- •Серия «учебники и учебные пособия» Эрл д. Гейтс введение в электронику
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Техника безопасности
- •Меры предосторожности при работе с высоким напряжением
- •Раздел 1.
- •Глава 1. Основы электричества
- •3. Вопросы
- •4. Напряжение
- •4. Вопросы
- •5. Сопротивление
- •5. Вопросы
- •Глава 1. Самопроверка
- •Глава 2. Ток
- •1. Электрический заряд
- •V у заряд
- •1. Вопросы
- •2. Протекание тока
- •Шарики от л -
- •Пинг-понга V
- •Электронов.
- •3. Степенное представление чисел
- •Раздел 1 за
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Глава 2
- •Глава 2. Самопроверка
- •Глава 3. Напряжение
- •2. Элементы и батареи
- •4. Приложенное напряжение и падение напряжения
- •4. Вопросы
- •5. Заземление как уровень отсчета напряжения
- •5. Вопросы
- •Глава 3. Самопроверка
- •Глава 4. Сопротивление
- •1. Сопротивления
- •6. Вопрос
- •Глава 4. Самопроверка
- •2. Вопросы
- •93 Глава 5 . Шь
- •Глава 5. Самопроверка
- •Глава 6. Электрические измерения - измерительные приборы
- •6. Отсчет показаний измерительного прибора
- •7. Вопросы
- •Глава 6. Самопроверка
- •1. Вопросы
- •2. Применение мощности (анализ цепей)
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •2. Вопросы
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Глава 7. Самопроверка
- •2. Параллельные цепи
- •3. Вопрос
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Глава 8. Самопроверка
- •1. Вопросы
- •2. Вопросы
- •3. Вопросы
- •4. Применения магнетизма и электромагнетизма
- •157 Глава 9
- •4. Вопросы
- •Глава 9. Самопроверка
- •1. Вопросы
- •2. Катушки индуктивности
- •2. Вопросы
- •3. Постоянная времени l/r
- •3. Вопросы
- •Глава 10. Самопроверка
- •1. Вопросы
- •2. Конденсаторы
- •2. Вопросы
- •3. Вопросы
- •Глава 11. Самопроверка
- •Специальность — электрик
- •1. Получение переменного тока
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •3. Вопросы
- •Глава 12. Самопроверка
- •1. Вопросы
- •2. Осциллографы
- •2. Вопросы
- •3. Частотомеры
- •3. Вопросы
- •Глава 13. Самопроверка
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •3. Параллельные цепи переменного тока
- •4. Вопросы
- •Глава 14. Самопроверка
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •2. Вопросы
- •Глава 15. Самопроверка
- •180 Градусов.
- •1. Вопросы
- •2. Вопросы
- •Глава 16. Самопроверка
- •1. Реактивное сопротивление
- •X 1114 Ом (индуктивное).
- •1. Вопросы
- •2. Вопросы
- •4. Вопрос
- •Глава 17. Самопроверка
- •Глава 18. Трансформаторы
- •1. Вопросы
- •3. Коэффициент трансформации
- •3. Вопросы
- •4. Вопросы
- •Глава 18. Самопроверка
- •Специальность — техник по электронике
- •Глава 19. Основы полупроводников
- •1. Полупроводниковые свойства германия и кремния
- •14 Электронов на орбитах
- •1. Вопросы
- •2. Вопросы
- •3. Проводимость в легированном германии и кремнии
- •3. Вопросы
- •Глава 19. Самопроверка
- •Глава 20. Диоды на основе р-n перехода
- •1. Вопросы
- •2. Смещение диода
- •3. Вопросы
- •5. Вопросы
- •Глава 20. Самопроверка
- •Глава 2 1 Як _________
- •Глава 21. Самопроверка
- •2. Вопросы
- •3. Основы работы транзистора
- •Щенный п-р-п транзистор. Щенный р-п-р транзистор.
- •4. Проверка транзисторов
- •5. Замена транзисторов
- •5. Вопросы
- •Глава 22. Самопроверка
- •1. Вопросы
- •2. Полевые транзисторы с изолированным затвором обедненного типа
- •I Подложка (п)
- •4. Вопросы
- •5. Проверка полевых транзисторов
- •5. Вопросы
- •Раздел 3
- •Глава 23. Самопроверка
- •120 Вольт
- •1. Вопросы
- •I, Управляющий электрод Рис. 24-10. Упрощенная схема конструкции триака.
