-
Увеличение разрядности памяти
Увеличение разрядности памяти осуществляется путем объединения микросхем памяти следующим образом. Выводы адреса (A0 – An) соединяются параллельно по соответствующим разрядам, а выводы CS соединяются между собой. Выводы управления (RD, WR) также соединяются соответственно параллельно. Выводы данных каждой микросхемы не объединяются и являются частью шины данных.
На Рис. 1 .25 приведен пример построения ОЗУ с организацией 1Кх4 на базе микросхем ОЗУ с организацией 1Кх1, а на Рис. 1 .26 приведен пример построения ОЗУ с организацией 2Кх16 на базе микросхем ОЗУ с организацией 2Кх8.
Рис. 1.25 Пример построения 4-х разрядного ОЗУ на базе микросхем одноразрядного ОЗУ
Рис. 1.26 Пример построения 16-ти разрядного ОЗУ на базе микросхем 8-ми разрядного ОЗУ