- •14. Особенности изучения реального кристаллообразования. Выбор метода выращивания монокристаллов.
- •3. Точечные
- •15.Технология получения монокристаллов. Выращивание монокристаллов из расплава. Характеристики метода.
- •16. Методы нормальной направленной кристаллизации. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •17. Метод Бриджмена. Основные параметры. Достоинства и недостатки. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •18. Методы вытягивания кристаллов из расплава. Метод Чохральского. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •19. Методы вытягивания кристаллов из расплава. Метод Киропулуса. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •20. Методы зонной плавки. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •21. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Метод Вернейля. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •22. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Зонная плавка. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •23. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Метод выращивания с пьедестала. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •24. Выращивание кристаллов из растворов. Требование к растворителю. Основные стадии.
- •25. Выращивание кристаллов из растворов. Метод зонной плавки.
- •26. Выращивание кристаллов из растворов. Гидротермальное выращивание. Основные параметры и требования.
- •27.Выращивание из растворов. Метод испарения летучего растворителя.
- •28.Выращивание из растворов. Метод повышения концентрации летучего компонента раствора.
- •29. Выращивание из растворов. Направленная кристаллизация пересыщенных растворов.
- •30. Выращивание монокристаллов из паровой фазы.
- •1.Метод конденсации паров компонентов.
- •2. Метод диссоциации восстановление газообразующих соединений.
- •3.Метод реакции переноса.
- •3.1.Метод переноса в потоке
- •31. Легирование кристаллов в твердой фазе.
- •32. Легирование кристаллов при выращивании из жидкой фазы.
- •33. Технологические неоднородности состава кристаллов и методы их уменьшения.
- •34. Легирование кристаллов при выращивании из газовой фазы.
- •3.Метод газоразр-го легирования.
- •4.Материалы электрода.
- •35. Особенности стеклообразного состояния и строение стекла. Типы стекол. Температурный интервал стеклования. Теория Лебедева.
- •36. Физико-химические основы стекловарения. Вязкость и поверхностное натяжение стекол и расплавов. Технологическая шкала вязкости.
- •1. Технологические параметры, которые определяют технологию варки стекла.
- •37. Сырьевые материалы для производства стекла. Природное сырье и синтетическое. Основное и вспомогательное сырье. Методы получения синтетического оксида кремния.
- •2 Группы:
- •6.5 Ускорители варки стекла.
- •39. Приготовление шихты. Факторы, влияющие на качество шихты.
- •40.Изготовление шихты для изготовления высокооднородных стекол (метод соосаждения, метод гидролиза, топохимический метод)
- •1.Метод соосаждения.
- •2.Метод гидролиза.
- •3.Топохимический метод
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Силикатообразование. Факторы, влияющие на процесс.
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Стеклообразование. Факторы, влияющие на процесс.
- •43. Стекловарение. Этапы стекловарения. Осветление.
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Этап гомогенизации. Факторы, влияющие на процесс.
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Студка. Факторы, влияющие на процесс.
- •Пороки стекла. Газовые, стекловидные, кристаллические пороки. Методы борьбы с пороками.
- •Формование стекла. Стадии процесса формования.
- •48. Непрерывные и циклические процессы формования стекла.
- •49. Технологические характеристики формования. Текучесть стекломассы. Охлаждение и твердение.
- •50. Способы формования стекла. Вытягивание. Прокатка. Прессование. Выдувание. Центробежное формование. Флоат способ.
- •51. Термическая обработка стекла. Отжиг и закалка стекла.
- •52. Методы получения пленок стекла. Нанесение пленок из жидкой фазы. Нанесение пленок из газовой фазы. Структура и свойства пленок стекла. Дефекты пленок.
- •Ситаллы. Катализаторы кристаллизации. Требования к катализаторам. Механизмы действия катализаторов. Фотоситаллы. Термоситаллы.
- •Технологические стадии получения ситаллов.
22. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Зонная плавка. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
Для получение особо чистых монокристаллов кремния, т.к. обычный метод в лодочке не применим из-за отсутствия материала инертного к кремнию.
Поликристаллический слиток кремния цилиндрической формы крепиться вертикально к двум соосным водоохлаждаемым стоком в герметичной камере. Штоки вращаются с const скоростью и с помощью локального нагрева внизу слитка создается узкая зона расплава. Это сила удерживается силами поверхностного натяжения ( между расплавом и 2-я твердыми поверхностями).
Рисунок: 1 – камера; 2 – шток; 3 –поликристаллический стержень; 4 – зона расплава; 5 –индуктор.
4 – удерживается пока вес расплава меньше, чем силы поверхностного натяжения. Предельная длина зоны зависит от периода материала , (где d – удельный вес расплава; - сила поверхностного натяжения). Передвигая источник нагрева вдоль слитка можно перемещать расплавленную зону и осуществлять направленную кристаллизацию. Монокристалл можно получить с 1- го прохода. Тогда вокруг 1 зажима крепиться монокристаллическая затравка, а в другую поликристаллическая заготовка, а расплавленная зона создается в том месте, где они стыкаются. Для того, чтобы слиток получился правильной геометрической формы штоки должны крутиться в разных направлениях ω=50 об/мин. После продвижение зоны вдоль всего слитка можно вернуть источник в исходное положение и повторить процесс. Таким образом, очистить кристалл от примесей.
Преимущество: выращивание без тигля, нет загрязнений и дефектов вследствие разницы ТКЛР.
Используется для выращивание особо чистых кристаллов и материалов с высокой Тпл, которое обладает высокой реакцией способностью в расплавленном состоянии.
23. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Метод выращивания с пьедестала. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
Вариант бестигельной зонной плавки – метод выращивание монокристалла с пьедестала или гарнисажный метод Чахральского.
Рисунок: 1 –пьедестал; 2 – индуктор; 3 – расплав; 4 – выращивание кристаллов.
Метод заключается в создании расплава на торце переплавленного стержня большого диаметра ( пьедестала) и вытягивание из него кристалла на затравку. Метод называется выращивание из капли, если зона расплава небольшая и из лужи, если большая. По сравнению с бестигельной зонной плавкой расплав более устойчив, но при выращивании крупных кристаллов трудно обеспечить необходимую глубину расплава. Кроме того сложно управлять фронтом кристаллизации и выращивать кристаллы без дислокаций. Преимущество: возможность получения монокристаллов с высокой однородностью распределения примеси по длине и поперченному сечению. Бестигельные методы применяют для тугоплавких пп и диэлектри-х материалов. Разогрев до Тпл может быть улучшен путем увеличения отношения площади поверхности расплава к его объему. Это обеспечивается созданием расплавленного слоя на поверхности затравки.