- •А.Н. Сигаев
- •1 Понятие, принципы, задачи и правовая основа орд
- •1.1 Основные черты орд
- •1.2 Задачи орд (ст. 2 фз "Об орд").
- •1.3 Принципы орд (ст. 3 фз "Об орд")
- •1.4 Три группы фз
- •1.5 Законодательные акты иных уровней
- •1.6 Условия и основания проведения орм
- •1.6.1 Основания проведения орм
- •1.7 Оперативно-розыскные мероприятия
- •1.7.1 Опрос
- •1.7.2 Наведение справок
- •1.7.3 Сбор образцов для сравнительного исследования
- •1.7.4 Проверочная закупка
- •1.7.5 Исследование предметов и документов
- •1.7.6 Наблюдение
- •1.7.7 Отождествление личности
- •1.7.8 Обследование
- •1.7.9 Контроль почтовых отправлений, телеграфных и иных сообщений
- •1.7.10 Прослушивание телефонных переговоров
- •1.7.11 Снятие информации с технических каналов связи
- •1.7.12 Оперативное внедрение
- •1.7.13 Контролируемая поставка
- •1.7.14 Оперативный эксперимент
- •1.8 Использование в оперативно-розыскной деятельности специальных технических средств
- •1.8.1. Технические средства обеспечения оперативной работы
- •2 Оптические средства наблюдения.
- •2.1 Оптическая система
- •2.1.1 Зрительные трубы
- •2.1.2 Бинокль
- •2.1.3 Типы биноклей
- •2.1.4 Устройство призменного бинокля
- •2.2 Характеристики биноклей
- •2.2.1 Входной и выходной зрачки
- •2.2.2 Удаление выходного зрачка
- •2.2.3 Поле зрения
- •2.2.4 Разрешающая способность
- •2.2.5 Светосила
- •2.2.6 Сумеречное число
- •2.2.7 Пластика
- •2.3 Некоторые образцы оптических систем наблюдения
- •2.3.3 "Бс 16 х 40", бинокль со стабилизацией изображения
- •2.3.3.1 Назначение
- •2.3.3.2 Конструктивные особенности
- •2.3.4 "Лисд-2м", лазерный измеритель скорости3;
- •2.3.4.1 Назначение
- •2.3.4.2 Конструктивные особенности
- •3 Приборы ночного видения
- •3.1 Роль оптоэлектроники в расширении чувственных возможностей органов зрения
- •3.2 Область применения приборов ночного видения
- •3.2.1 Основные характеристики наблюдательных приборов на основе эоп
- •3.2.1.1 Увеличение
- •3.2.1.2 Угол зрения
- •3.3 Конструкция прибора ночного видения на основе эоп
- •3.3.1 Принцип действия эоп разных поколений
- •3.4 Критерии деления пнв на классы
- •3.4.1 Классификация эоп по поколениям
- •3.4.2 Классы пнв по функциональности
- •3.5 Образцы приборов ночного видения
- •3.5.1 Ночные бинокли: пн-11к7Бинокль ночного видения.
- •3.5.2 Ночные монокуляры: пн-21к-3х
- •3.5.4 Ночные прицелы
- •3.5.5 Бинокль "День-Ночь" бдн-3
- •3.6 Перспективные разработки приборов ночного видения
- •4 Тепловизионные приборы
- •4.1 Тепловое излучение тел10
- •4.2 Разновидности тепловизоров
- •4.3 Приемники излучения длинноволнового ик-диапазона12.
- •4.4 Поглощение лучей атмосферой13.
- •4.5 Технологии датчиков ик-спектра14
- •4.5.1 Основные рабочие характеристики ик-камер.
- •4.5.2 Фотонные приемники.
- •4.5.3 Тепловые приемники
- •4.5.3.1 Микроболометры.
- •4.5.3.2 Пироэлектрические детекторы.
- •4.5.3.3 Термопары и термопили.
- •4.5.3.4 Термооптические датчики RedShift16.
- •4.5.4 Методы охлаждения фотоприемников
- •4.6 Промышленные образцы ик датчиков
- •4.6.1 Неохлаждаемые микроболометры ir 113 Module17
- •4.6.2 Неохлаждаемые микроболометры ir118 Module
- •4.6.3 Охлаждаемые инфракрасные детекторы ir 130 Cooled Module
- •4.6.4 Инфракрасные камеры ir 2150
- •4.6.5 Портативный неохлаждаемый поисковый тепловизир «катран-2м»
- •4.6.6 Наблюдательный прибор «спрут»
- •5 Характеристика технических каналов получения оперативной информации19
- •5.1 Электромагнитные каналы утечки информации
- •5.2 Электрические каналы утечки информации
- •5.3 Съем информации с использованием аппаратных закладок.
- •5.4 Параметрический канал утечки информации
- •5.5 Каналы утечки информации
- •6. Общая характеристика систем передачи информации21
- •6.1 Информация, сообщение, сигнал
- •6.2 Системы связи
- •6.3 Принцип радиосвязи
- •6.4 Классификация диапазонов радиоволн
- •6.5 Понятие об излучении электромагнитных волн
- •6.6 Антенны систем радиосвязи
- •6.6.1 Основные характеристики антенн
- •6.7 Элементы теории распространения радиоволн
- •6.7.1 Декамегаметровые, мегаметровые, гектокилометровые и мириаметровые эмв. Особенности распространения.
