- •14. Особенности изучения реального кристаллообразования. Выбор метода выращивания монокристаллов.
- •3. Точечные
- •15.Технология получения монокристаллов. Выращивание монокристаллов из расплава. Характеристики метода.
- •16. Методы нормальной направленной кристаллизации. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •17. Метод Бриджмена. Основные параметры. Достоинства и недостатки. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •18. Методы вытягивания кристаллов из расплава. Метод Чохральского. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •19. Методы вытягивания кристаллов из расплава. Метод Киропулуса. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •20. Методы зонной плавки. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •21. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Метод Вернейля. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •22. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Зонная плавка. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •23. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Метод выращивания с пьедестала. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •24. Выращивание кристаллов из растворов. Требование к растворителю. Основные стадии.
- •25. Выращивание кристаллов из растворов. Метод зонной плавки.
- •26. Выращивание кристаллов из растворов. Гидротермальное выращивание. Основные параметры и требования.
- •27.Выращивание из растворов. Метод испарения летучего растворителя.
- •28.Выращивание из растворов. Метод повышения концентрации летучего компонента раствора.
- •29. Выращивание из растворов. Направленная кристаллизация пересыщенных растворов.
- •30. Выращивание монокристаллов из паровой фазы.
- •1.Метод конденсации паров компонентов.
- •2. Метод диссоциации восстановление газообразующих соединений.
- •3.Метод реакции переноса.
- •3.1.Метод переноса в потоке
- •31. Легирование кристаллов в твердой фазе.
- •32. Легирование кристаллов при выращивании из жидкой фазы.
- •33. Технологические неоднородности состава кристаллов и методы их уменьшения.
- •34. Легирование кристаллов при выращивании из газовой фазы.
- •3.Метод газоразр-го легирования.
- •4.Материалы электрода.
- •35. Особенности стеклообразного состояния и строение стекла. Типы стекол. Температурный интервал стеклования. Теория Лебедева.
- •36. Физико-химические основы стекловарения. Вязкость и поверхностное натяжение стекол и расплавов. Технологическая шкала вязкости.
- •1. Технологические параметры, которые определяют технологию варки стекла.
- •37. Сырьевые материалы для производства стекла. Природное сырье и синтетическое. Основное и вспомогательное сырье. Методы получения синтетического оксида кремния.
- •2 Группы:
- •6.5 Ускорители варки стекла.
- •39. Приготовление шихты. Факторы, влияющие на качество шихты.
- •40.Изготовление шихты для изготовления высокооднородных стекол (метод соосаждения, метод гидролиза, топохимический метод)
- •1.Метод соосаждения.
- •2.Метод гидролиза.
- •3.Топохимический метод
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Силикатообразование. Факторы, влияющие на процесс.
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Стеклообразование. Факторы, влияющие на процесс.
- •43. Стекловарение. Этапы стекловарения. Осветление.
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Этап гомогенизации. Факторы, влияющие на процесс.
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Студка. Факторы, влияющие на процесс.
- •Пороки стекла. Газовые, стекловидные, кристаллические пороки. Методы борьбы с пороками.
- •Формование стекла. Стадии процесса формования.
- •48. Непрерывные и циклические процессы формования стекла.
- •49. Технологические характеристики формования. Текучесть стекломассы. Охлаждение и твердение.
- •50. Способы формования стекла. Вытягивание. Прокатка. Прессование. Выдувание. Центробежное формование. Флоат способ.
- •51. Термическая обработка стекла. Отжиг и закалка стекла.
- •52. Методы получения пленок стекла. Нанесение пленок из жидкой фазы. Нанесение пленок из газовой фазы. Структура и свойства пленок стекла. Дефекты пленок.
- •Ситаллы. Катализаторы кристаллизации. Требования к катализаторам. Механизмы действия катализаторов. Фотоситаллы. Термоситаллы.
- •Технологические стадии получения ситаллов.
27.Выращивание из растворов. Метод испарения летучего растворителя.
