Руководство пользователя (NV8200P)

4640-0137-0001 Ред. A

A-3

А

атом

Будучи наименьшей частью элемента, сохраняющей свойства этого

(atom)

элемента, атом является базовым строительным блоком любого веще-

ства.

Б

блокировка

Функция безопасности, встроенная в различные части установки им-

(interlock)

плантации серии NV-8200P/8250, например, дверцы терминалов,

дверцы приемной станции, крышки и панели. Блокировки деактиви-

руют и разряжают высоковольтные источники при открытии дверец

корпусов или панелей.

В

в реальном времени

Передача данных компьютера со скоростью, достаточной для обеспе-

(real-time)

чения почти мгновенных обновлений. Данные показываются пользо-

вателю почти в тот момент, когда они появляются.

вакуумная камера

Камера с очень низким давлением, используемая для имплантации

(vacuum chamber)

различных легирующих примесей на кремниевые пластины с высокой

степенью равномерности. Три уровня вакуума, от самого высокого

давления до самого низкого давления: низкий вакуум, высокий вакуум

и сверхвысокий вакуум. См. Торр (Torr).

выход

Количество хороших результатов в сравнении с общим числом воз-

(yield)

можных хороших результатов по полупроводниковой пластине.

Например, на полупроводниковой пластине с 100 возможными инте-

гральными схемами: если 70 являются качественными, выход состав-

ляет 70%.

Г

газ

Обычный источник материала для имплантации в поверхность полу-

(gas)

проводниковых пластин.

газовый шкаф

Узел, в котором располагаются газовые баллоны и компоненты систе-

(gas box)

мы подачи газа.

Д

доза

Общее число ионов на квадратный сантиметр имплантации в полу-

(dose)

проводниковой пластине.

G-2

4640-0137-0001 Ред. A

Глоссарий

Цилиндр Фарадея

Компонент, обеспечивающий показания плотности тока пучка. Ци-

(dose cup)

линдр Фарадея отбирает пробы пучка в конце каждой быстрой раз-

вертки для выполнения фактической интеграции дозы, получаемой

полупроводниковой пластиной.

разрядная камера

Корпус, в котором происходит ионизация газа или пара.

(arc chamber)

дуговой разряд

Электрический разряд в зазоре. Дуговой разряд может возникать в

(arcing)

высоковольтном терминале или ионном источнике. Операторы могут

услышать звук дуговового разряд или увидеть его действие на осцило-

графе. Необходимо установить причину повторяющегося дугового

разряда и исправить ситуацию, чтобы предупредить повреждение

установки имплантации.

Е

а.е.м.

Атомные единицы массы. Эквивалент атомной массы элемента. Маг-

(AMU)

нит анализатора сортирует ионы по их а.е.м. Ионы с большей массой

не изменяют направление в достаточной мере, чтобы пройти через

разрешающую апертуру магнита, а ионы с меньшей массой изменяют

направление слишком сильно, чтобы сделать это.

З

загрязнение

Любое инородное вещество в среде обработки полупроводниковых

(contamination)

пластин, которое может вызвать сбой имплантации или повреждение

полупроводниковой пластины.

прижим

прижим (или зажим полупроводниковой пластины (wafer clamp))

(clamp)

удерживает полупроводниковую пластину на держателе во время им-

плантации. Механизм прижима может быть механическим или элек-

тростатическим.

Заряд иона

Число электронов, отсутствующих на внешней оболочке атома.

(charge)

4640-0137-0001 Ред. A

G-3

И

инициализация

Компьютерный алгоритм, запускаемый перед началом определенных

(initialize)

операций для выполнения перевода компонентов в предварительно

заданные положения или условия.

интегральная схема

Готовая электронная схема, включающая высокоточный чип, обычно

(integrated circuit)

кремниевый. Интегральные схемы могут состоять всего из нескольких

транзисторов, конденсаторов, диодов и резисторов или из нескольких

тысяч таких деталей.

интерфейс устройства (ИУ)

Блок электронных компонентов, получающий сигналы управления и

(device interface (DI))

слежения с контроллера и передающий их на соответствующее

устройство и с него. DI приводит в действие соответствующие систе-

мы (например, источник или приемную станцию), направляя команды

на реле, двигатели, соленоиды и другие приводы и собирая данные с

выключателей, датчиков и множества других сенсоров. Пример и ил-

люстрацию см. в подразделе «Общее описание системы управления»

на странице 1-18. См. также сотовый контроллер (cell controller).

