- •Содержание
- •3Физические основы работы полупроводниковых приборов
- •3.1.Введение, основные термины и определения
- •4.1.Зонная структура полупроводников
- •5.1.Структура связей атомов и электронов полупроводника
- •6.1.Концентрация подвижных носителей заряда в собственном полупроводнике
- •7.1.Примесные полупроводники
- •3.7.1Концентрация носителей заряда в примесных полупроводниках
- •8.1.Электропроводность полупроводников
- •10.1.Вольтамперная характеристика p-n перехода
- •11.1.Пробой p-n перехода
- •12.1.Емкость p-n перехода
- •13.1.Свойство переходов металл-полупроводник
- •4Полупроводниковые диоды
- •3.1.Особенности и свойства полупроводниковых диодов, вольтамперная характеристика диода
- •4.1.Разновидности диодов, система параметров
- •4.4.1Универсальные диоды
- •4.4.2Силовые диоды
- •4.4.3Импульсные диоды
- •4.4.4Стабилитроны
- •4.4.5Варикапы
- •5.1.Система обозначений диодов
- •5Биполярные транзисторы
- •3.1.Вольтамперные характеристики транзисторов
- •4.1.Эквивалентная схема транзистора
- •5.1.Система обозначений и классификация транзисторов
- •6.1.Составные транзисторы
- •6Полевые транзисторы
- •3.1.Вольтамперные характеристики полевого транзистора с p-n переходом
- •4.1.Моп (мдп) – транзисторы
- •5.1.Система обозначений полевых транзисторов
- •7Переключающие приборы
- •3.1.Динисторы
- •4.1.Вольтамперная характеристика динистора
- •5.1.Тринисторы (тиристоры)
- •6.1.Вольтамперная характеристика тринистора
- •7.1.Симисторы
- •8.1.Запираемые тиристоры
- •9.1.Параметры и система обозначений тиристоров
- •8Оптоэлектронные приборы
- •3.1.Светодиоды
- •4.1.Характеристики светодиодов
- •5.1.Система обозначений светодиодов
- •6.1.Фоточувствительные приборы
- •7.1.Вольтамперная характеристика фотодиода
- •8.1.Параметры фотодиодов
- •9.1.Фототранзисторы
- •10.1.Фототиристоры
- •11.1.Фоторезисторы
- •12.1.Оптроны
- •9Вопросы для самопроверки
- •10Контрольная работа.
- •3.1.Методические указания к выполнению контрольной работы.
- •4.1.Оформление отчета по контрольной работе.
- •5.1.Задание.
- •11Пример выполнения контрольной работы
- •Ширина запрещенной зоны:
- •Эффективные плотности состояний:
- •Положение уровня Ферми:
- •Подвижности носителей заряда:
- •Удельное электрическое сопротивление:
- •Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току:
- •Концентрация основных и неосновных носителей заряда
- •Положение уровня Ферми:
- •Удельное электрическое сопротивление:
- •Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току:
- •Концентрация основных и неосновных носителей заряда
- •Контактная разность потенциалов
- •Ширина обедненных областей и ширина области пространственного заряда
- •Величина заряда на единицу площади
- •Величина барьерной емкости без внешнего напряжения и при обратном напряжении
- •1Глоссарий
- •Литература.
- •Электроника
9.1.Фототранзисторы
Управление коллекторным током транзистора, может быть осуществлено не только при изменении соответствующих напряжений и тока базы, но и путем освещения ее области. Транзистор, для которого предусмотрен такой режим работы, называется фототранзистором. В отсутствие освещенности его вольтамперные характеристики идут обычным образом.
Под воздействием светового потока в области базы станут генерироваться электронно-дырочные пары. Полем запертого коллекторного перехода электроны (для n-p-n транзистора) начнут втягиваться в область коллектора, увеличивая его ток. Данная ситуация аналогична возникающей при работе фотодиода в режиме обратного смещения.
Дырки, возникшие при освещении фототранзистора n-p-n типа, останутся в базе, увеличивая ее потенциал, что приведет к усилению инжекции электронов из эмиттера. Дополнительные электроны, достигнув коллекторного перехода, втянутся его полем и дадут дополнительное приращение коллекторного тока.
Полный коллекторный ток фототранзистора описывается соотношением: , где – начальный ток коллектора, – фототок коллекторного перехода, величина которого зависит от внешней освещенности. Из данного соотношения следует, что коллекторным током фототранзистора можно управлять как по цепи базы, так и изменяя величину светового потока. В любом случае, при освещении вольтамперные характеристики пойдут выше соответствующих ВАХ, снятых для транзистора в темноте, как показано на рис. 6.7 штриховыми линиями. Чувствительность к воздействию освещенности у фототранзистора транзистора примерно в раз больше чувствительности фотодиода.
Фототранзистор может быть представлен в виде эквивалентной схемы, состоящей из обычного транзистора и фотодиода, включенного между его коллектором и базой, как показано на рис. 6.7.
Рис. 6.7. Вольтамперные характеристики, обозначение и эквивалентное представление биполярного n-p-n фототранзистора.
Если не требуется комбинированное управление током коллектора, то фототранзистор может не иметь базового вывода или он может быть никуда не подключен. При таком режиме работы, который называется режимом с «оторванной» или свободной базой, фототранзистор обладает не только максимальной чувствительностью, но и максимальной нестабильностью параметров. Вывод базы может быть соединен с эмиттерным контактом через резистор, от величины которого будет зависеть фоточувствительность.
Обычный транзистор и диод могут быть превращены в фоточувствительные приборы, вскрытием их корпусов для доступа света к кристаллу.
10.1.Фототиристоры
Фототиристорами называются переключающие полупроводниковые приборы, напряжение включения которых может изменяться под воздействием светового потока на соответствующие p-n переходы.
Условие включения тиристора выглядит следующим образом , где и – коэффициенты передачи эквивалентных транзисторов. В отсутствие освещенности вольтамперная характеристика фототиристора практически не отличается от ВАХ обычного переключающего прибора (динистора или тиристора при ).
Освещение переходов фототиристора вызывает рост обратных токов эквивалентных транзисторов и соответственно их коэффициентов передачи. Это приводит к уменьшению напряжения включения структуры, как показано на рис. 6.8.
Рис. 6.8. Вольтамперные характеристики и обозначение
фототиристора.
В случае достаточно интенсивного освещения тиристор будет включен при любом значении прямого напряжения (данная ситуация аналогичная той, когда ток управления тринистора больше тока спрямления).
Подав на затемненный фототиристор прямое напряжение, а затем кратковременно осветив p-n переходы, его можно перевести во включенное состояние. Выключить фототиристор, как и обычный переключающий прибор, удастся лишь при уменьшении анодного тока до значения, меньшего, чем ток удержания.
Фототиристор может иметь дополнительный вывод – управляющий электрод, что позволяет включать его при подаче как электрического, так и светового сигнала.
Промышленностью выпускаются фототиристоры как с открытым для освещения кристаллом, так и с встроенным в корпус тиристора светодиодом.