4.3. Заключение

Заключение является неотъемлемой структурной частью пояснительной записки. Оно должно содержать краткие выводы по результатам выполнения ИЗ и предложения по совершенствованию методики расчета электрофизических характеристик полупроводниковых структур.

4.4. Библиографический список и требования к нему

Оформление списка использованных источников должно соответствовать требованиям действующих стандартов.

В списке должны быть указаны лишь источники, которые действительно были использованы в процессе выполнения ИЗ и на которые в тексте пояснительной записки имеются ссылки.

Примером оформления может служить список использованных источников, приведенный в данных методических указаниях.

Список литературы

1. 1. Ефимов, И. Е. Физические и технологические основы, надежность: учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов / И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь, Ю. И. Горбунов. 2–е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1986. 464 с.

2. 2. Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов / И. П. Степаненко. М.: Сов. радио, 1980. 424c.

3. 3. Новиков, В. В. Теоретические основы микроэлектроники / В. В. Новиков. М.: Высшая школа, 1972. 352c.

4. 4. Епифанов, Г.И. Твердотельная электроника: учебник для студентов вузов / Г. И. Епифанов, Ю. А. Мома. М.: Высшая школа, 1986. 304с.

5. 5. Епифанов Г.И. Физика твердого тела: учеб. пособие для втузов / Г. И. Епифанов. 2–е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1977. 288с.

6. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн.: пер. с англ. / С. Зи. 2–е изд., перераб. и доп. М.: Мир, 1984. Кн.1 456с., Кн.2 456с.

7. Сугано, Т. Введение в микроэлектронику : пер. с япон. / Т. Сугано, Т. Икома, Е. Такэиси. М.: Мир, 1988. 320 с.

8. Росадо, Л. Физическая электроника и микроэлектроника / Л. Росадо; пер. с исп. С.И. Баскакова; под ред. В.А. Терехова. М.: Высшая школа, 1991. 351с.

9. Тилл, У. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление: пер. с англ. / У. Тилл, Дж. Лаксон. М.: Мир, 1985. 501 с.

Приложение 1

I. Варианты индивидуальных заданий

1.1. Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный переход сформирован в кремнии таким образом, что удельные сопротивления дырочной и электронной областей составляют величины ρ_рi и ρ_ni соответственно.

Определить:

- величину контактной разности потенциалов при комнатной температуре;

- рассчитать и построить энергетическую диаграмму р-п - перехода в равновесном состоянии, а также при заданном значении величины прямого напряжения u_i , В;

- рассчитать и построить теоретическую вольт-амперную характеристику (рассматривается движение всех носителей заряда через р-п -переход);

- вычислить величину дифференциального сопротивления р-n - перехода при u_i, В; T_i, К.

Объяснить:

• работу p-n - перехода, используемого в выпрямителе;

• причины расхождения между теоретической и реальной вольт-амперными характеристиками р-п - перехода;

• практическое значение и применение активной компоненты полного сопротивления р-п - перехода.

Численные значения исходных данных, необходимых для выполнения задания по вариантам 1.1-1.24, представлены в табл. 1.

Таблица 1

Варианты индивидуальных заданий

№ варианта	ρрi Ом·см	ρni, Ом·см	ui В	Тi K
1.1	0,01	44,0	0,1	200
1.2	0,012	44,1	0,2	210
1.3	0,013	44,5	0,3	220
1.4	0,015	44,8	0,4	230
1.5	0,18	45,0	0,5	240
1.6	0,2	45,1	0,6	250
1.7	0,22	45,3	0,7	260
1.8	0,25	45,8	0,8	270
1.9	0,27	46,0	0,9	280
1.10	0,3	46,4	1,0	290
1.11	0,33	46,7	1,1	300
1.12	0,35	47,0	1,2	310
1.13	0,37	47,3	1,3	320
1.14	0,39	47,6	1,4	330
1.15	0,41	47,9	1,5	340
1.16	0,43	48,2	1,6	350
1.17	0,45	48,5	1,7	360
1.18	0,47	48,8	1,8	370
1.19	0,49	49,1	1,9	380
1.20	0,51	49,4	2,0	390
1.21	0,53	49,7	2,1	400
1.22	0,55	50,0	2,2	410
1.23	0,57	50,3	2,3	420
1.24	0,59	50,6	2,4	430

Задание к вопросу о методе формирования полупроводниковой структуры

1.1. Изготовление р-n - перехода микроплавлением с помощью

электронного луча.

2. Механизмы диффузии в полупроводниках.

3. Распределение примеси при диффузии из бесконечного источника.

4. Распределение примеси при диффузии из ограниченного источника.

5. Способы проведения диффузии.

6. Радиационно-стимулированная диффузия.

7. Силановый метод эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоев.

8. Хлоридный метод эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоев.

2. Молекулярно-лучевая эпитаксия.

2. Гетероэпитаксия.

3. Локальная эпитаксия.

4. Методы легирования эпитаксиальных слоев.