20. 2. Вопросы

1. Как классифицируются транзисторы?

2. Какие символы используются для классификации тран­зисторов?

3. Для чего служат корпуса транзисторов?

4. Как обозначаются корпуса транзисторов?

5. Как определить, какой вывод у транзистора является базой, эмиттером или коллектором?

22. 3. Основы работы транзистора

Диод является выпрямителем, а транзистор — усили­телем. Транзистор может использоваться различными спо­собами, но основной его функцией является усиление сиг­налов.

К транзистору должно быть правильно приложено на­пряжение смещения для того, чтобы области эмиттера, базы и коллектора взаимодействовали должным образом. При правильно приложенном напряжении смещения эмит- терный переход транзистора смещен в прямом направле­нии, а коллекторный переход — в обратном. Правильно приложенное напряжение смещения на транзистор типа п-р-п показано на рис. 22-5.

Смещение в прямом направлении заставляет электроны течь с эмиттера п-р-п транзистора. Прямое смещение — это положительное напряжение на выводе базы по отношению к эмиттеру. Положительный потенциал базы притягивает электроны, создавая поток электронов из эмиттера. На электроны, притянутые базой, начинает влиять положи­тельный потенциал, приложенный к коллектору. Боль­шинство электронов притягивается к коллектору и к по­ложительному выводу источника тока, создающего обрат­ное смещение. Небольшая часть электронов поглощается областью базы и поддерживает небольшой поток элект­ронов от базы, область базы при этом должна быть пре­дельно тонкой. В правильно смещенном р-п-р транзисто­ре выводы источников тока необходимо поменять места­ми (рис. 22-6).

Разница между п-р-п и р-п-р транзисторами двойная: источники тока имеют противоположную полярность, и направление потока электронов меняется на противопо­ложное.

Как и в диоде, в транзисторе существует потенциальный барьер. В транзисторе потенциальный барьер возникает у перехода эмиттер-база. Для того чтобы электроны могли проходить через этот переход, внешнее смещение должно

Схема смещенного п-р-п транзистора Схема смещенного р-п-р транзистора

Рис. 22-5. Правильно сме- Рис. 22-6. Правильно сме­

Щенный п-р-п транзистор. Щенный р-п-р транзистор.

превышать потенциальный барьер. Величина внутреннего потенциального барьера определяется типом используемо­го полупроводникового материала. Как и в диодах, величи­на внутреннего потенциального барьера составляет 0,3 воль­та для германиевых транзисторов и 0,7 вольта для крем­ниевых.

К переходу коллектор-база транзистора также должен быть приложен положительный потенциал, достаточно вы­сокий для того, чтобы притягивать большинство электро­нов, поставляемых эмиттером. Напряжение обратного сме­щения, приложенное к переходу коллектор-база обычно намного выше, чем напряжение прямого смещения, при­ложенного к переходу эмиттер-база, снабжающего элект­ронами этот источник более высокого напряжения.

4. Чему равна величина потенциального барьера для гер­маниевого и кремниевого транзисторов?

5. Чем отличаются напряжения смещения переходов кол-

лектор-база и эмиттер-база?