- •10. Что такое профильно-технологическая схема?
- •11. Перечислить основные технологические процессы, связанные с изготовлением имс.
- •1.Что называется полупроводником?
- •12. В чем особенности примесных точечных дефектов?
- •13. Назвать основные виды примесных дефектов.
- •14. Как наличие дефектов влияет на проводимость полупроводников?
- •15. Что такое линейные дислокации?
- •16. Как себя проявляют поверхностные и объемные дефекты?
- •2. Как температура влияет на поверхностное натяжение?
- •3. Почему при измельчении материалов изменяются их физико-химические свойства?
- •4. Что такое смачивание?
- •5. Что является критерием смачивания?
- •6. Что такое адсорбция?
- •7. Назвать виды адсорбции и чем они обусловлены.
- •8. Дать определение силам Ван-дер-Ваальса.
- •9. Как адсорбция зависит от температуры?
- •10. Какой вид имеет изотерма адсорбции?
- •13. Что такое поверхностно-активные вещества и как они влияют на поверхностное натяжение растворов?
- •14. Что такое адгезия?
- •15. Назвать виды адгезии и факторы, оказывающие на нее влияние.
- •1. Что такое легирование материалов?
- •2. Назвать основные методы легирования.
- •3. Что такое диффузионное легирование?
- •8. В чем физический смысл коэффициента диффузии?
- •9. Какие факторы влияют на коэффициент диффузии?
- •10. В чем суть двухстадийного процесса термодиффузии?
- •11. Каковы недостатки термодиффузии?
- •12. В чем сущность метода ионной имплантации?
- •13. Назвать достоинства и недостатки ионной имплантации.
- •14. Перечислить основные процессы, возникающие при взаимодействии ионов с веществом.
- •15. Каковы основные механизмы потерь энергии иона при его взаимодействии с веществом?
- •16. Как потери энергии иона зависят от его энергии?
- •17. Как, зная энергию и атомный вес иона, определить вид потерь его энергии?
- •18. Какие факторы и как влияют на глубину проникновения иона в вещество?
- •19. Что такое каналирование ионов?
- •20. Какие факторы влияют на проявление эффекта каналирования?
- •1. Назвать основные виды загрязнений.
- •2. Назвать основные методы жидкостной и сухой очистки.
- •3. Что собой представляют методы физического обезжиривания?
- •4. Каков механизм химического обезжиривания?
- •5. Как получают особо чистую деионизованную воду?
- •6. Каков механизм физического обезжиривания?
- •7. Какова роль поверхностно-активных веществ в процессе очистки?
- •8. В чем состоит механизм ультразвуковой очистки?
- •10. Что такое селективность травления?
- •11. Каковы условия для полирующего химического травления?
- •12. Что такое анизотропность травления?
- •13. Как обеспечивается газовое травление?
- •14. Каков механизм очистки путем термообработки?
- •1. Каков механизм ионного травления?
- •2. Что такое пороговая энергия распыления?
- •3. Что такое коэффициент ионного распыления?
- •4. Какие факторы и как влияют на коэффициент ионного распыления?
- •5. Как распыляемые частицы при ионной бомбардировке распределяются по углам вылета?
- •6. Что собой представляет диодная схема катодного распыления?
- •7. Как обеспечивается самостоятельная форма разряда в диодной схеме катодного распыления?
- •8. Каковы условии для анизотропность ионно-плазменного травления?
- •9. Что такое селективность ионно-плазменного травления?
- •10. Какие факторы влияют на скорость ионно-плазменного
- •11. Что собой представляет триодная схема ипт?
- •13. В чем состоит механизм плазмохимического травления?
- •15. Что такое реактивное ионное травление?
- •16. В чем особенности механизма реактивного ионно-лучевого травления?
- •12. В чем особенности ионно-лучевого травления?
- •14. В чем особенности плазмохимических реакций?
- •1. В чем сущность механизма зарождения и роста пленок (теория Гиббса—Фальмера)?
