7)Полевые транзисторы

Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, в котором ток создаётся только основными носителями зарядов под действием продольного электрического поля, а управляющее этим током осуществляется поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным к управляющему электроду.

Вывод полевого транзистора, от которого истекают основные носители зарядов, называетсяистоком.

Вывод полевого транзистора, к которому стекают основные носители зарядов, называется стоком.

Вывод полевого транзистора, к которому прикладывается управляющее напряжение, создающее поперечное электрическое поле называетсязатвором.

На затвор всегда подаётся такое напряжение, чтобы переходы закрывались. Напряжение между стоком и истоком создаёт продольное электрическое поле, за счёт которого через канал движутся основные носители зарядов, создавая ток стока.

1. При отсутствии напряжения на затворе p-n переходы закрыты собственным внутренним полем, ширина их минимальна, а ширина канала максимальна и ток стока будет максимальным. Uзи = 0; Ic1 = max.

2. При увеличении запирающего напряжения на затворе ширина p-n переходов увеличивается, а ширина канала и ток стока уменьшаются. |Uзи| > 0; Ic2 < Ic1.

3. При достаточно больших напряжениях на затворе ширина p-n переходов может увеличиться настолько, что они сольются, ток стока станет равным нулю.

Напряжение на затворе, при котором ток стока равен нулю, называется напряжением отсечки. |Uзи| >> 0; Ic3 = 0.

Вывод: полевой транзистор представляет собой управляемый полупроводниковый прибор, так как, изменяя напряжение на затворе, можно уменьшать ток стока и поэтому принято говорить, что полевые транзисторы с управляющими p-n переходами работают только в режиме обеднения канала. Стокозатворная характеристика — это зависимость тока стока (Ic) от напряжения на затворе (Uси). Стоковая характеристика — это зависимость Ic от Uси при постоянном напряжении на затворе. Ic = f(Uси) при Uзи = сonst. Осн.параметры: Напряжение отсечки. Крутизна стокозатворной характеристики. Внутреннее сопротивление . Входное сопротивление.

8)Тиристоры: динисторы, тринисторы, симисторы,

Тиристором называется четырёхслойный полупроводниковый прибор, состоящий из последовательно чередующихся областей p- и n — типов проводимости. Динисторы — это диодные тиристоры, или неуправляемые переключательные диоды.Тринисторы — это управляемые переключательные диоды.Симисторы — это симметричные тиристоры, т. е. тиристоры с симметричной ВАХ.

Динисторы. Наружная p-область и вывод от неё называется анодом. Наружная n-область и вывод от неё называется катодом. Внутренние p- и n-области называются базами динистора. Крайние p-n переходы называются эмиттерными, а средний p-n переход называется коллекторным.

Подадим на анод «–», а на катод «+». При этом эмиттерные переходы будут закрыты, коллекторный открыт. Основные носители зарядов из анода и катода не смогут перейти в базу, поэтому через динистор будет протекать только маленький обратный ток, вызванный не основными носителями заряда.

Если на анод подать «+», а на катод «–», эмиттерные переходы открываются, а коллекторный закрывается. При увеличении напряжения до определённой величины происходит электрический пробой коллекторного перехода. Сопротивление динистора резко уменьшается,

ток через него сильно увеличивается и падение напряжения на нём значительно уменьшается. Считается, что динистор перешёл из выключенного состояния во включённое. Динисторы применяются в виде бесконтактных переключательных устройств, управляемых напряжением.

Тринисторы.

Тринисторы можно включать при напряжениях, меньших напряжения включения динистора.Для этого достаточно на одну из баз подать дополнительное напряжение таким образом, чтобы создаваемое им поле совпадало по направлению с полем анода на коллекторном переходе.

Можно подать ток управления на вторую базу, но для этого на управляющий электрод необходимо подавать напряжение отрицательной полярности относительно анода, и поэтому различают тринисторы с управлением по катоду и с управлением по аноду.

Симимсторы

Подадим положительное напряжение на области p1, n1, а отрицательное на области p2, n3. Структура симистора будет представлять собой области p1, n2, p2, n3, где p1 будет выполнять функции анода, а n3 — катода при прямом включении.

Подадим напряжение плюсом на области p2, n3, а минусом на области p1, n1. Структура симистора будет иметь вид p2-n2, p1-n1, где область p2, будет являться анодом, а n1 — катодом. В результате будет получаться структура в прямом включении, но при обратном напряжении.