ион

Атом с числом обращающихся электронов, большим или меньшим

(ion)

числа протонов, имеющихся в его ядре, что дает ему положительный

(меньше электронов) или отрицательный (больше электронов) заряд.

ионная имплантация

Метод магнитного разделения атомов определенной легирующей

(ion implant)

примеси и их последующего ускорения для внедрения в полупровод-

никовую пластину. Используется вместо термодиффузии, когда тре-

буется контроль малых количеств легирующих примесей.

ионный источник

См. источник (source).

(ion source)

испаритель

Компонент, используемый для нагрева твердого материала для полу-

(vaporizer)

чения паров в качестве источника ионов. Количество получаемого па-

ра (давление газа) зависит от температуры испарителя.

источник

Основа установки имплантации, ионный источник генерирует пучок

(source)

заряженных частиц, используемый для имплантации полупроводнико-

вых пластин.

G-4

4640-0137-0001 Ред. A

Глоссарий

К

контроль глубины

Контроль глубины, на которую имплантируются ионы в полупровод-

(depth control)

никовой пластине. Глубина зависит от энергии пучка и массы ионов.

контроль дозы

Контроль числа атомов легирующей примеси, вводимых в материал

(dose control)

полупроводника.

кремний

Основной элемент, используемый в создании интегральных схем, бла-

(silicon)

годаря его способности регулировать проводимость электрического

тока. Кремний в избытке содержится в песке.

Л

легирующая примесь

Химическая примесь, используемая в интегральных схемах для изме-

(dopant)

нения проводимости.

М

магнит

См. магнит анализатора (analyzer magnet) и магнит источника

(magnet)

(source magnet).

магнит анализатора

Большой электромагнит внутри высоковольтного терминала, который

(analyzer magnet)

осуществляет сепарацию ионов, которые попадут на полупроводнико-

вую пластину, и фокусирует отобранные ионы в прерывателе пучка.

магнит источника

Создание магнитного поля в разрядной камере для повышения эффек-

(source magnet)

тивности ионизации. Магнитное поле отклоняет маршруты электро-

нов от прямой линии на спираль, увеличивая вероятность столкнове-

ния электронов с многочисленными молекулами газа или атомами.

Большее число столкновений означает получение большего числа

ионов при прежнем числе имеющихся электронов, что означает по-

вышение эффективности.

масс-анализ

Сортировка ионов по их атомной массе, или а.е.м. См. а.е.м. (AMU) и

(mass analysis)

магнит анализатора (analyzer magnet).

метка

Небольшая выемка на каждой полупроводниковой пластине, исполь-

(notch)

зуемая в качестве ориентира при позиционировании полупроводнико-

вой пластины для имплантации и измерения результатов имплантации

(для этих целей на полупроводниковых пластинах имеется метка или

плоскость). См. устройство выравнивания (aligner) и (плоскость

(flat).

молекула

Комбинация атомов, соединенных химическими связями. Они могут

(molecule)

состоять из атомов одного элемента, типа природного кислорода (O2)

с 2 атомами кислорода, или из атомов разных элементов, например

BF3, включающего 1 атом бора и 3 атома фтора.

4640-0137-0001 Ред. A

G-5

Н

наклон

Количество градусов, на которые полупроводниковая пластина откло-

(tilt)

няется вперед или назад от вертикали.

напряжение разряда

Разница потенциалов между стенками разрядной камеры и нитью

(arc voltage)

накаливания.

нить накаливания

Скрученный кусок металла, который нагревается для получения сво-

(filament)

бодных электронов для источника; выполняется из вольфрама, такой

же материал используется в нити накаливания ламп накаливания.

О

образцы

Типы материалов или легирующих примесей, имплантируемых в по-

(species)

лупроводниковые пластины.

операционная система

Программное обеспечение, координирующее выполнение всех про-

(operating system)

грамм, работающих на рабочем месте, типа интерфейса оператора и

командной среды системы управления имплантацией.

П

держатель пластин

Посадочная поверхность для полупроводниковой пластины во время

(chuck)

имплантации. Управляется тремя двигателями: двигателем вращения

для поворота полупроводниковой пластины на должный угол закру-

чивания перед имплантацией и во время нее, двигателем наклона для

наклона полупроводниковой пластины под должным углом наклона, и

двигателем сканирования для перемещения полупроводниковой пла-

стины вверх и вниз относительно пучка.

Базовый срез

Плоская поверхность на каждой полупроводниковой пластине, ис-

(flat)

пользуемая в качестве ориентира при позиционировании полупровод-

никовой пластины для имплантации и измерения результатов имплан-

тации (на полупроводниковых пластинах для этих целей имеется

плоскость или метка). См. устройство выравнивания (aligner) и мет-

ка (notch).

