3.2. Виды лабораторных работ на стенде
1. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И ТИРИСТОРОВ
Цель работы:
1. Изучить устройство, принцип действия, систему обозначений, пара- метры и характеристики полупроводниковых диодов, типовые схемы включе- ния и области их применения.
2. Экспериментально исследовать вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодов, указанных в карточке задания, и рассчитать по измеренным характери- стикам их параметры.
3. Изучить устройство, принцип действия, параметры, характеристики, систему обозначений и области применения тиристоров.
4. Экспериментально исследовать ВАХ и параметры тиристоров.
Принципиальные схемы лабораторной работы:
а б
2. ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы:
1. Изучить устройство, режимы работы, принцип действия, схемы вклю-
чения и классификацию биполярных транзисторов (БТ).
2. Экспериментально исследовать статические ВАХ транзисторов и опре-
делить дифференциальные параметры в заданной рабочей точке.
3. Изучить устройство, принцип действия, классификацию, области при-
менения полевых транзисторов (ПТ).
4. Экспериментально исследовать статические ВАХ и рассчитать диффе-
ренциальные параметры полевых транзисторов в заданной рабочей точке.
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Цель работы
1. Изучить характеристики и параметры усилительных каскадов, а также режимы работы и способы задания рабочей точки активных элементов в усили- телях.
2. Экспериментально исследовать основные характеристики и параметры одиночных усилительных каскадов.
