- •Курс лекций
- •Технологии наноэлектроники
- •Молекулярно-лучеваяэпитаксия.
- •Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.
- •Нанолитография.
- •Разрешающая способность.
- •Оптическая литография.
- •Рентгеновская литография.
- •Электронная литография.
- •Ионная литография.
- •Возможности методов литографии в наноэлектронике.
- •Нанопечатная литография.
- •Процессы травления в нанотехнологии.
- •Процессы самосборки повторяющихся структур.
- •Самосборка в объемных материалах.
- •Самосборка при эпитаксии.
- •Пленки пористых материалов.
- •Пленки пористого кремния.
- •Пленки пористого оксида алюминия.
- •Пленки поверхностно-активных веществ.
- •Основные определения и механизмы.
- •Осаждение пленок пав.
- •Пленки на основе коллоидных растворов.
- •Основные определения и свойства.
- •Золь-гель технология.
- •Методы молекулярного наслаивания и атомно-слоевой эпитаксии.
- •Зондовые нанотехнологии.
- •Физические основы зондовой нанотехнологии.
- •Контактное формирование нанорельефа.
- •Бесконтактное формирование нанорельефа.
- •Локальная глубинная модификация поверхности.
- •Межэлектродный массоперенос.
- •Электрохимический массоперенос.
- •Массоперенос из газовой фазы.
- •Локальное анодное окисление.
- •Стм-литография.
- •Методы исследования наноструктур.
- •Сканирующая зондовая микроскопия.
- •Сканирующая туннельная микроскопия.
- •Атомно-силовая микроскопия.
- •Ближнепольная сканирующая оптическая микроскопия.
- •Масс-спектроскопия атомов и молекул.
- •Определения и возможности.
- •Конструкции масс-анализаторов.
- •Вторично ионная масс-спектроскопия.
- •Электронные микроскопы.
- •Просвечивающие электронные микроскопы.
- •Растровые электронные микроскопы.
- •Метод дифракции медленных электронов (дмэ).
- •Метод дифракции отраженных быстрых электронов (добэ).
- •Оже-электронная спектроскопия.
- •Фото-электронная спектроскопия.
- •Полевая эмиссионная микроскопия.
- •Эллипсометрия.
- •Конфокальная сканирующая оптическая микроскопия.
- •Радиоспектроскопия.
- •Электронный парамагнитный резонанс.
- •Ядерный магнитный резонанс.
- •Ядерный квадрупольный резонанс.
- •Рентгено-структурный анализ.
- •Метод Лауэ.
- •Метод Дебая-Шеррера.
- •Компьютерный метод дш.
Радиоспектроскопия.
Радиоспектроскопия представляет с обои метод исследования резонансных спектров поглощения различных веществ в диапазоне радиоволн с целью получения информации о внутренней структуре твердых, жидких и газообразных тел, а также качественного и количественного химического анализа, определения структуры примесей и дефектов.
Резонансное поглощение в диапазоне радиоволн связано с индуцированными переходами между уровнями энергии Ei , Ej атомов, молекул, атомных ядер при выполнении условия для интервала энергии ΔE= Ei – Ej = hv, где h — постоянная Планка, v — частота радиоволны.
Существует множество физических процессов, в которых формируются такие интервалы энергии:
- при взаимодействии магнитных моментов электронов и ядер с внешним магнитным полем (эффект Зеемана, электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), ядерный магнитный резонанс (ЯМР);
- при взаимодействии квадрупольных моментов ядер с градиентом внутри кристаллического поля (ядерный квадрупольный резонанс);
- при взаимодействии магнитных моментов электронов и ядер (сверхтонкое расщепление уровней энергии);
- при туннелировании атомов, ионов в кристаллах и стеклах; при коллективном взаимодействии электронов в магнитоупорядоченных веществах (ферромагнитный резонанс);
- при движении электронов проводимости в магнитном поле (циклотронный резонанс).
В методе радиоспектроскопии для получения спектров исследуемое вещество помещают в объемный резонатор и подвергают воздействию соответствующей компоненты электромагнитного поля. Известно несколько наиболее распространенных методик исследования вещества.
Электронный парамагнитный резонанс.
Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) — метод радиоскопического исследования парамагнитного вещества, парамагнетизм которого обусловлен спинами электронов, на основе явления резонансного поглощения излучения радиочастотного диапазона (109 Гц - 1012 Гц).
Источником возникновения магнитного момента служит неспаренный спин или отличный от нуля суммарный спин электронов. В постоянном магнитном поле возникает система магнитных подуровней, между которыми возможны переходы с известными интервалами энергий. Резонанс наступает при выполнении условия, которое для одного электрона имеет вид hv = gβH, где g — фактор спектроскопического расщепления, β = 9,27∙10-21 эрг/Э — магнетон Бора, магнитное постоянное поле Н = 103 Э - 104 Э.
С помощью методики ЭПР возможно наблюдение сверхтонкого расщепление спектра за счет взаимодействия спина электрона со спином ядра. ЭПР используется для изучения поверхности твердых тел, фазовых переходов, неупорядоченных систем, структурных дефектов, межслойных образований, процессов рекомбинации.
Ядерный магнитный резонанс.
Ядерный магнитный резонанс (ЯМР) — метод радиоскопического исследования вещества при резонансном поглощении электромагнитной энергии, обусловленном ядерным парамагнетизмом.
ЯМР наблюдается в сильном магнитном поле Н0 при одновременном воздействии на образец слабого перпендикулярного радиочастотного магнитного поля Н1 Я, (рис. 1,14).
У ядер имеются спины I, которые формируют моменты количества движения J = h∙I, а также магнитные моменты μ = γя∙ J = γя∙ h∙I, где γя — гиромагнитное отношение ядер. При взаимодействии постоянного магнитного поля Н0 с магнитным моментом ядра μ возникает прецессия ядра с резонансной частотой ω0 = γя ∙ Н0 . При Н0 = 104 Э для протонов значение частоты составляет около 42 МГц, а для других ядер в пределах 1 МГц - 10 МГц. Резонанс обнаруживается поглощением электромагнитной энергии и возникновением ЭДС в катушке, окружающей образец.
Методы ЯМР используются для изучения структуры и состава химических соединений, при исследовании динамики и механизмов химических реакций. По спектрам ЯМР можно определить вид и расположение атомов, окружающих парамагнитное ядро, электронную структуру и характер внутримолекулярных взаимодействий. Метод ЯМР применяется для изучения процессов адсорбции газов и жидкости поверхностью полупроводников.