Реферат

Таблица 4 Сравнение характеристик петлей ФАПЧ

	Наш пример	[5]	[6]	[7]
Архитектура	А (Рис. 1(а))	А (Рис. 1(а))	А (Рис. 1(б))	А (Рис. 1(г))
Технология	0.13 мкм SiGe	0.13 мкм SiGe	0.13 мкм КМОП	0.18 мкм SiGe
Частота (ГГц)	92.7-100.2	86-92	91.8-101	90.9-101.4
Диапазон перестройки (%)	7.8	6.7	9.5	10.9
Фазовый шум на 1 МГц	-102 Дб/Гц	-100 Дб/Гц	-72 Дб/Гц	-92 Дб/Гц
Уровень джиттера (фемтосек)	71.1	119	-	159
Выходная мощность (дБм)	3	-3	-31~-22	-11
Потребление (мВт)	469.3	1150	57	140
Напряжение питания (В)	3.3, 2.5, 1.2	2.5, 1.8	1.5, 0.8	2.5, 1.8
Коэффициент делителя	64	16	512	256
Площадь (мм2)	0.93	1.87	0.87	1.9

Рисунок 12. Рассчитанные и измеренные параметры ГУН. (a) Выходная мощность. (b) Фазовый шум при отстройке на 10 МГц.

Заключение

В данной работе рассмотрены основные этапы проектирования и архитектуры синтезатора частот миллиметрового диапазона, описаны особенности построения системы ФАПЧ, выбор опорного генератора на примере синтезатора на 96 ГГц, выполненного на микросхеме с кремниевой подложкой.

Используемая литература

[1] Shinwon Kang, Graduate Student Member, IEEE, Jun-Chau Chien, Member, IEEE, and Ali M. Niknejad, Fellow, IEEE, «A W-Band low-noise PLL with a fundamental VCO in SiGe for millimeter-wave applications», IEEE, 2014.

[2] В. А. Галкин, «Цифровая мобильная радиосвязь. Учебное пособие для вузов» - М.: Горячая линия – Телеком, 2007.

[3] F. M. Gardner, «Phaselock Techniques», 2005.

[4] Nguyen, Khoa M., Helen Kim, and Charles G. Sodini. “A 76GHz PLL for Mm-wave Imaging Applications.” IEEE MTT International Microwave Symposium Digest 2010 (MTT).1316–1319. © Copyright, 2010.

[5] W. Perndl, H. Knapp, K. Aufinger, T. Meister, W. Simburger, and A. Scholtz, “Voltage-controlled oscillators up to 98 GHz in SiGe bipolar technology,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 39, no. 10, pp. 1773–1777, Oct. 2004.

[6] S. Nicolson et al., “Design and scaling of W-band SiGe BiCMOS VCOs,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 42, no. 9, pp. 1821–1833, Sep. 2007.

[7] N. Pohl, H.-M. Rein, T. Musch, K. Aufinger, and J. Hausner, “SiGE bipolarVCO with ultra-wide tuning range at 80GHz center frequency,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 44, no. 10, pp. 2655–2662, Oct. 2009.