6) Эмиттер- это электрод ,который обеспечивает транзисторы носителями заряда.

Коллектор-принемает носителей заряда ,которые выходят из эмиттера.

База- приводит в порядок движения ностилей заряда от эмиттора к коллектору. А так же он управляющий и распределяющий электрод транзистора.

Инжекция — физическое явление, наблюдаемое в полупроводниковых p-n-переходах или гетеропереходах, при котором при пропускании электрического тока в прямом направлении через p-n-переход в прилежащих к переходу областях создаются высокие концентрации неравновесных («инжектированных») носителей заряда. Явление инжекции является следствием уменьшения высоты потенциального барьера в p-n-переходе при подаче на него прямого смещения.

Экстракций- (втягивание)-назначение коллектора.

7) Пассивные элементы электроники

Резисторы - это наиболее распространенные компоненты электронной аппаратуры, с помощью которых осуществляется регулирование и распределение электрической энергии между цепями и элементами схем.

Конденсаторы по применению в электронной аппаратуре занимают второе место после резисторов. Принцип работы конденсаторов основан на их способности накапливать электрический заряд на обкладках при приложении к ним разности потенциалов. К основным параметрам конденсаторов относятся номинальное значение емкости конденсатора и допустимое отклонение действительной емкости от номинального значения

Катушками индуктивности называют элементы аппаратуры, предназначенные для запасания энергии электромагнитного поля.

Трансформатор – это электромагнитное устройство, имеющее две или более индуктивно связанные обмотки, которое предназначено для преобразования посредством электромагнитной индукции одной или нескольких систем переменного тока в одну или несколько других систем переменного тока.

8) Полевые транзисторы применяются для усиления мощности. Они практические не потребляют из входной цепи. Выдающиеся примеры устройств, построенных на полевых транзисторах, — наручные кварцевые часы и пульт дистанционного управления для телевизора.

Контакт,через который носители заряда входят в канал называется- И-с током.

Контакт, ч к н з вытикают назыв- С-с током

Общий электрод от контактных областей назыв З(затвором).

Основные параметры:

1. Крутизна характеристики: крутизна характеризует управляющее действие затвора. Этот параметр определяют по управляющим характеристикам

2. Внутреннее (выходное) сопротивление : Этот параметр представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком (сопротивление канала) для переменного тока. На пологих участках выходных характеристик достигает сотен и оказывается во много раз больше сопротивления транзистора по постоянному току .

3. Коэффициент усиления : Коэффициент усиления показывает, во сколько раз сильнее действует на ток стока изменение напряжения затвора, нежели изменение напряжения стока.

4. Входное сопротивление : поскольку током затвора является обратный ток p-n-перехода, который очень мал, то входное сопротивление оказывается очень большим, что является основным достоинством полевого транзистора.

5. Входная емкость между затвором и истоком , которая является барьерной емкостью p-n-перехода и может составлять единицы – десятки в зависимости от способа изготовления полевого транзистора.

9)

10) Диод— двухэлектродный электронный прибор, обладает различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электрод диода, подключённый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключённый к отрицательному полюсу — катодом.

Несмотря на интенсивное развитие микроэлектроники, дискретные полупроводниковые приборы, и в частности различные группы диодов, находят широкое применение в радиоэлектронной аппаратуре. Диоды широко используются для преобразования переменного тока в постоянный. Диоды в сочетании с конденсаторами применяются для выделения низкочастотной модуляции из амплитудно-модулированного радиосигнала или других модулированных сигналов. Диоды применяются также для защиты разных устройств от неправильной полярности включения и т. п. Применяются для коммутации высокочастотных сигналов.

11) Параллельное соединение нескольких конденсаторов. В этом случае напряжения, подводимые к отдельным конденсаторам, одинаковы: U1 = U2 = U3 = U. Заряды на обкладках отдельных конденсаторов: Q1 = C1U, Q2 = C2U, Q3 = C3U, а заряд, полученный от источника Q = Q1 + Q2 + Q3.

При последовательном соединении конденсаторов на обкладках отдельных конденсаторов электрические заряды по величине равны: Q1 = Q2 = Q3 = Q

Последовательное соединение резисторов:

Параллельное соединение резисторов:

Параллельное соединение индуктивности:

Последовательное соединение индуктивности:

12) Полупроводниковый диод — полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами (электродами). В отличие от других типов диодов, принцип действия полупроводникового диода основывается на явлении p-n-перехода.

