9. Каковы механизм и особенности пиролитического осаж­дения оксидных пленок?

Для пиролиза применяют жидкие кремнийорганические соединения, из которых наиболее часто используют тетраэтоксисилан Si(ОС2Н5)4 (эфир этиловой ортокремниевой кислоты).

Г аз-носитель (аргон, азот или активный кислород) насыщается парами тетраэтоксисилана и поступает в реакционную зону кварцевой трубы, где находится кассета с полупроводниковыми пластинами.

Диоксид кремния осаждается на пластинах, остальные продукты реакции уносятся газовым потоком из трубы. Скорость роста пленки SiO2 при температуре выше 700 °С достаточно велика, что позволяет получать слои толщиной в несколько мкм за 10 – 15 минут.

Методом пиролиза можно получать однородные, хорошо воспроизводящие рельеф поверхности структуры пленки. Однако такие пленки по своим свойствам несколько уступают термически выращенным.

10. Каков механизм химического осаждения пленок нитрида кремния?

Пленки Si3N4 но сравнению с SiO2 являются более плотными и менее проницаемыми для диффузантов.

К роме того, пленки нитрида кремния можно выращивать во много раз быстрее при более низких температурах, чем пленки SiO2 . Пленки нитрида кремния получают, например, в результате взаимодействия между силаном и аммиаком при атмосферном давлении и температурах 600- -800 °С.

Скорость роста пленки Si3N4 достигает 100нм/мин и зависит от концентрации силана в рабочей камере и температуры процесса.

11. В чем сущность механизма плазмохимического осажде­ния диэлектрических пленок?

Механизм образования пленок при плазмохимическом осаждении сводится к трем основным стадиям — генерации в разряде ионов и радикалов, адсорбции их на поверхности подложки, перегруппировке адсорбированных частиц на поверхности.

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ФОТОЛИТОГРАФИИ

1. Что такое литография?

2. Назвать основные этапы проведения фотолитографии.

3. Назвать основные фотохимические законы и указать их применимость к процессам фотолитографии.

4. Назвать основные фотохимические реакции, протекаю­щие в процессе экспонирования при фотолитографии.

5. В чем особенности негативного и позитивного фоторези­стов?

П. В чем сущность процессов проекционной фотолитогра­фии?

7. Какую предельно возможную разрешающую способ­ность обеспечивает фотолитография?

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛИОННЫХ МЕТОДОВ ЛИТОГРАФИИ

1. В чем сущность элионных методов литографии?

2. В чем особенности электронно-лучевой литографии?

3. Каков механизм экспонирования при сканирующей элек­тронно-лучевой литографии?

4. Каков механизм экспонирования при использовании про­екционной электронно-лучевой литофафии?

5. Какую разрешающую способность обеспечивает элек­тронно-лучевая литография?

6. В чем особенности экспонирования электронорезистов?

7. В чем сущность механизма рентгеновской литографии?

8. В чем достоинства и недостатки рентгеновской литогра­фии?

10. В чем особенности ионно-лучевой литографии?

11. Пояснить, почему при ионно-лучевой литографии можно обойтись без шаблона?

12. Пояснить механизм получения изображения в ионно-проекционной системе.

13. Каковы преимущества ионно-лучевой литографии?

14. Как с помощью ионных лучей получить топологический рисунок без использования резистов?

15. Сравнить все методы литографии по их разрешающей способности.