5)Биполярные транзисторы

Транзистором называется полупроводниковый преобразовательный прибор, имеющий не менее трёх выводов и способный усиливать мощность.

Классификация транзисторов производится по следующим признакам:

По материалу полупроводника — обычно германиевые или кремниевые;

По типу проводимости областей (только биполярные транзисторы): с прямой проводимостью (p-n-p — структура) или с обратной проводимостью (n-p-n — структура);

По принципу действия транзисторы подразделяются на биполярные и полевые (униполярные);

По частотным свойствам:НЧ (<3 МГц);СрЧ (3÷30 МГц);ВЧ и СВЧ (>30 МГц);По мощности. Маломощные транзисторы ММ (<0,3 Вт), средней мощности СрМ (0,3÷3Вт), мощные (>3 Вт).

Основой биполярного транзистора является кристалл полупроводника p-типа или n-типа проводимости, который также как и вывод от него называется базой.

p-n переход между коллектором и базой называют коллекторным переходом, а между эмиттером и базой — эмиттерным переходом

При работе транзистора в усилительном режиме эмиттерный переход открыт, а коллекторный — закрыт. Это достигается соответствующим включением источников питания.

Из трёх выводов транзистора на один подаётся входной сигнал, со второго — снимается выходной сигнал, а третий вывод является общим для входной и выходной цепи. Таким образом, рассмотренная выше схема получила название схемыс общей базой.

.Достоинства — хорошие температурные и час тотные свойства. Недостатки: Схема не усиливает ток. Малое входное сопротивление. Два разных источника напряжения для питания

Схема включения с общим эмиттером.

Достоинства: Большой коэффициент усиления по току. Бóльшее, чем у схемы с общей базой, входное сопротивление.Для питания схемы требуются два однополярных источника, что позволяет на практике обходиться одним источником питания. Недостатки: худшие, чем у схемы с общей базой, температурные и частотные свойства.

Схема включения с общим коллектором

Недостатком схемы является то, что она не усиливает напряжение — коэффициент усиления чуть меньше 1

6)Основные характеристики и h-параметры для схемы включенияБт с оэ

Динамическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором в выходной цепи стоит нагрузочный резистор, за счёт которого изменение входного тока или напряжения будет вызывать изменение выходного напряжения

В зависимости от состояния p-n переходов транзисторов различают 3 вида его работы: Режим насыщения — это режим, когда оба перехода — и

эмиттерный, и коллекторный открыты, в транзисторе происходит свободный переход носителей зарядов, ток базы будет максимальный, ток коллектора будет равен току коллектора насыщения. Линейный режим — это режим, при котором эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт. Режим отсечки. Это режим, при котором оба его перехода закрыты (и эмиттерный и коллекторный). Ток базы в этом случае равен нулю. Ток коллектора будет равен обратному току.

Ключевым режимом работы транзистора называется такой режим, при котором рабочая точка транзистора скачкообразно переходит из режима отсечки в режим насыщения и наоборот, минуя линейный режим

Эквивалентная схема транзистора с ОЭ

Всистеме h-параметров в виде независимых переменных приняты входной ток и выходное напряжение. В этом случае зависимые переменные

U1 = f(I1, U2); I2 = f(I1, U2).

h11 — это входное сопротивление транзистора

h12 —коэффициент обратной связи

h21 — коэффициент усиления по току

h22 — выходная проводимость на холостом ходу во входной цепи.