Плоскостные p-n-переходы для полупроводниковых диодов получают методом сплавления, диффузии и эпитаксии.[1]

Основные характеристики и параметры диодов

Диод ДГ-Ц25. 1959 г.

Вольт-амперная характеристика

Постоянный обратный ток диода

Постоянное обратное напряжение диода

Постоянный прямой ток диода

Диапазон частот диода

Дифференциальное сопротивление

Ёмкость

Пробивное напряжение

Максимально допустимая мощность

Максимально допустимый постоянный прямой ток диода

13)

14) Маркировка резисторов с проволочными выводами

Маркировка(для годировки):

1)К-постоянный; КТ-подстроечный; КП-переменный;

2)Диэлектрик

3)Номер разработки

4)емкость

5)напряжение

6)допустимое отклонение

7)ТКЕ

Маркировки бывают и цветными

Резисторы, в особенности малой мощности — чрезвычайно мелкие детали. Прочитать на такой детали номинал с десятичной запятой невозможно. Поэтому, при указании номинала вместо десятичной точки пишут букву, соответствующую единицам измерения (К — для килоомов, М — для мегаомов, E или R для единиц Ом). Однако и в таком виде читать номиналы трудно. Поэтому, для особо мелких резисторов применяют маркировку цветными полосками.

Для резисторов с точностью 20 % используют маркировку с тремя полосками, для резисторов с точностью 10 % и 5 % маркировку с четырьмя полосками, для более точных резисторов с пятью или шестью полосками. Первые две полоски всегда означают первые два знака номинала. Если полосок 3 или 4, третья полоска означает десятичный множитель, то есть степень десятки, которая умножается на двузначное число, указанное первыми двумя полосками. Если полосок 4, последняя указывает точность резистора. Если полосок 5, третья означает третий знак сопротивления, четвёртая — десятичный множитель, пятая — точность. Шестая полоска, если она есть, указывает температурный коэффициент сопротивления (ТКС). Если эта полоска в 1,5 раза шире остальных, то она указывает надёжность резистора (% отказов на 1000 часов работы).

Следует отметить, что иногда встречаются резисторы с 5-ю полосами, но стандартной (5 или 10 %) точностью. В этом случае первые две полосы задают первые знаки номинала, третья — множитель, четвёртая — точность, а пятая — температурный коэффициент.

Для малогабаритных конденсаторов и резисторов кроме полной маркировки часто используют кодированное обозначение, которое состоит из букв и цифр, определяющих для конденсаторов: ТКЕ, номинальную емкость, допустимое отклонение емкости от номинала, рабочее напряжение.

На самих конденсаторах могут использоваться русские и латинские буквы для обозначения множителя величины:

П или р — пикофарады (10^(-12) Ф); Н или n — нанофарады (10^(-9) Ф);

М или (J,— микрофарады (10^(-6) Ф); И или m —миллифарады(10^(-3) Ф);

Ф или F — фарады.

Эти буквы используются в качестве запятых при указании дробных значений емкости, например: ЗНЗ или ЗnЗ — 3300 пФ (в резисторах аналогично).

15) УГО биполярных транзсторов

16) Стабилитрон (диод Зенера) — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока.

В основе работы стабилитрона лежат два механизма:

Лавинный пробой p-n перехода

Туннельный пробой p-n перехода

Виды стабилитронов:

прецизионные — обладают повышенной стабильностью напряжения стабилизации,

двусторонние — обеспечивают стабилизацию и ограничение двухполярных напряжений, быстродействующие — имеют сниженное значение барьерной ёмкости и малую длительность переходного процесса, что позволяет стабилизировать и ограничивать кратковременные импульсы напряжения.

Параметры

Напряжение стабилизации — значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации.

Температурный коэффициент напряжения стабилизации — величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации.

Дифференциальное сопротивление — величина, определяемая отношением приращения напряжения стабилизации к вызвавшему его малому приращению тока в заданном диапазоне частот.

Максимально допустимая рассеиваемая мощность — максимальная постоянная или средняя мощность, рассеиваемая на стабилитроне, при которой обеспечивается заданная надёжность.

