- •Список основных обозначений
- •ДИНАМИКА ГЕНЕРАЦИИ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ
- •Спектральные свойства полупроводниковых кристаллов
- •Модель с выполнением правила отбора по волновому вектору
- •Модель без выполнения правила отбора по волновому вектору
- •Одномодовый инжекционный лазер
- •Зонные диаграммы лазерных гетероструктур
- •Волноводные свойства гетероструктур
- •Скоростные уравнения
- •Анализ переходных процессов
- •Выгорание спектральных провалов
- •Выгорание пространственных провалов
- •Инжекционный лазер с насыщающимся поглотителем
- •Разрезной диод
- •Многомодовый инжекционный лазер
- •ОСНОВЫ ФИЗИКИ КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОЛАЗЕРОВ
- •Основные квантоворазмерные эффекты
- •Уровни энергии подзон и частота генерации
- •Инверсная заселенность
- •Порог генерации
- •Оптимизация структуры квантоворазмерных лазеров
- •Новые типы квантоворазмерных лазеров
- •Лазеры с поверхностным излучением и вертикальным резонатором
- •Лазеры с асимметричной гетероструктурой
26
1.3.Влияние эффектов насыщения на динамику генерации в
одномодовом инжекционном лазере
1.3.1.Выгорание спектральных провалов
Выражение (1.11) получено в приближении квазиравновесия в зонах. Ввиду того, что генерирующая мода вызывает переходы между состояниями зоны проводимости и валентной зоны, имеющими определенную энергию, спектр усиления на частоте генерации "проседает", нарушая квазиравновесие в зонах. Коэффициент усиления перестает быть однозначной функцией концентрации носителей. Отклонение от квазиравновесия тем больше, чем больше плотность фотонов в резонаторе. Для учета этого эффекта в кинетических уравнениях коэффициент усиления умножается на величину
γ = |
1 |
|
, |
(1.49) |
|
1 + |
S |
|
|||
|
Ssat |
|
|
||
|
|
|
|
где Ssat – плотность фотонов насыщения (D.J.Chanin, 1979). Данное приближение означает, что усиление мгновенно следует за изменением плотности фотонов. Оно основывается на тех соображениях, что время установления равновесия в зонах много меньше времен, характерных для переходных процессов в полупроводниковом лазере. С учетом вышеизложенного система скоростных уравнений может быть записана в виде
|
dn = j |
n |
vg(n −n0)S |
, |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
− |
|
− |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
dt |
|
ed |
τ |
1 + |
|
S |
|
|
|
|
||||||
|
Ssat |
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
dS |
|
|
g(n −n0) |
|
κn |
|
S + β |
n |
|
||||||||
|
= v |
|
− |
|
|
. |
|||||||||||
dt |
1 + Ssat |
|
|
|
|
τ |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
S |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(1.50)
(1.51)
В стационарном режиме после достижения порога при увеличении тока накачки концентрация носителей уже не остается постоянной, а растет, как
n |
− |
n = |
τ( j − jth) |
, |
(1.52) |
|
ed(1 + vτgSsat ) |
||||||
|
th |
|
|
что ведет к замедлению роста плотности фотонов Sst :
Sst = |
j − jth |
|
1 |
|
|
(1.53) |
|
edvκn |
· 1 + vτgSsat |
||||||
|
|
|
1 |
|
|
|
27
(а) (б)
Рис. 1.12. Временные зависимости концентрации носителей n (а) и плот-
ности фотонов S (б) при подаче прямоугольной ступеньки тока накачки:
κn = 50 см−1, v = 9.4 ×109 см/с, τ = 5.2 нс, n0 = 1.46 ×1018 см−3, g = 2.2 × 10−16 см2, β = 0.001, Ssat = 5 ×1016 см−3, j = 2.5 кА/см2, jth = 1.04 кА/см2.
