- •Содержание
- •3Физические основы работы полупроводниковых приборов
- •3.1.Введение, основные термины и определения
- •4.1.Зонная структура полупроводников
- •5.1.Структура связей атомов и электронов полупроводника
- •6.1.Концентрация подвижных носителей заряда в собственном полупроводнике
- •7.1.Примесные полупроводники
- •3.7.1Концентрация носителей заряда в примесных полупроводниках
- •8.1.Электропроводность полупроводников
- •10.1.Вольтамперная характеристика p-n перехода
- •11.1.Пробой p-n перехода
- •12.1.Емкость p-n перехода
- •13.1.Свойство переходов металл-полупроводник
- •4Полупроводниковые диоды
- •3.1.Особенности и свойства полупроводниковых диодов, вольтамперная характеристика диода
- •4.1.Разновидности диодов, система параметров
- •4.4.1Универсальные диоды
- •4.4.2Силовые диоды
- •4.4.3Импульсные диоды
- •4.4.4Стабилитроны
- •4.4.5Варикапы
- •5.1.Система обозначений диодов
- •5Биполярные транзисторы
- •3.1.Вольтамперные характеристики транзисторов
- •4.1.Эквивалентная схема транзистора
- •5.1.Система обозначений и классификация транзисторов
- •6.1.Составные транзисторы
- •6Полевые транзисторы
- •3.1.Вольтамперные характеристики полевого транзистора с p-n переходом
- •4.1.Моп (мдп) – транзисторы
- •5.1.Система обозначений полевых транзисторов
- •7Переключающие приборы
- •3.1.Динисторы
- •4.1.Вольтамперная характеристика динистора
- •5.1.Тринисторы (тиристоры)
- •6.1.Вольтамперная характеристика тринистора
- •7.1.Симисторы
- •8.1.Запираемые тиристоры
- •9.1.Параметры и система обозначений тиристоров
- •8Оптоэлектронные приборы
- •3.1.Светодиоды
- •4.1.Характеристики светодиодов
- •5.1.Система обозначений светодиодов
- •6.1.Фоточувствительные приборы
- •7.1.Вольтамперная характеристика фотодиода
- •8.1.Параметры фотодиодов
- •9.1.Фототранзисторы
- •10.1.Фототиристоры
- •11.1.Фоторезисторы
- •12.1.Оптроны
- •9Вопросы для самопроверки
- •10Контрольная работа.
- •3.1.Методические указания к выполнению контрольной работы.
- •4.1.Оформление отчета по контрольной работе.
- •5.1.Задание.
- •11Пример выполнения контрольной работы
- •Ширина запрещенной зоны:
- •Эффективные плотности состояний:
- •Положение уровня Ферми:
- •Подвижности носителей заряда:
- •Удельное электрическое сопротивление:
- •Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току:
- •Концентрация основных и неосновных носителей заряда
- •Положение уровня Ферми:
- •Удельное электрическое сопротивление:
- •Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току:
- •Концентрация основных и неосновных носителей заряда
- •Контактная разность потенциалов
- •Ширина обедненных областей и ширина области пространственного заряда
- •Величина заряда на единицу площади
- •Величина барьерной емкости без внешнего напряжения и при обратном напряжении
- •1Глоссарий
- •Литература.
- •Электроника
11.1.Фоторезисторы
Фоторезистором называется двухэлектродный полупроводниковый прибор, сопротивление которого зависит от внешней освещенности. Он не содержит p-n-переходов и представляет собой пластинку или пленку специальным образом обработанного полупроводника одного типа проводимости. Поэтому фоторезистор является линейным элементом, т.е. его вольтамперная характеристика (рис.6.9) при любой полярности напряжения описывается законом Ома, соотношением , где – ток, протекающий через фоторезистор, – сопротивление при заданной освещенности.
Основными параметрами фоторезистора являются: темновое сопротивление (сопротивление при световом потоке ) и кратность изменения сопротивления , равная отношению темнового сопротивления к сопротивлению при заданной освещенности.
Рис. 6.9. Вольтамперные характеристики и обозначение
фоторезистора на электрических схемах.
Фоторезисторы, как и фотодиоды, по-разному реагируют на световые потоки с различными длинами волн. Наиболее чувствительными к инфракрасному излучению являются фоторезисторы, изготовленные из селенида и сульфида свинца, а при работе в видимом диапазоне используются фоторезисторы из селенида и сульфида кадмия.
12.1.Оптроны
Шрокое применение находят полупроводниковые устройства, которые называются оптронами или оптопарами. Они представляют собой согласованные по спектральным характеристикам излучатель и приемник света, помещенные в один корпус и электрически изолированные друг от друга.
Связь между ними осуществляется через световой поток электрически нейтральными частицами – фотонами. Такой вид связи слабо подвержен воздействию разного рода электромагнитных помех, а отсутствие непосредственного контакта между излучателем и приемником дает возможность использовать оптроны в качестве элементов гальванической развязки. Аналогичную роль в цепях переменного тока выполняют трансформаторы. В отличие от них, оптрон может передавать из входной цепи в выходную и сигналы постоянного тока.
Обычно в качестве излучателя используется светодиод, а приемником может быть любой фоточувствительный прибор – фотодиод, фототранзистор, фототиристор, фоторезистор. Соответствующим образом называется и оптрон – диодный, тиристорный и т.п. рис. 6.10.
Рис. 6.10. Обозначение на электрических схемах
различных видов оптронов.
Каждый из оптронов характеризуется определенной совокупностью параметров, в состав которых входят: максимальные значения токов и напряжений на излучателях и фотоприемниках; сопротивление электрической изоляции; напряжение пробоя и емкость между приемным и передающими узлами, времена задержки или максимальная частота при передаче сигналов.
Кроме того, для диодных и транзисторных оптронов вводится дополнительный параметр, который называется статическим коэффициентом передачи тока. Он определяется из соотношения: , где – ток фотодиода при заданном обратном напряжении на нем или ток фототранзистора при соответствующем напряжении коллектор-эмиттер, а – ток через светодиод. У фототиристорных оптопар имеется параметр, называемый током спрямления по входу. Это минимальный ток светодиода, переводящий фототиристор во включенное состояние.
В настоящее время используется следующая система обозначений оптронов: 3ОД или АОД – диодный оптрон, 3ОТ или АОТ – транзисторный оптрон, 3ОУ или АОУ – тиристорный оптрон, 3ОР или АОР – резисторный оптрон. После этой комбинации символов стоит число, обозначающее номер разработки и буква, характеризующая особенности прибора (ЗОД101А, АОТ127А, АОУ115В)