Т игель с ра-ром –расплавом нелетучего А в летучем В располагают в герметичной ампуле и по высоте ампулы создают градиент Т. Т2, Т1 – постоянна. Градиент Т – постоянна на высоте тигля. Нач Т3 в нижней части ампулы соот-т условию, что при этой Т Р пара чистого ком-та В=Р его паров над поверхностью ра-ра, который нах-ся при Т1. Если медленно уменьщать Т3, то начнется конденсация паров В в нижней части ампулы, а концентрация его в ра-ре будет уменьшатся.
Е сли исх состав ра-ра на диаграмме нах-ся в положении I, то по мере испарения ра-ля В он будет перемещаться влево к положении. II. Когда он достигент II, область ра-ра, нах-ся на дне тигля при Т2 моежт быть в равновесии с кристаллом состава АВ(1+б), следовательно, дальнейшее испарение В создает в этой области персыщение, которое приводит в появлению зародышей кристалла. При уменьшении Т3 испаряется В. Состав ра-ра меняется и область пересыщения двигается от дна к поверхности тигля и сопровождается ростом крис-лов. Скорость роста зависит от скорости испарения.
Зарождение кристаллов происходит самопроизвольно. Чтобы получить несколько хорошо развитых кри-в, процесс следует проводить при малых скоростях роста, когда в слое ра-ра прилегающем к крис-лу отсутствует изменение концентрации и градиент Т имеет малое значение.
28.Выращивание из растворов. Метод повышения концентрации летучего компонента раствора.
М етод является обратным предыдущему и проводиться в ампуле, с таким же распределением Т, но в тигель загружается чистый нелетучий А, а на дне ампулы располагается чистый летучий В (на рис. 2 метод.). После установления grad T по высоте расплава начнется ↑Т3 и создавать в ампуле постоянно повышение Р летучего В. При этом идет растворение В в А и состав образующегося раствора постепенно изменяется от чистого А до раствора заданного состава. При этом составе область раствора, находящейся на дне (Т2) будет равновесием с кристаллом АВ(1-б). Дальнейшее ↑ концентрации в растворе (т.е. ↑Т3), создает пресыщении и приводит к кристаллизации и приводит к кристаллизации соединения.
Метод насыщения отличается от метода испарения тем, что в 1-м случае мы получаем соединения предельного состава АВ(1-б),а во 2-м АВ(1+б). Сочетание 2-х методов позволяет установить границы области существования многих соединений, и позволит определить природу дефектов, которые обуславливают отклеивание от стехиометрического состава АВ.
Д ля выращивания крупных кристаллов требуется очень точная стабилизация Т и большая длительность процесса. Метод подходит к выращиванию эпитаксиальных пленок.
Процесс идет в откаченной ампуле из плавленого кварца, в верхней части вварено плоское стекло из оптического кварца. Подложка, на которую наращивается эпитаксиальный слой покрывается тонкой пленкой нелетучего А. Под ложка располагается в верхней части недалеко от смотрового стекла. В нижней части ампулы располагается небольшая навеска летучего В. Амплитуда, после откачки, запаивается и помещается в 2-х-зонную печь. Печь ӀӀ-для создания требуемого давления паров В. Печь Ӏ- для обеспечения Т проведения процесса. Если по высоте А не будет grad Т, то в результате взаимодействия пара В с жидкостью А поверхность подложки покроется поликристаллической пленкой АВ. Рост монокристаллического слоя не будет обеспечен. Чтобы создать необходимый grad рекомендуется использовать радиационный нагрев поверхности жидкости А.Скорость нагрева печей регулируют таким образом, чтобы обеспечить равенство Р пара В над пленкой и над чистый компонентом. При достижении необходимой Т,Р паров чистого В устанавливается выше равновесного и включают источник нагрева. При током равномерном нагреве поверхности происходит равномерное ее растворение подложки АВ в расплаве А и при этом осуществляется очистка и сглаживание поверхности роста. При выращивании эпитаксиальных пленок все примеси, которые присутствуют на поверхности и внедр-я в растущий кристалл - недостаток. Достоинство: легко получит плоско –параллельную конфигурацию, которая при равномерной скорости нагрева до конечной Т обеспечивает рост пленки равномерной толщины.