Обычно Ssat v1τg, и насыщение практически не влияет на мощностные характеристики. Однако оно существенно влияет на характеристики переходного процесса (ср. рис.1.12 и рис.1.9б). Рассматривая поведение решения системы (1.50), (1.51) при малых отклонениях от положения равновесия, находим постоянную затухания τr и частоту релаксационных пульсаций wr, которые меньше аналогичных величин в выражениях (1.36), (1.37):
2 = |
1 + |
|
κn |
|
− |
|
|
= vg( j − jth) |
12 . |
|
||||||||
Ssat |
|
, wr2 |
(1.54) |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
g + |
|
( j |
|
jth) |
|
|
|
− |
|
|
|
|
|
τr |
|
τ |
|
|
|
edκn |
|
|
|
|
ed |
|
τr |
|
|
Это приводит к тому, что при токах, незначительно превышающих пороговый, установление режима стационарной генерации происходит без релаксационных пульсаций.
1.3.2.Выгорание пространственных провалов
Распределение интенсивности электромагнитного поля в полупроводниковом лазере получается в результате суммирования двух распространяющихся в противоположных направлениях волн. Хотя амплитуды этих волн не совпадают во всей активной области, пространственное распределение интенсивности электромагнитного поля промодулировано в направлении оси резонатора с периодом λ/2nr, где λ – длина волны генерирующей моды, nr – показатель преломления. Это отражается на пространственном распределении носителей тока: в местах пучностей электромагнитного по-
28
ля концентрация носителей меньше, в местах узлов электромагнитного поля концентрация носителей больше.
Для простоты дальнейшего анализа полагаем периодическое распре-
деление плотности энергии электромагнитного поля вдоль оси резонатора: u(x)/~w = 2Scos2(kxx), где kx ≈ 2πnr/λ – проекция волнового вектора фото-
на на ось резонатора. Рассмотрим процессы растекания носителей вдоль оси x. Для этого используем выражения для соответствующих проекций электронного je и дырочного jh токов в виде
je = e −µ en(x) |
∂ϕ |
+ De |
∂n(x) |
, |
(1.55) |
|||||
|
∂x |
|
|
∂x |
|
|||||
|
|
∂ϕ |
|
|
∂p(x) |
|
||||
jh = e −µ h p(x) |
|
|
−Dh |
|
|
|
. |
(1.56) |
||
|
∂x |
∂x |
|
Здесь n(x) и p(x), µ e и µ h, De и Dh – концентрации, подвижности, коэффициенты диффузии электронов и дырок соответственно, ϕ – электростатический потенциал. Так как проекция полного тока je + jh на ось x равна нулю, то проекции электронного и дырочного токов выражаются как
|
|
∂p |
∂n |
|
|
µ enDh ∂x + µ h pDe ∂x |
|
|
|||
je = −jh = e |
|
|
|
. |
(1.57) |
|
µ en + µ h p |
|
|||
Пространственное распределение n(x) и p(x) приближенно представ- |
|||||
ляется в виде |
|
|
|
|
|
n(x) = n −n1cos(2kxx), |
p(x) = p − p1cos(2kxx), |
(1.58) |
где средние значения концентраций электронов n и дырок p связаны уравнением электронейтральности: p −n +Nd −Na = 0, n1 n и p1 p. Определяя при помощи уравнения Пуассона, что
∂ϕ |
= |
− |
e |
(−p1 + n1) |
sin(2k |
x), |
(1.59) |
|
∂x |
2kxεε0 |
|||||||
|
|
x |
|
|
из системы (1.55), (1.56) находим соотношение между n1 и p1:
n1 |
|
e |
+ |
|
(2kx)2De |
|
= p1 |
|
e |
+ |
|
(2kx)2Dh |
. |
(1.60) |
||
εε0 |
|
µ en + µ h p |
|
εε0 |
|
µ en + µ h p |
|
Так как первые слагаемые в скобках намного превышают вторые, то n1 ≈ p1. Уравнение (1.57) может быть переписано в более простом виде:
∂n |
|
|
je = −jh = eDamb ∂x |
, |
(1.61) |
|
|
|
|
|
29 |
|
где Damb = |
µ enDh + µ h pDe |
– амбиполярный коэффициент диффузии. |
||||
µ en + µ h p |
||||||
Запишем уравнение непрерывности для концентраций носителей как |
||||||
∂{n −n1cos(2kxx)} = |
j |
+ Damb ∂2{n −n1cos(2kxx)} |
− |
|||
ed |
||||||
|
∂t |
|
∂x2 |
|||
|
|
|
|
|
(1.62) |
−{n −n1cosτ (2kxx)} −vg({n −n1cos(2kxx)}−n0) ·2Scos2(kxx).
