- •Серия «учебники и учебные пособия» Эрл д. Гейтс введение в электронику
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Техника безопасности
- •Меры предосторожности при работе с высоким напряжением
- •Раздел 1.
- •Глава 1. Основы электричества
- •3. Вопросы
- •4. Напряжение
- •4. Вопросы
- •5. Сопротивление
- •5. Вопросы
- •Глава 1. Самопроверка
- •Глава 2. Ток
- •1. Электрический заряд
- •V у заряд
- •1. Вопросы
- •2. Протекание тока
- •Шарики от л -
- •Пинг-понга V
- •Электронов.
- •3. Степенное представление чисел
- •Раздел 1 за
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Глава 2
- •Глава 2. Самопроверка
- •Глава 3. Напряжение
- •2. Элементы и батареи
- •4. Приложенное напряжение и падение напряжения
- •4. Вопросы
- •5. Заземление как уровень отсчета напряжения
- •5. Вопросы
- •Глава 3. Самопроверка
- •Глава 4. Сопротивление
- •1. Сопротивления
- •6. Вопрос
- •Глава 4. Самопроверка
- •2. Вопросы
- •93 Глава 5 . Шь
- •Глава 5. Самопроверка
- •Глава 6. Электрические измерения - измерительные приборы
- •6. Отсчет показаний измерительного прибора
- •7. Вопросы
- •Глава 6. Самопроверка
- •1. Вопросы
- •2. Применение мощности (анализ цепей)
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •2. Вопросы
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Глава 7. Самопроверка
- •2. Параллельные цепи
- •3. Вопрос
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Глава 8. Самопроверка
- •1. Вопросы
- •2. Вопросы
- •3. Вопросы
- •4. Применения магнетизма и электромагнетизма
- •157 Глава 9
- •4. Вопросы
- •Глава 9. Самопроверка
- •1. Вопросы
- •2. Катушки индуктивности
- •2. Вопросы
- •3. Постоянная времени l/r
- •3. Вопросы
- •Глава 10. Самопроверка
- •1. Вопросы
- •2. Конденсаторы
- •2. Вопросы
- •3. Вопросы
- •Глава 11. Самопроверка
- •Специальность — электрик
- •1. Получение переменного тока
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •3. Вопросы
- •Глава 12. Самопроверка
- •1. Вопросы
- •2. Осциллографы
- •2. Вопросы
- •3. Частотомеры
- •3. Вопросы
- •Глава 13. Самопроверка
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •3. Параллельные цепи переменного тока
- •4. Вопросы
- •Глава 14. Самопроверка
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •2. Вопросы
- •Глава 15. Самопроверка
- •180 Градусов.
- •1. Вопросы
- •2. Вопросы
- •Глава 16. Самопроверка
- •1. Реактивное сопротивление
- •X 1114 Ом (индуктивное).
- •1. Вопросы
- •2. Вопросы
- •4. Вопрос
- •Глава 17. Самопроверка
- •Глава 18. Трансформаторы
- •1. Вопросы
- •3. Коэффициент трансформации
- •3. Вопросы
- •4. Вопросы
- •Глава 18. Самопроверка
- •Специальность — техник по электронике
- •Глава 19. Основы полупроводников
- •1. Полупроводниковые свойства германия и кремния
- •14 Электронов на орбитах
- •1. Вопросы
- •2. Вопросы
- •3. Проводимость в легированном германии и кремнии
- •3. Вопросы
- •Глава 19. Самопроверка
- •Глава 20. Диоды на основе р-n перехода
- •1. Вопросы
- •2. Смещение диода
- •3. Вопросы
- •5. Вопросы
- •Глава 20. Самопроверка
- •Глава 2 1 Як _________
- •Глава 21. Самопроверка
- •2. Вопросы
- •3. Основы работы транзистора
- •Щенный п-р-п транзистор. Щенный р-п-р транзистор.