- •2. Каков вид зависимости свободной энергии образования зародыша от радиуса зародыша?
- •3. Какие условия определяют устойчивость сферического зародыша?
- •4. В чем отличие моделей гетерогенного и гомогенного образования зародышей?
- •5. Какие факторы влияют на скорость образования зародыша?
- •7. В чем состоят особенности роста пленок после получения первичного слои?
- •Физико-химические процессы формирования диэлектрических покрытий
- •1. Какие требования предъявляются к защитным диэлектрическим пленкам?
- •2. Какие исходные материалы могут быть использованы в качестве защитных пленок?
- •3. В чем сущность механизма термического окисления кремния?
- •8. В чем сущность химического метода осаждения диэлектрических пленок?
- •9. Каковы механизм и особенности пиролитического осаждения оксидных пленок?
- •10. Каков механизм химического осаждения пленок нитрида кремния?
14. Перечислить основные процессы, возникающие при взаимодействии ионов с веществом.
Отражение иона от поверхности.
ΔЕ- потеря энергии.
Появление поверхностной атомной дислокации
Импульс иона может сместить поверхностный атом из положения, где он слабо связан с кристалл. решеткой образца, в положение, где связь оказывается сильнее.
Появление радиационных дефектов.
Ионы с более высокими энергиями могут проникать в толщу образца и вызывать в нем внутренние дислокации .
Ионное распыление.
происходит физическое распыление материала образца (ионное распыление, ионно-плазменное травление).
Ионная имплантация.
Ионы, могут проникать в кристаллическую решетку и встраиваться в нее, израсходовав свою энергию и потеряв заряд.
Реактивное ионное травление
В результате химической реакции иона с поверхностными атомами на поверхности образуются новые химические соединения , которые могут испариться
Вторичная электронная эмиссия. Возможно выбивание с поверхности вторичных электронов (ионно-электронная эмиссия)
Вторичная ионная эмиссия
Под воздействием ионной бомбардировки поверхностные атомы возбуждаются до ионизированных состояний (ионов) и могут покинуть поверхность
При взаимодействии ионов с веществом возможны и другие процессы — рентгеновское излучение, ионолюминисценция (свечение), радиационно-стимулированная диффузия и отжиг, нагрев образца и др.
15. Каковы основные механизмы потерь энергии иона при его взаимодействии с веществом?
Первый механизм состоит в том, что быстрый ион взаимодействует с электронами атомов кристаллической решетки, в результате чего возникают возбуждение и ионизация атомов кристалла. Такое взаимодействие называют электронным торможением. Масса иона намного превышает массу электронов, то электронное торможение заметного влияния на изменение траектории движения иона не оказывает.
Во втором случае взаимодействие происходит между ядрами первичных ионов и ядрами атомов мишени, их можно рассматривать как упругие соударения двух частиц. Такие взаимодействия называют ядерным торможении
При соударении имплантируемый ион отклоняется на некоторый угол от направления своего движения и передает энергию столкнувшемуся с ним атому, в результате атом может оказаться смещенным из узла кристаллической решетки, и на его месте образуется вакансия, т.е. образуется точечный дефект по Френкелю.
Вклад в энергетические потери дает вспомогательный процесс — обмен зарядами между движущимися ионами и атомами мишени. Такое взаимодействие называют обменным торможением.
16. Как потери энергии иона зависят от его энергии?
Зависимость потерь энергии от энергии ионов:
I — за счет ядерного торможения; 2 — за счет электронного торможения; 3 — за счет обменного торможения
17. Как, зная энергию и атомный вес иона, определить вид потерь его энергии?
Электронная тормозная способность пропорциональна скорости движущихся ионов: которая, пропорциональна квадратному корню из энергии иона.где коэффициент К определяется природой ионов и материала мишени.
Ядерная тормозная способность Sn не зависит от энергии движущихся ионов: где z1,z2— атомные номера движущегося иона и атома мишени;
М1, M2 — относительные молярные массы иона и материала мишени.