Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ПНК. ЛР №1. Орбита.doc
Скачиваний:
64
Добавлен:
01.05.2019
Размер:
1.22 Mб
Скачать

3.3. Специальные функциональные элементы

Логические цепи запоминающих устройств ОЗУ, ПЗУ построены на типовых элементах 1ТК121, 1ЛП121 и 1НД044, с помощью которых дешифрируется и формируется сигнал с необходимыми электрическими и временными параметрами. Усиление сигнала до нужной амплитуды и мощности производится на интегральных микросхемах 1КТ491А, Б, В, 1HT25I, 2TC622A и блоках резисторов типа Б19.

3.3.1. Специальные элементы озу

К специальным функциональным элементам ОЗУ можно отнести:

  • Адресный ключ

  • Адресный формирователь

  • Разрядный формирователь

  • Усилитель воспроизведения

  • Накопитель ОЗУ

Адресный ключ предназначен для усиления сигналов с выхода дешифратора I ступени.

Адресный формирователь предназначен для формирования сигналов выборки, поступающих через коммутирующие элементы дешифратора II ступени в координатные шины накопителя.

Разрядный формирователь предназначен для получения разнополярных симметричных импульсов разрядного тока без применения трансформаторов.

Усилитель воспроизведения предназначен для усиления сигналов, считанных с разрядной обмотки магнитного накопителя и формирования из них сигналов фиксированной амплитуды.

Накопитель ОЗУ предназначен для хранения двоичной информации.

Накопитель выполнен на многотверстных ферритовых пласти­нах с диодно-магнитным дешифратором (ДМД).

П ринцип действия накопителя поясняет схема, приведенная на рис. 3.3.

Рис. 3.3. Принципиальная электрическая схема магнитного накопителя с ДМД

Накопитель работает следующим образом: при подаче сигналов в координатные шины X и У накопителя выбирается координатный трансформатор КТ, который перемагничивается током выборки, проходящим по первичной обмотке W1, при этом в числовой провод Z (W2 ) поступает ток считывания Iz. Под действием тока считывания по данному адресу в разрядных обмот­ках наводятся ЭДС считанных сигналов, полярность которых зави­сит от ранее записанной информации.

По окончании тока выборки под действием постоянного тока смещения Iо координатный трансформатор возвращается в исходное состояние, и в числовой провод поступает ток записи Izз. В накопителе применена система двухполярной записи. Под дейст­вием разрядного тока Iр совпадающего во времени и полярности с током Izз, записывается «1», при обратной полярности разрядного тока Iр - записывается "0".

Внешний вид накопителя приведен на рис. 3.4

Рис.3.4. Внешний вид накопителя

В качестве накопителя используется куб памяти КП-III-512/19Б ИУ.306.010 ТУ. Куб памяти КП-III-512/19Б состоит из шестнадцати унифицированных кассет памяти К-III-32/19.

3.3.2. Специальные элементы пзу

ПЗУ содержит следующие специальные функциональные элементы:

  • Формирователь импульса выбора строки;

  • Формирователь импульса выбора столбца;

  • Формирователь импульса запрещения выбора линейки;

  • Усилитель выходных сигналов накопителя ПЗУ;

  • Запоминающий элемент;

  • Запоминающая ячейка.

Формирователь импульса выбора строки предназначен для усиления мощности выходного импульса второй ступени диодного дешифратора выбора строк.

Формирователь импульса выбора столбца предназначен для усиления мощности выходного импульса второй ступени диодного дешифратора выбора столбца.

Формирователь импульса запрещения выбора линейки предназ­начен для усиления мощности выходного импульса диодного дешиф­ратора запрещения выбора линеек и построен на элементе Э1(И-НЕ) микросхемы 133ЛА7.

Усилитель выходных сигналов накопителя ПЗУ предназначен для усиления выходных сигналов накопителя, выделения их на фоне помех и приведения их амплитуды к стандартной величине.

Запоминающим элементом (рис.3.5) блока постоянной памяти служит многообмоточный запоминающий трансформатор, выполненный на двух П-образных сердечниках (ФЭ).

Два соединенных внахлест П-образных сердечника образуют замкнутый магнитопровод запоминающего элемента.

П одобная конструкция запоминающего элемента позволяет ввести автоматизацию ввода программы, обеспечивает ремонтоспособность накопителя.

а) Эскиз запоминающего элемента ПЗУ

б ) Схема запоминающего элемента ПЗУ

Рис. 3.5. Запоминающий элемент ПЗУ

Первичной обмоткой запоминающего элемента служат кодовые (пришивочные) провода, а вторичной обмоткой, т.е. катушкой считывания является катушка Li. Для шунтирования колебательных процессов, возникающих при подаче управляющих сигналов в накопитель применяется короткозамкнутый виток Lj.

При протекании тока опроса по кодовому проводу в катуш­ках Li наводятся ЭДС считанных сигналов.

Для записи "1" в трансформаторе кодовый провод проводится через окно сердечника, при записи "0"  вне его.

Характеристики запоминающих элементов:

  • максимальное количество кодовых проводов, проходящих через окно сердечника  1024;

  • амплитуда считанного сигнала при коде "1" токе опроса 150…200 ма, Rн =1 ком, не менее 1в.

Запоминающая ячейка ПЗУ формируется путем подсоединения к каждому запоминающему элементу двух транзисторов из микросхемы 1КТ491А.

Электрическая принципиальная схема запоминающей ячейки ПЗУ приведена на рис. 3.6.

а) Принцип действия

б) Компоновка в реальных элементах

Рис. 3.6. Принципиальная электрическая схема запоминающей ячейки ПЗУ

Катушка Li подключается параллельно переходу кол­лектор-эмиттер шунтирующего транзистора T1, в базу которого через резистор R1 поступает сигнал с дешифратора запрещения выбора линеек.

При отсутствии положительного сигнала запрещения выбора линейки и протекании тока опроса по кодовому проводу, сигнал, наводимый в катушке Li, подается через резистор R2 в базу транзистора Т2.

Каскад, построенный на транзисторе Т2, является предвари­тельным усилителем (предусилителем).