- •4. Проверка транзисторов
- •5. Замена транзисторов
- •5. Вопросы
- •Глава 22. Самопроверка
- •1. Вопросы
- •2. Полевые транзисторы с изолированным затвором обедненного типа
- •I Подложка (п)
- •4. Вопросы
- •5. Проверка полевых транзисторов
- •5. Вопросы
- •Раздел 3
- •Глава 23. Самопроверка
- •120 Вольт
- •1. Вопросы
- •I, Управляющий электрод Рис. 24-10. Упрощенная схема конструкции триака.
- •1 120 В диак триак
- •Глава 24. Самопроверка
- •1. Введение в интегральные микросхемы
- •Шлифовка и полировка Установка для эпитаксиального
- •3. Корпуса интегральных микросхем
- •Глава 25. Самопроверка
- •3. Светоизлучающие устройства
- •Глава 26. Самопроверка
- •2. Вопросы
- •4. Вопросы
- •5. Умножители напряжения
- •5. Вопросы
- •6. Устройства защиты цепей
- •Глава 27. Самопроверка
- •Глава 28 Як
- •6. Вопросы
- •I j частоты
- •7. Вопросы
- •Выход Рис. 28-42. Блок-схема операционного усилителя.
- •8. Вопросы
- •Глава 28. Самопроверка
- •1. Основы генераторов
- •1. Вопросы
- •2. Генераторы синусоидальных колебаний
- •2. Вопросы
- •3. Генераторы несинусоидальных колебаний
- •3. Вопросы
- •Глава 29. Самопроверка
- •Глава 30. Цепи формирования сигнала
- •2. Цепи формирования сигнала
- •Диодныи ограничитель со смещением.
- •Перемене полярности диода и источника смещения в смещенном последовательном диодном ограничителе.
- •2. Вопросы
- •3. Цепи специального назначения
- •Глава 30. Самопроверка
- •Цифровые электронные цепи
- •2. Преобразование двоичных чисел в десятичные и наоборот
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •2. Вопросы
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •3. Вопросы
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Глава 31. Самопроверка
- •3. Вопросы
- •4. Элемент не-и
- •4. Вопросы
- •5. Элемент не-или
- •5. Вопросы
- •6. Элементы исключающее или и исключающее не-или
- •6. Вопросы
- •Гпава 32. Самопроверка
- •Глава 33. Простые логические цепи
- •1. Вопросы
- •Глава 33. Самопроверка
- •Глава 34. Последовательные логические цепи
- •1. Триггеры
- •2. Счетчики
- •2. Вопросы
- •0 0 0 0 Потеря данных
- •3. Вопросы
- •Раздел 1 за 34
- •Глава 2 36
- •Глава 34. Самопроверка
- •4. Вопросы
- •Глава 35. Самопроверка
- •1. Основы устройства компьютера
- •В память или ввод/вывод
- •Выбор ячейки памяти
- •1. Вопросы
- •2. Архитектура микропроцессора
- •Дешифратор команд
- •Манд • Указатель
- •2. Вопросы
- •Глава 36. Самопроверка
- •IPjNlPj”
- •Глава 1. Основы электричества
- •Глава 3. Напряжение
- •Глава 4. Сопротивление
- •Глава 5. Закон ома
- •Глава 6. Электрические измерения — измерительные приборы
- •Глава 7. Мощность
- •Глава 8. Цепи постоянного тока
- •Глава 9. Магнетизм
- •Глава 10. Индуктивность
- •Глава 11. Емкость
- •Глава 12. Переменный ток
- •Глава 13. Измерения переменного тока
- •Глава 14. Резистивные цепи переменного тока
- •Глава 15. Емкостные цепи
- •Глава 1c. Индуктивные цепи переменного тока
- •Глава 17. Резонансные цепи
- •Глава 18. Трансформаторы
- •Глава 19. Основы полупроводников
- •Глава 20. Диоды на основе р-п-перехода
- •Глава 21. Стабилитроны
- •Глава 22. Биполярные транзисторы
- •Глава 23. Полевые транзисторы
- •Глава 24. Тиристоры
- •Глава 25. Интегральные микросхемы
- •Глава 26. Оптоэлектронные устройства