Минимально допустимый ток стабилизации - минимальный ток, при котором гарантируется ввод p-n-перехода стабилитрона в режим устойчивого пробоя

17) Статестические характеристики полевых транзисторов:

риведены ВАХ полевых транзисторов, включенных по схеме с ОИ: с управляющим р-n-переходом (а, б); МДП-транзистора с индуцированным каналом (в, г) и МДП-транзистора со встроенным каналом (д, е) (все три типа транзисторов имеют канал n-типа). Основными характеристиками полевого транзистора являются: выходные (стоковые) – Iс = f(Uси) при Uзи = const и характеристики передачи (cток-затворные) – Iс = f(Uзи) при Uси = cоnst.

18) Рези́стор (англ. resistor, от лат. resisto — сопротивляюсь), — пассивный элемент электрической цепи, в идеале характеризуемый только сопротивлением электрическому току, то есть для идеального резистора в любой момент времени должен выполняться закон Ома для участка цепи: мгновенное значение напряжения на резисторе пропорционально току проходящему через него . На практике же резисторы в той или иной степени обладают также паразитной ёмкостью, паразитной индуктивностью и нелинейностью вольт-амперной характеристики.

По назначению:

резисторы общего назначения

резисторы специального назначения

высокоомные

высоковольтные

высокочастотные

прецизионные и сверхпрецизионные

По виду вольт-амперной характеристики:

линейные резисторы

нелинейные резисторы

варисторы

терморезисторы

фоторезисторы

тензорезисторы

магниторезисторы

По характеру изменения сопротивления:

Проволочный резистор

постоянные резисторы

переменные регулировочные резисторы

переменные подстроечные резисторы

По технологии изготовления:

Проволочные резисторы.

Высокоомные малогабаритные проволочные резисторы

Плёночные металлические резисторы

Металлофольговые резисторы.

Угольные резисторы.

Интегральный резистор.

19) p-n-Перехо́д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.

20) Диод — двухэлектродный электронный прибор, обладает различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электрод диода, подключённый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт, называют анодом, подключённый к отрицательному полюсу — катодом.

Диоды широко используются для преобразования переменного тока в постоянный, применяется в автомобильных генераторах. В высоковольтных выпрямителях применяются селеновые высоковольтные столбы из множества последовательно соединённых селеновых выпрямителей и кремниевые высоковольтные столбы из множества последовательно соединённых кремниевых диодов.

Осн. Пареметры диода:

1. Максимально допустимый прямой ток

2. Максимально допустимый обратный ток

3. Импульсное прямое напряжение

4. Импульсное обратное напряжение

5. температура

21) ВАХ стабилитрона.

22) Классификация полевых транзисторов

По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы. Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник (барьер Шоттки), вторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т. н. транзисторы МДП (металл — диэлектрик — полупроводник).

УГО полевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа

УГО полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа

УГО полевого транзистора со встроенным p-каналом обедненного типа

УГО полевого транзистора со встроенным n-каналом обогащенного типа

УГО полевого транзистора с индуцированным p-каналом обогащенного типа

УГО полевого транзистора с индуцированным n-каналом обогащенного типа

23) вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р — n-переходом: U — напряжение на диоде; I — ток через диод; U*oбр и I*oбр — максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; Ucт — напряжение стабилизации.

ВАХ

24) Пассивные элементы электроники

Резисторы - это наиболее распространенные компоненты электронной аппаратуры, с помощью которых осуществляется регулирование и распределение электрической энергии между цепями и элементами схем.

Конденсаторы по применению в электронной аппаратуре занимают второе место после резисторов. Принцип работы конденсаторов основан на их способности накапливать электрический заряд на обкладках при приложении к ним разности потенциалов. К основным параметрам конденсаторов относятся номинальное значение емкости конденсатора и допустимое отклонение действительной емкости от номинального значения

Катушками индуктивности называют элементы аппаратуры, предназначенные для запасания энергии электромагнитного поля.

Трансформатор – это электромагнитное устройство, имеющее две или более индуктивно связанные обмотки, которое предназначено для преобразования посредством электромагнитной индукции одной или нескольких систем переменного тока в одну или несколько других систем переменного тока.