- •1) История развития электроники
- •3) Полупроводниковые резисторы
- •4) Полупроводниковые диоды
- •2. По мощности:маломощные;средней мощности;мощные.
- •3. По частоте:низкочастотные;высокочастотные;свч.
- •4. По функциональному назначению: выпрямительные диоды;импульсные диоды;стабилитроны;варикапы;светодиоды;тоннельные диоды
- •5)Биполярные транзисторы
- •6)Основные характеристики и h-параметры для схемы включенияБт с оэ
- •7)Полевые транзисторы
- •3. При достаточно больших напряжениях на затворе ширина p-n переходов может увеличиться настолько, что они сольются, ток стока станет равным нулю.
- •8)Тиристоры: динисторы, тринисторы, симисторы,
- •9) Оптоэлектронные приборы
- •10)Маркировка и обозначение полупроводниковых приборов приборов
- •11)Источники вторичного электропитания
- •12)Однофазные и трёхфазные выпрямители.
- •13)Стабилизаторы напряжения и тока
- •14) Однофазные и трёхфазные управляемые выпрямители
- •15)Инверторы. Автономные инверторы(напряжения,тока,резонансные)
- •16)Основные параметры и характеристики усилителей
- •2. Динамический диапазон
- •17) Однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе по схеме с оэ.
- •18)Многокаскадные усилители. Межкаскадные связи.
- •19) Усилители постоянного тока(упт)
- •20)Операционный усилитель
- •21)Использование операционного усилителя для построения аналоговых схем.
- •22)Параметры импульсного сигнала
- •23)Ключевой режим работы транзистора.
- •24)Генераторы гармонических колебаний
- •2.Баланс амплитуд
- •25)Логические элементы.
- •26) Шифратор и дешифратор
- •27) Мультиплексоры и демультиплексоры
- •28)Сумматоры
- •29)Асинхронный и синхронный rs-триггеры на лэ
- •30)D-,t-, jk-триггеры
1) История развития электроники
Электроника — наука о взаимодействии заряженных частиц с электромагнитными полями и методах создания электронных приборов и устройств, работа которых основана на прохождении электрического тока в твёрдом теле, вакууме и газах.
1 этап. К первому этапу относится изобретение в 1874 году русским инженером Ладыгиным лампы накаливания.
Открытие в 1874 году немецким ученым Брауном выпрямительного эффекта в контакте металл-полупроводник. Попов изобрел радио 7 мая 1895 г. чувствительности.
2этап. Второй этап развития электроники начался с 1904 г. когда английский ученый Джон Флеминг сконструировал электровакуумный диод.
Основными частями диода являются два электрода находящиеся в вакууме. Металлический анод (А) и металлический катод (К) нагреваемый электрическим током до температуры при которой возникает термоэлектронная эмиссия.
3 этап. Третий период развития электроники — это период создания и внедрения дискретных полупроводниковых приборов.
Первый полевой транзистор был запатентован в США в 1926/30 гг., 1928/32 гг. и 1928/33 гг. Лилиенфельд — автор этих патентов.
23 декабря 1947 г. сотрудниками лаборатории «Белл Телефон» — Бардиным и Браттейном, под руководством Шокли продемонстрирован работающий точечный биполярный транзистор.
4 этап. В 1960 году Роберт Нойс из фирмы Fairchild предложил и запатентовал идею монолитной интегральной схемы (Патент США 2981877) и применив планарную технологию изготовил первые кремниевые монолитные интегральные схемы.
Первый микропроцессор «Интел-4004», 1971 г.
2)Электронно-дырочный p-n переход и его свойства
Ввиду неравномерной концентрации на границе раздела p и n полупроводника возникает диффузионный ток, за счёт которого электроны из n-области переходят в p-область, а на их месте остаются некомпенсированные заряды положительных ионов донорной примеси.
Электроны, приходящие в p-область, рекомбинируют с дырками, и возникают некомпенсированные заряды отрицательных ионов акцепторной примеси. Ширина p-n перехода – десятые доли микрона. На границе раздела возникает внутреннее электрическое поле p-n перехода, которое будет тормозящим для основных носителей заряда и будет их отбрасывать от границы раздела.
Свойство односторонней проводимости p-n перехода нетрудно рассмотреть на вольтамперной характеристике.
Вольтамперной характеристикой (ВАХ) называется графически выраженная
зависимость величины протекающего через p-n переход тока от величины приложенного напряжения I=f(U).
Будем считать прямое напряжение положительным, обратное –отрицательным.
Температурное свойство p-n перехода показывает, как изменяется работа p-n перехода при изменении температуры. На p-n переход в значительной степени влияет нагрев, в очень малой степени –охлаждение. При увеличении температуры увеличивается генерация носителей заряда, что приводит к увеличению как прямого, так и обратного тока.
Частотные свойства p-n перехода показывают, как работает p-n переход при подаче на него переменного напряжения высокой частоты. Частотные свойства p-n перехода определяются двумя видами ёмкости перехода:
- ёмкость, обусловленная неподвижными зарядами ионов донорной
и акцепторной примеси. Она называется зарядной, или барьерной ёмкостью; - диффузионная ёмкость, обусловленная диффузией подвижных носителей заряда через p-n переход при прямом включении.
При увеличении обратного напряжения энергия электрического поля становится достаточной для генерации носителей заряда. Это приводит к сильному увеличению обратного тока. Явление сильного увеличения обратного тока при определённом обратном напряжении называется электрическим пробоем p-n перехода