по умолчанию

Изначальная установка программной опции, обычно наиболее распро-

(default)

страненная или наиболее требующаяся установка. Можно изменять

установку по умолчанию на другую по желанию.

G-6

4640-0137-0001 Ред. A

Глоссарий

поле

Область на экране, показывающая информацию, относящуюся к

(field)

функционированию машины. Информация является переменной, т.е.

она может изменяться. Поле обычно имеет вид прямоугольного окош-

ка на экране и располагается часто рядом с синим ярлыком. Использу-

ется два типа полей: поля ввода и поля считывания.

полупроводник

Материал типа кремния, который проводит ток хуже, чем проводник

(semiconductor)

типа меди, но лучше непроводящего материала типа дерева. Термин

полупроводник относится также к интегральным схемам, выполнен-

ным из полупроводниковых материалов во время производства.

Поправочные коэффици-

См. ПК (CFs).

енты

(Correction Factors)

проводник

Материал, по которому может протекать электрический ток (медь яв-

(conductor)

ляется хорошим проводником, а дерево плохим проводником). См.

полупроводник (semiconductor).

процессы (фоновые)

Процессы системы управления, протекающие невидимо для пользова-

(daemons)

теля. Они связаны с передачей данных между интерфейсом оператора

и контроллером. Примерами являются предупреждения интерфейса

оператора и считывания рецептов.

пучок

Поток электрически заряженных частиц (ионов), используемый для

(beam)

имплантации полупроводниковых пластин.

Р

разница потенциалов

Разница в электрических зарядах между двумя материалами. Напри-

(potential difference)

мер, система управления поддерживает в разрядной камере напряже-

ние (напряжение разряда) несколько большее, чем напряжение нити

накаливания. Эта разница потенциалов притягивает электроны, уско-

ряя их и повышая эффективность ионизации.

рецепт

Набор инструкций или параметров, касающихся определенного мате-

(recipe)

риала источника, дозы и т.п., который система управления использует

для создания и настройки пучка и имплантации полупроводниковых

пластин.

4640-0137-0001 Ред. A

G-7

С

сканирование по оси x

Горизонтальное сканирование пучком, выполняемое посредством ва-

(x-scan)

рьирования напряжения на сканирующих пластинах.

сканирование по оси y

Вертикальное сканирование пучком, выполняемое посредством пере-

(y-scan)

мещения полупроводниковой пластины (держателя) относительно

пучка.

соленоид

Катушка, которая при пропускании электрического тока работает как

(solenoid)

магнит; используется в качестве переключателя в механическом

устройстве.

контроллер

Устройство типа компьютера, контролирующее функционирование

(cell controller)

установки имплантации посредством передачи сигналов слежения и

управления между программным обеспечением на рабочем месте Sun

и интерфейсами устройств. Пример и иллюстрацию см. в подразделе

«Общее описание системы управления» на странице 1-18. См. интер-

фейс устройства (device interface).

спецификация SEMI SECS

Единый стандарт Международной организации полупроводникового

(SEMI SECS specification)

оборудования и материалов и Стандартов коммуникации полупровод-

никового оборудования.

Т

технологическая камера

Область, в которой происходит имплантация полупроводниковых

(process chamber)

пластин. Компоненты внутри технологической камеры принимают

полупроводниковую пластину из шлюза, помещают ее в ионный пу-

чок и передают имплантированную полупроводниковую пластину

назад в шлюз.

технологический рецепт

См. рецепт (recipe).

(process recipe)

ТМО (типовая модель обо-

Опция, обеспечивающая передачу данных между установкой имплан-

рудования)

тации серии NV-8200P/8250 и головным компьютером. GEM основана

(GEM (Generic Equipment

на стандарте коммуникационного оборудования SEMI (SECS), кото-

Model))

рый определяет интерфейс передачи данных между компьютерами

между единицей заводского оборудования и головным компьютером.

ток разряда

Число электронов, проходящих с нити накаливания на стенки разряд-

(arc current)

ной камеры. В установке ионной имплантации серии NV-8200P/8250

варьируется ток нити накаливания для поддержания тока дуги на

должном уровне.

ток пучка

Число заряженных ионов, переносимых системой транспортировки

(beam current)

пучка. В среднеточных установках имплантации типа NV-8200P/8250

ток пучка обычно измеряется в микроамперах (мА).

G-8

4640-0137-0001 Ред. A