- •Виды импульсных сигналов и их параметры.
- •Основные параметры характеризуют импульсы любой формы.
- •Производные параметры получают из основных путем пересчета.
- •Дополнительные параметры служат для характеристики специфических отличий конкретного импульса. Число этих параметров зависит от формы рассматриваемого импульса.
- •2. Экспоненциальная функция и её свойства.
- •3. Разделительная цепь при действии одиночного импульса: схема, выражения для
- •4. Прохождение последовательности прямоугольных импульсов через разделительную цепь.
- •5. Укорачивающие lcr и rc цепи: схемы, эпюры и аналитические выражения и
- •6. Влияние внутреннего сопротивления источника сигнала и емкости нагрузки на форму и параметры выходного сигнала укорачивающей цепи. Rc укорачивающая цепь
- •Влияние выходного сопротивления генератора импульсов на работу укорачивающей цепи
- •7. Дифференцирующие цепи: назначение, схема простейшей цепи,требования к
- •Дифференцирующая цепь.
- •8. Интегрирующие цепи: назначение, схема простейшей цепи, требования к постоянной времени, иц на оу интегрирующая цепь.
- •10. Фиксаторы вершины импульсов.
- •11. Последовательный диодный ограничитель: назначение, схема, принцип действия. Последовательный диодный ограничитель.
- •12. Ключевые схемы: понятие, классификация, схемы транзисторных ключей,
- •2. Транзисторные ключи.
- •2.1 Биполярные ключи
- •13. Назначение и суть метода заряда. Метод заряда.
- •Переходные характеристики ключа.
- •18. Основы Булевой алгебры: виды логических устройств, основные логические операции и их схемная реализация Логические устройства
- •Элементы булевой алгебры
- •Правила и теоремы Булевой алгебры
- •19. Понятие логических функций, способы их задания и описания.
- •20. Построение комбинационных логических схем по заданной переключательной
- •Логические функции
- •Построение комбинационной схемы
- •21. Минимизация логических функций: назначение, аналитический способ на примере трехканального приемника.
- •22. Минимизация логических функций с помощью диаграмм Вейча (циклов Карно). Минимизация логических схем
- •23. Логические элементы: классификация, основные характеристики и параметры Основные характеристики полупроводниковых логических элементов
- •Классификация л.Э.
- •24. Логические элементы ттл-логики, базовый элемент.
- •25. Генераторные устройства релаксационных колебаний, общие сведения.
- •4.1 Генераторы прямоугольных импульсов.
- •26. Триггеры: назначение, классификация.
- •4.1. Триггеры
- •34. Глин, общие сведения.
- •4.2 Глин
- •Способы генерирования лин.
- •35. Простейший глин с интегрирующей цепью: схема, принцип действия, коэффициен нелинейности.
- •36. Глин с токостабилизирующим двухполюсником: схема, принцип действия,
- •46. Устройства сравнения кодов. Цифровой компаратор (устройство сравнения кодов)
- •44. Шифраторы и дешифраторы
- •45. Мультиплексоры и демультиплексоры.
- •52. Запоминающие устройства, общие сведения.
- •51. Регистры: общие сведения, пример реализации параллельного и последовательного регистров (дополнить)
- •6.1 Последовательные (регистры …)
- •Регистр
- •Регистр сдвига вправо.
- •55. Однократные пзу.
- •56. Репрограммируемые пзу. Постоянные запоминающие устройства (пзу). Диодная матрица.
- •Масочно-программируемые пзу.
- •Пзу, программируемые возбуждением тока.
- •Третья разновидность электрически программируемого пзу (эппзу).
- •Перепрограммируемые пзу.
- •30. Триггер с коллекторно-базовыми связями: схема, принцип действия. Мультивибраторы.
- •Мультивибраторы с коллекторно – базовыми связями.
- •31. Несимметричный триггер с эмиттерной связью: схема, принцип действия. Мультивибратор с эмиттерной связью.
- •33. Автоколебательный мультивибратор, схема 119гф2.
- •32. Ждущий мультивибратор схема 218гф2.
- •8 Вопрос
- •1.2.1 Фиксаторы уровня.
Классификация л.Э.
Применяемые на практике Л.Э. в зависимости от вида используемого сигнала делятся на 3 группы:
потенциальные
импульсные
импульсно-потенциальные
В потенциальных Л.Э. логическому 0 и 1 соответствует два различных уровня потенциала, а в импульсных – наличие или отсутствие импульсов. В импульсно-потенциальных элементах часть входных сигналов представляются в виде различных уровней потенциала, а другая часть в виде импульсов.
С выхода импульсно-потенциальных элементов снимается импульсный сигнал.
Однако потенциальные элементы могут работать и при подаче на их входы импульсных сигналов, соответствующей полярности и амплитуды, а импульсные элементы не работают при подаче на их входы сигналов виде двух уровней.
Наибольшее распространение получили потенциальные элементы, позволяющих применять современную технологию.
Л.Э. И и ИЛИ могут быть построены на диодах, а элемент НЕ на ключе с О.Э.
Для нормализации логических уровней U(0) и U(1) в состав Л.Э. включают транзистивный ключ с О.Э. обладающий усилительными свойствами и инвертором одновременно.
Поэтому Л.Э. обычно совмещают выполнение операции И и ИЛИ с операцией не, т.е. получили И-НЕ, ИЛИ-не.
Основной классификационный признак – тип компонентов на которых построены элементы И и ИЛИ.
резисторно-транзисторный (РТЛ)
диодно-транзисторные (ДТЛ)
транзисторно-транзисторные (ТТЛ)
транзисторные (ТЛ)
В первых трех типах Л.Э. логические операции выполняют соответственно резисторы, диоды и транзисторы, включенные по схеме не обеспечивающей усиления напряжения. Поэтому в этих трёх типах дополнительно ставится нормализующий элемент – ключ, реализующий операцию НЕ. Таким образом элементы, реализующие логические функции И и ИЛИ стоят впереди перед инвентором. Такие элементы называют еще элементами со “входной логикой”.
В элементах четвертого типа транзисторы работают в режиме усиления и дополнительного нормализующего элемента не требуется. Для выполнения операции И и ИЛИ соединяют выходные зажимы транзисторов (коллекторы или эмиттеры). Элементы с выходной логикой.
Второй классификационный признак – способ соединения п/п в логической схеме. Различают схемы со связанными коллекторами, со связанными эмиттерами, со связанными анодами и со связанными катодами.
Третий классификационный признак – вид связи логической схемы И и ИЛИ с ключом – инвертором.
Применяют следующие виды связи:
Непосредственная (НС); резистивная(РС); резистивно-ёмкостная (РЕС); диодная (ДС).
Изменяя типы логической схемы, схемы связей, способы соединения электродов п/п элементов можно получить множество вариантов Л.Э.
Но не все варианты получили распространение, это обусловлено причинами технологии микроэлектроники:
изготовление транзисторов оказывается более простым и дешевым, чем изготовление пассивных компонентов.
изготовление конденсаторов и резисторов с большими номиналами увеличивает габариты.
max. допустимая мощность, рассеиваемая компонентами ограничена их размерами.
параметры компонентов обладают значительным разбросом.
отсутствуют промышленные способы изготовления микроминиатюрных компонентов с магнитными сердечниками.
Эти особенности микроэлектроники привели к тому, что в настоящее время используются схемы Л.Э. в которых можно использовать компоненты из p-n перехода. (транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы с малыми номиналами)