- •Глава 27. Источники питания
- •Глава 28. Усилители
- •Глава 29. Генераторы
- •Глава 30. Цепи формирования сигнала
- •Глава 31. Двоичная система счисления
- •Глава 32. Основные логические элементы
- •Глава 33. Простые логические цепи
- •Глава 34. Последовательные логические цепи
- •Глава 35. Комбинационные логические схемы
- •Глава 36. Основы микрокомпьютеров
- •344007, Г. Ростов-на-Дону, пер. Соборный, 17 Тел.: (8632) 62-51-94
- •3. Вопросы
- •5. Вопросы
- •6. Вопросы
- •7. Мультиметры
- •1. Вопросы
- •2. Вопросы
- •2. Вопросы
- •2. Последовательные цепи переменного тока
- •1. Вопросы
- •2. Вопросы
- •4. Меры предосторожности при работе с моп транзисторами
- •2. Вопросы
- •3. Двунаправленные диодные тиристоры
- •3. Вопросы
- •4. Проверка тиристоров
- •4. Вопросы
- •1. Вопросы
- •3. Вопросы
- •1. Вопросы
- •2. Светочувствительные устройства
- •3. Вопросы
- •3. Вопросы
- •4. Регуляторы и стабилизаторы напряжения
- •1. Вопросы
- •3. Вопросы
- •4. Арифметические схемы Сумматор
- •I3. Вопросы
- •4. Цепи rlc
-
1. Вопросы
-
Дайте определения следующих терминов:
а. Донорный атом;
б. Акцепторный атом;
в. Диод.
-
Что происходит, когда создается контакт материала п-типа и материала р-типа?
-
Как образуется обедненный слой?
-
Что такое потенциальный барьер?
-
Каковы типичные значения потенциального барьера для
германия и кремния?
-
2. Смещение диода
Напряжение, приложенное к диоду, называется напряжением смещения. На рис. 20-3 показан диод на основе р-п перехода, соединенный с источником тока. Резистор добавлен для ограничения тока до безопасного значения.
В изображенной цепи отрицательный вывод источника тока соединен с материалом п-типа. Это заставляет электроны двигаться от вывода по направлению к р-n переходу. Свободные электроны, накопившиеся на р-стороне перехода притягиваются к положительному выводу. Это уменьшает количество отрицательных зарядов на р-стороне, потенциальный барьер уменьшается, что дает возможность для протекания тока. Ток может течь только тогда, когда приложенное напряжение превышает потенциальный барьер.
Рис.
20-3. Диод иа основе р-n
перехода
при прямом смещении.
о~
о-
©- 0- о~
-О
-G
о
-о
~о
р
+ n
1*
Iilili vw -
Поток электронов через p-часть диода притягивается к положительному выводу источника тока. Как только электроны покидают материал р-типа, создаются дырки, которые дрейфуют по направлению к р-n переходу, где они взаимно компенсируются с другими электронами. Когда ток течет от материала n-типа к материалу р-типа, то говорят, что диод смещен в прямом направлении.
Ток, текущий через диод, смещенный в прямом направлении, ограничен сопротивлением материалов р- и п-типа и внешним сопротивлением цепи. Сопротивление диода невелико. Следовательно, подсоединение источника тока к диоду в прямом направлении создает большой ток. При этом может выделиться такое количество тепла, которого достаточно для разрушения диода. Для того, чтобы ограничить ток, последовательно с диодом необходимо включить резистор.
Диод проводит ток в прямом направлении только тогда, когда величина внешнего напряжения больше потенциального барьера. Германиевый диод требует минимальное прямое смещение 0,3 вольта; кремниевый диод — минимальное прямое смещение 0,7 вольта.