- •1 120 В диак триак
- •Глава 24. Самопроверка
- •1. Введение в интегральные микросхемы
- •Шлифовка и полировка Установка для эпитаксиального
- •3. Корпуса интегральных микросхем
- •Глава 25. Самопроверка
- •3. Светоизлучающие устройства
- •Глава 26. Самопроверка
- •2. Вопросы
- •4. Вопросы
- •5. Умножители напряжения
- •5. Вопросы
- •6. Устройства защиты цепей
- •Глава 27. Самопроверка
- •Глава 28 Як
- •6. Вопросы
- •I j частоты
- •7. Вопросы
- •Выход Рис. 28-42. Блок-схема операционного усилителя.
- •8. Вопросы
- •Глава 28. Самопроверка
- •1. Основы генераторов
- •1. Вопросы
- •2. Генераторы синусоидальных колебаний
- •2. Вопросы
- •3. Генераторы несинусоидальных колебаний
- •3. Вопросы
- •Глава 29. Самопроверка
- •Глава 30. Цепи формирования сигнала
- •2. Цепи формирования сигнала
- •Диодныи ограничитель со смещением.
- •Перемене полярности диода и источника смещения в смещенном последовательном диодном ограничителе.
- •2. Вопросы
- •3. Цепи специального назначения
- •Глава 30. Самопроверка
- •Цифровые электронные цепи
- •2. Преобразование двоичных чисел в десятичные и наоборот
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •2. Вопросы
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •3. Вопросы
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Глава 31. Самопроверка
- •3. Вопросы
- •4. Элемент не-и
- •4. Вопросы
- •5. Элемент не-или
- •5. Вопросы
- •6. Элементы исключающее или и исключающее не-или
- •6. Вопросы
- •Гпава 32. Самопроверка
- •Глава 33. Простые логические цепи
- •1. Вопросы
- •Глава 33. Самопроверка
- •Глава 34. Последовательные логические цепи
- •1. Триггеры
- •2. Счетчики
- •2. Вопросы
- •0 0 0 0 Потеря данных
- •3. Вопросы
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Глава 34. Самопроверка
- •4. Вопросы
- •Глава 35. Самопроверка
- •1. Основы устройства компьютера
- •В память или ввод/вывод
- •Выбор ячейки памяти
- •1. Вопросы
- •2. Архитектура микропроцессора
- •Дешифратор команд
- •Манд • Указатель
- •2. Вопросы
- •Глава 36. Самопроверка
- •IPjNlPj”
- •Глава 1. Основы электричества
- •Глава 3. Напряжение
- •Глава 4. Сопротивление
- •Глава 5. Закон ома
- •Глава 6. Электрические измерения — измерительные приборы
- •Глава 7. Мощность
- •Глава 8. Цепи постоянного тока
- •Глава 9. Магнетизм
- •Глава 10. Индуктивность
- •Глава 11. Емкость
- •Глава 12. Переменный ток
- •Глава 13. Измерения переменного тока
- •Глава 14. Резистивные цепи переменного тока
- •Глава 15. Емкостные цепи
- •Глава 1c. Индуктивные цепи переменного тока
- •Глава 17. Резонансные цепи
- •Глава 18. Трансформаторы
- •Глава 19. Основы полупроводников
- •Глава 20. Диоды на основе р-п-перехода
- •Глава 21. Стабилитроны
- •Глава 22. Биполярные транзисторы
- •Глава 23. Полевые транзисторы
- •Глава 24. Тиристоры
- •Глава 25. Интегральные микросхемы
- •Глава 26. Оптоэлектронные устройства
- •Глава 27. Источники питания
- •Глава 28. Усилители
- •Глава 29. Генераторы
- •Глава 30. Цепи формирования сигнала
- •Глава 31. Двоичная система счисления
- •Глава 32. Основные логические элементы
- •Глава 33. Простые логические цепи
- •Глава 34. Последовательные логические цепи
- •Глава 35. Комбинационные логические схемы
- •Глава 36. Основы микрокомпьютеров
- •344007, Г. Ростов-на-Дону, пер. Соборный, 17 Тел.: (8632) 62-51-94
- •3. Вопросы
- •5. Вопросы
- •6. Вопросы
- •7. Мультиметры
- •1. Вопросы
- •2. Вопросы
- •2. Вопросы
- •2. Последовательные цепи переменного тока
- •1. Вопросы
- •2. Вопросы
- •4. Меры предосторожности при работе с моп транзисторами
- •2. Вопросы
- •3. Двунаправленные диодные тиристоры
- •3. Вопросы
- •4. Проверка тиристоров
- •4. Вопросы
- •1. Вопросы
- •3. Вопросы
- •1. Вопросы
- •2. Светочувствительные устройства
- •3. Вопросы
- •3. Вопросы
- •4. Регуляторы и стабилизаторы напряжения
- •1. Вопросы
- •3. Вопросы
- •4. Арифметические схемы Сумматор
- •I3. Вопросы
- •4. Цепи rlc
-
2. Вопросы
-
Как чистый германий может поддерживать ток?
