Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ОРЭ шпоры.docx
Скачиваний:
2
Добавлен:
16.04.2019
Размер:
858.38 Кб
Скачать

7) Частотная модуляция

Частота – неэнергетический параметр

– индекс модуляции

- амплитуда изменения амплитуды несущей частоты передатчика ( девиации)

- передаваемая частота

При ЧМ

При радиовещании в диапазоне ЧМ принимается американский стандарт , а стандарт СССР в диапазоне УКВ

Спектр сигналов при ЧМ

При быстрой модуляции спектр похож на спектр АМ

Достоинства ЧМ: 1)амплитуда несущей не меняется=>мощн.режим Прд не меняется; 2)при быстрой модуля ширина спектра сост. 2 , как и при АМ, но ампл.бок.сост. очень малы.

Недостатки ЧМ: НЧ-составляющая передаваемого сообщения находится в преимущественном состоянии, чем ВЧ. В Прд применяют цепочку операций предыскажений, поднимая ВЧ, а в Прм обратную цепочку.

10) Линейные цепи состоят из пассивных и активных элементов, параметры ко­торых не зависят от протекающих в них токов и приложенных к ним напряже­ний. В общем случае речь ведут о цепях (системах), у которых связь между входным uBX(t) =uвх и выходным uВЬ|Х(t) = uвых сигналами устанавливают с помощью дифференциального уравнения

Положим, что входной сигнал uBX(t)задан. Тогда правая часть уравнения, которую условно обозначим через i(t),является известной функцией. Ана­лиз отклика линейной цепи на известное входное воздействие сводится при этом к решению линейного дифференциального урав­нения n-го порядка с постоянными коэффициентами

Порядок п этого уравнения в радиотехнике принято называть порядком ли­нейной цепи (системы).

Один из простейших признаков линейности электрической цепи состоит в том, что при прохождении через линейную систему синусоида остается сину­соидой: могут измениться лишь ее амплитуда и фаза (сдвиг во времени), а час­тота остается неизменной. Это свойство особенно принципиально, поскольку оно указывает на важнейший метод анализа линейных систем с помощью раз­ложения входных и выходных сигналов на гармоники (Фурье-анализ).

К линейным цепям (системам) применим принцип суперпозиции (наложе­ния), суть которого можно сформулировать так: отклик (выходной сигнал) ли­нейной цепи на сложное (суммарное) воздействие нескольких входных источни­ков равен алгебраической сумме откликов на воздействие (входной сигнал) каж­дого источника в отдельности. Говорят, что реакция системы на входные сигна­лы аддитивна. Можно сказать, что «целое равно сумме своих частей». В матема­тической форме этот принцип выражается следующим простым равенством

где В — линейный оператор, характеризующий вид воздействия линейной цепи на входной сигнал.

22) Полевые транзисторы бывают двух видов: - с управляющим p-n-переходом; - со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) Транзистор с управляющим p-n-переходом представляет собой пластину (участок) из полупроводникового материала с электропроводностью p- либо n-типа, к торцам которой подсоединены электроды - сток и исток. Вдоль пластины выполнен электрический переход (p-n-переход или барьер Шотки), от которого выведен электрод - затво Полевым   транзистором  называется   полупроводниковый   прибор, усилительные   свойства которого обусловлены потоком основных но­сителей, протекающим через проводящий канал, управляемый электричёским полем. Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.

Характерной особенностью полевого транзистора является высокий коэффи­циент усиления по напряжению и высо­кое входное сопротивление.  Электрод полевого транзистора, через который в проводящий ка­нал втекают носители заряда, называют истоком, а электрод, через который они вытекают из канала, — стоком.  Электрод полевого транзистора, на который подается электриче­ский сигнал» используемый для управления величиной тока, проте­кающего через канал, называют затвором.  К каждому из электродов присоединяются выводы, носящие соот­ветствующие названия (истока, стока и затвора). Затвор выполняет роль сетки вакуумного триода. Исток и сток соответствуют катоду и аноду. Величина тока в канале (при Е2 и Rн = const) зависит от сопротивления участка пластинки между стоком и истоком, т. е. в зна­чительной степени от эффективной площади поперечного сечения ка­нала.  Источник E1 создает отрицательное напряжение на затворе, что приводит к увеличению толщины запирающего слоя и к уменьшению сечения канала. С уменьшением сечения канала увеличивается со­противление между истоком и стоком и снижается величина тока Iс. Уменьшение напряжения на затворе вызывает уменьшение сопротив­ления канала и возрастание тока Iс. Следовательно, ток, протекающий через канал, можно модулировать сигналами, приложенными к за­твору.  Поскольку р-n - переход включен в обратном направлении, входное сопротивление прибора очень велико.  Отрицательное напряжение, приложенное к затвору относитель­но истока, может вызвать такое расширение ОПЗ, при котором токопроводящий канал окажется перекрытым. Это напряжение называют пороговым или напряжением отсечки. Оно соответствует напряжению запирания электронной лампы.  К р-n - переходу приложено не только «поперечное» напряжение Е1 но и «про­дольное» напряжение, падающее на рас­пределенном сопротивлении канала, созда­ваемое током, протекающим от истока к стоку. Поэтому ширина ОПЗ у стока увеличивается, а эффективное сечение канала соответственно умень­шается (см. рис. 1). Приборы данного типа называют полевыми транзисторам и с затвором в виде р-n перехода  или с управляющим   р-n- переходом .

Рис.3Схема с общим истоком

S-крутизнаM-коэффициент усиления

Частотные свойства полевых транзисторов определяются постоянной времени RC-цепи затвора. Поскольку входная емкость Сзи у транзисторов с р-n-переходом велика (десятки пикофарад), их применение в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением возможно в диапазоне частот, не превышающих сотен килогерц – единиц мегагерц.

При работе в переключающих схемах скорость переключения полностью определяется постоянной времени RC-цепи затвора. У полевых транзисторов с изолированным затвором входная емкость значительно меньше, поэтому их частотные свойства намного лучше, чем у полевых транзисторов с р-n-переходом.