Когда диод начинает проводить ток, на нем появляется падение напряжения. Это падение напряжения равно потенциальному барьеру и называется прямым падением напряжения (Ер). Падение напряжения равно 0,3 вольта для германиевого диода и 0,7 вольта для кремниевого диода. Величина прямого тока (IF) является функцией приложенного напряжения (Е), прямого падения напряжения (Е(.) и внешнего сопротивления (R). Это соотношение можно получить с помощью закона Ома:
Т Г,Е~ЕУ
F R
ПРИМЕР: К кремниевому диоду, последовательно соединенному с резистором 150 ом, приложено напряжение смещения 12 вольт. Чему равен прямой ток через диод?
Решение:
Е
= 12 В R
=
150 Ом Ef
=
0,7 В.
IF = 0,075 А или 75 мА.
В диоде, на который подано напряжение смещения в прямом направлении, отрицательный вывод внешнего источника тока соединен с материалом n-типа, а положительный вывод с материалом р-типа. Если эти выводы поменять местами, диод не будет проводить ток и про него говорят, что он смещен в обратном направлении (рис. 20-4). В этой конфигурации свободные электроны в материале n-типа притягиваются к положительному выводу внешнего источника тока, что увеличивает количество положительных ионов в области р-n перехода, а, следовательно, увеличивает ширину обедненного слоя со стороны материала п-типа р-n перехода. Электроны также покидают отрицательный вывод источника тока и поступают в материал р-типа. Эти электроны заполняют дырки вблизи р-n перехода и служат причиной перемещения дырок по направлению к отрицательному выводу, что увеличивает ширину обедненного слоя со стороны материала р-типа р-n перехода. В результате обедненный слой становится шире, чем в несмещенном или смещенном в прямом направлении диоде.
нове
р-n
перехода
при обратном смещении.
О
0 ОО
00
О о
О
ОО
00
О
0
ООО
00
О О
/'Л/Л
0
очень маленький ток, этот ток утечки называется обратным током (1н) и существует благодаря наличию неосновных носителей. При комнатной температуре неосновных носителей очень мало. При повышении температуры создается больше электронно-дырочных пар. Это увеличивает количество основных носителей и ток утечки.
Все диоды с р-n переходом обладают малым током утечки. В германиевых диодах он измеряется в микроамперах; в кремниевых диодах — в наноамперах. Германий имеет больший ток утечки, так как он более чувствителен к температуре. Этот недостаток германия компенсируется его невысоким потенциальным барьером.
Суммируя вышесказанное, можно сказать, что диод на основе р-n перехода является устройством, пропускающим ток только в одном направлении. Когда смещен в прямом направлении — ток течет. Когда смещен в обратном направлении — течет только маленький ток утечки. Это свойство позволяет использовать диод в качестве выпрямителя. Выпрямитель преобразует переменное напряжение в постоянное.
сить пиковое обратное напряжение, то через диод потечет большой обратный ток, создающий избыточный нагрев и повреждающий диод.
При комнатной температуре обратный ток мал. При повышении температуры обратный ток увеличивается, нарушая работу диода. В германиевых диодах обратный ток выше, чем в кремниевых диодах, удваивается при повышении температуры приблизительно на 10 градусов Цельсия.
Анод Катод
N
Рис.
20-5. Схематическое обозначение диода.
части р (против стрелки). Часть п называется катодом, а часть р — анодом.
Катод поставляет, а анод собирает электроны.
На рис. 20-6 показано включение диода, смещенного в прямом направлении. Отрицательный вывод источника тока подсоединен к катоду. Положительный вывод подсоединен к аноду. Это позволяет току течь в прямом направлении. Резистор (Rg) включен последовательно с диодом для ограничения прямого тока до безопасного значения.
На рис. 20-7 показано включение диода, смещенного в обратном направлении. Отрицательный вывод источника
Г
Рис.
20-6. Цепь с диодом, смещенным в прямом
направлении.
j
F
J7
Рис.
20-7. Цепь с диодом, смещенным в
обратном направлении.
J
в
тока подсоединен к аноду. Положительный вывод подсоединен к катоду. Через диод, смещенный в обратном направлении течет малый обратный ток (IR).