Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от других разновидностей, основными носителями являются и электроны, и дырки (от слова «би» — «два»). Схематическое устройство транзистора показано на втором рисунке.

Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, электроды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмиттером. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. В действительности же главное отличие коллектора — бо́льшая площадь p — n-перехода. Кроме того, для работы транзистора абсолютно необходима малая толщина базы.

Транзистор применяется в:

Усилительных схемах. Генераторах сигналов. Электронных ключах.

Применение транзисторов

Усилители, каскады усиления

Генератор

Модулятор

Демодулятор (Детектор)

Инвертор (лог. элемент)

Микросхемы на транзисторной логике (см. транзисторно-транзисторная логика, диодно-транзисторная логика, резисторно-транзисторная логика)

2) Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.

Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор, изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).

УГО:

Симиcтop (симметричный триодный тиристор-полупроводниковый прибор, являющийся разновидностью тиристоров и используемый для коммутации в цепях переменного тока. В электронике часто рассматривается как управляемый выключатель (ключ). В отличие от тиристора, имеющего катод и анод, основные (силовые) выводы симистора называть катодом или анодом некорректно, так как в силу структуры симистора они являются тем и другим одновременно. Однако по способу включения относительно управляющего электрода основные выводы симистора различаются, причём имеет место их аналогия с катодом и анодом тринистора. На приведённом рисунке верхний по схеме вывод симистора называется выводом 1 или условным катодом, нижний — выводом 2 или условным анодом, вывод справа — управляющим электродом.

УГО:

Динистор - тиристор без управляющего электрода. Тот же тиристор может работать как динистор и будет включаться при напряжении "Анод-катод" > Udrm. Для включения динистора к нему необходимо приложить напряжение Ua>=Uвкл. При приложений обратного напряжения динистора всегда заперт.

Свойства.

1. По свойствам близок идеальному ключу: минимальное падение напряжения во включенном состоянии и минимальный ток в отключенном.

2. Управляется напряжением "анод-катод". Не может быть включен принудительно. Включается только при Uak > Udrm.

3. Отключается только при снижении тока ниже тока удержания.

4. ВАХ динистора соответствует ВАХ тиристора без тока управления.

УГО:

3)Биполярлы транзистордың жұмыс істеу режимдері. Транзисторлардың жіктемесі. Транзистордың негізгі параметрлері.

В зависимости от сочетания знаков и значений напряжений на p-n-переходах транзистора различают следующие режимы его работы:

а) активный режим – на эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный переход – обратное;

б) режим отсечки – на оба перехода поданы обратные напряжения (транзистор заперт);

в) режим насыщения – на оба перехода поданы прямые напряжения (транзистор полностью открыт);

г) инверсный активный режим – напряжение на эмиттерном переходе обратное, на коллекторном – прямое.

Режимы отсечки и насыщения характерны для работы транзистора в качестве электронного ключа; активный режим используют при работе транзистора в усилителях. Инверсное включение используется редко, например, в схемах двунаправленных переключателей, при этом транзисторы должны иметь симметричные свойства в обоих направлениях.

В режиме отсечки оба перехода заперты, через них проходят незначительные обратные токи, что эквивалентно большому сопротивлению переходов.

Основные параметры

Коэффициент передачи по току

Входное сопротивление

Выходная проводимость

Обратный ток коллектор-эмиттер

Время включения

Предельная частота коэффициента передачи тока базы

Обратный ток колектора

Максимально допустимый ток

Граничная частота коэффициента передачи по схеме с общим эмитером

Транзистор применяется в:

Усилительных схемах. Генераторах сигналов. Электронных ключах.

4) Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы. Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник (барьер Шоттки), вторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т. н. транзисторы МДП (металл—диэлектрик—полупроводник). УГОполевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа

УГО полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа

5) Фотоэлектрическими называют приборы, в которых энергия оптического излучения преобразуется в электрическую. Оптическим является электромагнитное излучение с длинами волн от 5 до 106 нм. Фотоэлектрические приборы обычно классифицируют по виду рабочей среды, типу фотоэлектрического эффекта, функциональному назначению и др. фотоэлектрические приборы, действие которых основано на внутреннем фотоэффекте (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, полупроводниковые фотоэлементы). По назначению ФЭП делятся на излучающие, приемные, оптопары и оптоэлектронные интегральные микросхемы.

Оптоэлектронными приборами называют приборы, принцип действия которых основан на излучении или преобразовании электромагнитных колебаний оптического диапазона волн

Фоторезисторы (ФР) - это полупроводниковые резисторы, принцип действия которых основан на фоторезистивном эффекте, т.е. на изменений сопротивления полупроводника под действием светового облучения.

Фотодиод это обратносмещенный полупроводниковый диод, обратный ток которого определяется степенью освещенности. Фотодиод (ФД) представляет собой обычный полупроводниковый диод (Рис.4.), корпус которого имеет световое окно и линзу. Материалом изготовления служат германий и кремний.

УГО:

Фотоэлементом (ФЭ) называют полупроводниковый прибор с выпрямляющим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую.

Фототранзисторы (ФТР)- это фотогальванические приемники светового излучения, обеспечивающие преобразование световой энергии в электрический ток и усиление его.

Светодио́д или светоизлучающий диод - полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом или контактом металл-полупроводник, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока.

Оптопара — микросхема , состоящий из излучателя света и фотоприёмника, связанных друг с другом оптически и помещенных в общем корпусе. Иногда о. называют также пару "излучатель-фотоприёмник" с любыми видами оптической и электрической связи между ними. О. используют для связи отдельных частей радиоэлектронных устройств.

УГО:

Фототиристор — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, имеющий структуру, схожую со структурой обычного тиристора, но отличающийся от последнего тем, что включается не напряжением, а светом, падающим на тиристорную структуру. Этот прибор применяется в управляемых светом выпрямителях и наиболее эффективен в управлении сильными токами при высоких напряжениях.

УГО: