1019 |
2,6·1014 |
6,3·105 |
3.23 |
48-68 |
90-125 |
2,5·1017 |
5,4·1014 |
2,4·105 |
3.24 |
68-88 |
125-160 |
2,5·1018 |
1,2·1014 |
3,8·105 |
Задание к вопросу о методе формирования полупроводниковой структуры
3.1. Методы герметизации интегральных микросхем в корпусах
различного типа.
Бескорпусная герметизация интегральных микросхем.
Оптическая литография.
Электронно-лучевая литография.
Рентгеновская литография.