- •6.7.2 Гектометровые волны. Особенности распространения.
- •6.7.3 Метровые, дециметровые и сантиметровые волны. Особенности распространения.
- •6.8 Особенности системы радиосвязи
- •6.8.1 Первая особенность радиоканала
- •6.8.2 Вторая особенность радиоканала
- •6.8.3 Третья особенность радиоканала.
- •7. Системы связи подвижной службы. Транкинговые (пучковые) мобильные радиосистемы22
- •7.1 Виды систем связи подвижной службы
- •8. Территориальные (сотовые) системы связи23
- •8.1 Структура сотовых систем связи.
- •8.2 История развития сотовой связи в России
- •8.3 Функциональное построение сотовой сети мобильной связи (ссмс) gsm.
- •8.4 Общая характеристика стандарта gsm
- •8.5 Функционирование сотовой сети связи gsm.
- •8.5.1 Подключение мс (первая регистрация)
- •8.5.2 Отключение мс
- •8.5.3 Входящий вызов
- •8.5.4 Исходящий вызов.
- •8.5.5 Роуминг и обновление данных местонахождения.
- •8.5.6 Эстафетная передача.
- •9 Глобальные мобильные системы спутниковой связи
- •10 Системы персонального радиовызова
- •11 Информационная безопасность
- •11.1 Доктрина информационной безопасности Российской Федерации24
- •12 Предмет защиты информации
- •12.1. Объект защиты информации
- •12.2 Понятие угрозы безопасности
- •12.3 Классификация угроз информационной безопасности
- •13 Средства акустической разведки
- •13.1 История звукозаписи
- •13.2. Негласная звукозапись
- •13.3. Прослушивание телефонных переговоров
- •13.4. Телефонный перехват
- •13.5. Микропередатчики
- •13.6 Проводные микрофонные системы и электронные стетоскопы
- •13.6.1 Проводные микрофонные системы
- •13.6.2 Игольчатые микрофоны и электронные стетоскопы
- •Литература Основная
- •Дополнительная
4.5.2 Фотонные приемники.
Фотонные преобразуют воздействующую ИК-радиацию фотонов в электрический сигнал посредством прямого взаимодействия с атомной решеткой материала детекторов. К ним относятся фоторезисторы (или фотопроводники), фотогальванические p-n-переходы с фотоэлектрическим током, фотодиоды, фотокатодные материалы, фототранзисторы.
Материалы фотонных детекторов включают силицид платины PtSi, а также полупроводниковые устройства на основе материалов InSb, InAs, теллуриды кадмия и ртути HgCdTe или CdHgTe (КРТ), сульфидно-свинцовые PbS, селенидно-свинцовые PbSe и другие материалы.
Для многих из этих материалов характерна относительно узкая спектральная полоса срабатывания и пиковая спектральная чувствительность к определенной длине волны, зависящая от состава материала. Быстродействие и чувствительность этих датчиков является очень высокой, но они требуют глубокого охлаждения до низких температур порядка 77–80 K (в диапазоне значений 4–110 K) для удаления влияния тепловых шумов.
В последнее время были разработаны приемники на квантовых ямах — QWIР-детекторы (Qantum Well Infrared Photo-detector), производимые по технологии молекулярно-лучевой эпитаксии из материалов GaAs/AlxGa1-xAs и некоторых других. Квантовые QWIР-детекторы позволяют детектировать длинноволновый FIR-диапазон 8–14 мкм (и даже более широкий — 6–25 мкм), но для достижения высоких показателей NETD порядка 36 мК для этого типа детекторов также часто, но не всегда, необходимо охлаждение.
4.5.3 Тепловые приемники
Тепловые приемники, поглощая фотоны, изменяют температуру материала детектора и за счет этого — его свойства. К ним относятся болометры и микроболометры, пироэлектрики, термопили, ячейки Голея (вырабатывающие электрический сигнал при тепловом расширении), сверхпроводники (или фотоэлектромагнитные детекторы).
4.5.3.1 Микроболометры.
Болометры в наиболее широком смысле — это приборы для измерения энергии электромагнитного излучения. Болометры, используемые для детектирования ИК-излучения, представляют собой резистивные устройства, чувствительные к нагреву (например, первый известный тепловой болометр Лэнгли включал мостовые платиновые RTD).
Традиционные микроболометры также определяют IR-сигналы в полупроводнике, используя термоэлектрический эффект.
Микроболометр представляет собой форму MEMS-устройства (микроэлектромеханического устройства), которая использует массив малых элементов — детекторов излучения. Каждый элемент детектирования микроболометра включает мембрану, подвешенную над подложкой, для того чтобы обеспечивалась тепловая изоляция. Мембрана содержит температурно-чувствительный элемент, например на основе модификаций оксида ванадия VOx, и два электрода, связывающие температурно-чувствительный материал и ROIC на подложке. Излучаемая ИК-энергия, получаемая каждым детектором микроболометра, увеличивает температуру детектора. Изменение в температуре наводит изменение в сопротивлении каждого детектора, что регистрируется мультиплексирующей интегрированной схемой, размещенной на той же полупроводниковой подложке.
В настоящее время технологиями микроболометров располагают компании Raytheon, Flir, а также некоторые другие — BAE Systems, L-3 Communications, DRS Technologies, InfraredVision Technologies Corp., NEC, Institut National d'Optique (INO), ULIS.