-
Когда к чистому германию приложена разность потенциалов, в каком направлении двигаются электроны и дырки?
-
Что определяет величину тока в чистом полупроводниковом материале?
-
3. Проводимость в легированном германии и кремнии
Чистые полупроводники являются объектом, главным образом, теоретического интереса. Основные исследования полупроводников связаны с влиянием добавления примесей в чистые материалы. Если бы этих примесей не было, то большинства полупроводниковых приборов не существовало бы.
Чистые полупроводниковые материалы, такие как германий и кремний, содержат при комнатной температуре небольшое количество электронно-дырочных пар и поэтому могут проводить очень маленький ток. Для увеличения проводимости чистых материалов используется процесс, называемый легированием.
Легирование — это процесс добавления примесей в полупроводниковый материал. Используются два типа примесей. Первая, которая называется пятивалентной, состоит из атомов с пятью валентными электронами. Примерами являются мышьяк и сурьма. Вторая, называемая трехвалентной, состоит из атомов с тремя валентными электронами. Примерами являются индий и галлий.
Когда чистый полупроводниковый материал легируется пятивалентным материалом, таким как мышьяк (As), некоторые атомы полупроводника замещаются атомами мышьяка (рис. 19-6). Атом мышьяка размещает четыре своих валентных электрона в ковалентные связи с соседними атомами. Его пятый электрон слабо связан с ядром и легко может стать свободным.
Атом мышьяка называется донорским атомом, поскольку он отдает свой лишний электрон. В легированном полупроводниковом материале находится много донорских атомов. Это означает, что для поддержки тока имеется много свободных электронов.
При комнатной температуре количество дополнительных свободных электронов превышает количество элект- ронно-дырочных пар. Это означает, что в материале боль
ше электронов, чем дырок. Следовательно, электроны называются основными носителями. Дырки называются неосновными носителями. Поскольку основные носители имеют отрицательный заряд, материал называется полупроводником п-типа.
Рис.
19-6. Кремний, легированный атомом мышьяка.
Когда полупроводниковый материал легирован трехвалентным материалом, таким, как индий (In), атомы индия
Рис.
19-7. Ток в полупроводнике п-типа.
Рис.
19-8. Кремний, легированный атомом индия.
разместят свои три валентных электрона среди трех соседних атомов (рис. 19-8). Это создаст в ковалентной связи дырку.
Наличие дополнительных дырок позволит электронам легко дрейфовать от одной ковалентной связи к другой. Так как дырки легко принимают электроны, атомы, которые вносят в полупроводник дополнительные дырки называются акцепторными.
При обычных условиях количество дырок в таком материале значительно превышает количество электронов. Следовательно, дырки являются основными носителями, а электроны — неосновными. Поскольку основные носители имеют положительный заряд, материал называется полупроводником р-типа.
Если к полупроводнику p-типа приложено напряжение, дырки начинают двигаться по направлению к отрицательному выводу, а электроны — по направлению к положительному выводу (рис. 19-9). Кроме дырок, которые создали акцепторные атомы, возникают дырки, образованные из-за разрыва ковалентных связей, создающие электронно-дырочные пары.
Полупроводниковые материалы n-типа и p-типа имеют значительно более высокую проводимость, чем чистые по-
-
Рис. 19-9. Ток в полупроводнике р-типа.
t Материал р-типа —^ f Ц,,,,нГ !_
лупроводниковые материалы. Эта проводимость может быть увеличена или уменьшена путем изменения количества примесей. Чем сильнее полупроводниковый материал легирован, тем меньше его электрическое сопротивление.