22. Бтиз (igbt) – биполярный транзистор с изолированным затвором. Достоинства по сравнению с моп.

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT - InsulatedGateBipolarTransistors) - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком. На рис.1 приведено условное обозначение IGBT.

Рис. 1. Условное обозначение IGBT	Рис. 2. Схема соединения транзисторов в единой структуре IGBT

    Коммерческое использование IGBT началось с 80-х годов и уже претерпела четыре стадии своего развития.

IGBT являются продуктом развития технологии силовых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник, управляемых электрическим полем и сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Эквивалентная схема включения двух транзисторов приведена на рис. 2. Прибор введён в силовую цепь выводами биполярного транзистора E (эмиттер) и C (коллектор), а в цепь управления - выводом G (затвор).

 Таким образом, IGBT имеет три внешних вывода: эмиттер, коллектор, затвор. Соединения эмиттера и стока (D), базы и истока (S) являются внутренними. Сочетание двух приборов в одной структуре позволило объединить достоинства полевых и биполярных транзисторов: высокое входное сопротивление с высокой токовой нагрузкой и малым сопротивлением во включённом состоянии.

28. Метод МДМ (модуляция-демодуляция). Достоинства и недостатки.

Модуляция - это процесс представления модулирующего сигнала через определенный параметр несущей

М – модулятор

ИУ – избирательный усилитель

ДМ – демодулятор

Г – генератор

Этот метод позволяет получить самое малое напряжение дрейфового тока, маленькое начальное смещение, температурный дрейф практически исключается в усилителях МДМ, т.к. усиливается только переменный сигнал, не подверженный дрейфу. В качестве источников сигнала могут выступать электрические и не электрические сигналы (свет, тепло).

Недостаток: ограниченный частотный диапазон: f_m>10f_c , что бы получить выходной сигнал соответствующий по форме входному. Повышается уровень шумов вызванных модуляцией – демодуляцией.

Выпускаются в виде готовых интегральных микросхем. Напр.: 140YD13.

29. Дифференциальные усилители (ду). Схема включения. Ду в режиме покоя, в режиме усиления противофазного сигнала, в режиме усиления синфазного сигнала. Способ улучшения свойств усилителя (схема).

Дифференциальный усилитель - симметричный усилитель постоянного напряжения с 2-мя входами и 2-мя выходами. Дифференциальный усилительный каскад выполняется по принципу сбалансированного моста, два плеча которого образованы резисторами , а два других - транзисторами . Выходное напряжение снимается между коллекторами транзисторов.

ДУ в режиме покоя

V T1 и VT2 располагаются, чаще всего на одном кристалле в непосредственной близости друг от друга, что обуславливает их близкие параметры и одинаковую температуру. При нагревании либо старении элементов входящих в ДУ. Транзисторы приоткрываются в одинаковой мере, а выходное напряжение между коллекторами остаётся практически нулевым.