Приравнивая по отдельности периодические и не зависящие от x слагаемые, получаем следующие скоростные уравнения для средней концентрации носителей n и амплитуды периодической вдоль оси резонатора составляющей концентрации носителей n1:
|
|
|
|
|
dn |
|
|
j |
|
n |
|
n1 |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
= |
|
|
|
− |
|
|
|
−vg n − |
|
−n0 S, |
(1.63) |
||
|
|
|
|
|
|
dt |
ed |
τ |
2 |
|||||||||||||
|
|
|
dn1 |
|
|
n1 |
|
|
|
|
n1 |
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
= − |
|
|
− |
|
+ vg (n −n1 −n0) S, |
(1.64) |
||||||||||
|
|
|
|
|
dt |
τ |
|
τdi f |
||||||||||||||
где τdi f = 4kx2Damb |
|
−1 − постоянная времени растекания носителей. Усиле- |
||||||||||||||||||||
ние моды находим |
путем усреднения взаимодействия по всей длине лазер- |
|||||||||||||||||||||
ного диода L: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
1 |
Z |
L/2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
K = |
|
L/2 g({n −n1cos(2kxx)}−n0) ·2cos2(kxx)dx. |
(1.65) |
|||||||||||||||||||
L |
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
− |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В итоге, уравнение для скорости изменения плотности фотонов принимает
вид |
= v g n − |
|
−n0 |
−κn S + β |
|
|
|
|
|
dS |
n1 |
n |
(1.66) |
||||
|
|
|
|
. |
||||
|
dt |
2 |
τ |
В стационарном режиме после достижения порога при увеличении тока накачки средняя концентрация и амплитуда периодической составляющей концентрации носителей растут как
n |
|
nth = |
|
τ( j − jth) |
|
, |
n1 = 2(n |
|
nth), |
(1.67) |
||
|
− |
ed 3 + τdiτ f |
|
|
|
− |
|
|
||||
а плотность фотонов Sst изменяется как |
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
S |
|
= |
j − jth |
|
(2τ + 2τdi f ) |
. |
|
|
(1.68) |
|
|
|
|
edvκn |
|
|
|
||||||
|
|
|
st |
|
· (2τ + 3τdi f ) |
|
|
|
При выводе (1.67) и (1.68) считалось, что τdi f слабо изменяется выше порога генерации.
30
(а) |
(б) |
|
Рис. 1.13. Временные зависимости концентрации носителей n, n1 |
(а) и |
|
плотности фотонов S (б) при подаче прямоугольной ступеньки тока накач- |
||
ки: κn = 50 см−1, v = 9.4 × 109 |
см/с, τ = 5.2 нс, n0 = 1.46 × 1018 |
см−3, |
g = 2.2 ×10−16 см2, β = 0.001, τdi f = 10 пс, j = 2.5 кА/см2, jth = 1.04 кА/см2.
С математической точки зрения модель, описывающая выгорание пространственных провалов, отличается от модели, описывающей выгорание спектральных провалов, тем, что усиление моды с изменением плотности фотонов изменяется не мгновенно, а с задержкой во времени. Этот эффект также приводит к уменьшению постоянной времени затухания и частоты релаксационных пульсаций (ср. рис.1.13 и рис.1.9):
2 |
= |
1 |
+ |
g( j − jth) |
|
1 + |
vκnτdi f |
, |
w2 = |
vg( j − jth) |
− |
1 |
. (1.69) |
||
|
|
τ |
|
edκn |
|
ed |
τr2 |
||||||||
τr |
|
|
2 |
|
r |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1.4.Одномодовый инжекционный лазер в режиме модуляции
добротности резонатора
Одним из способов генерирования мощных импульсов лазерного излучения является модуляция добротности резонатора. При работе лазера в этом режиме можно выделить два этапа. На первом отрезке резко увеличивают потери в резонаторе ("включают"потери), или уменьшают добротность резонатора ("выключают"добротность). Увеличение потерь приводит к значительному росту пороговой инверсной заселенности, и условие генерации
ΓK = ρ + Ka + |
1 |
ln |
1 |
(1.70) |
|
r1r2 |
|||
|
2L |
|
не удается выполнить. В выражении (1.70) Γ – фактор оптического ограничения, K – коэффициент усиления активной среды, ρ – коэффициент
31
внутренних оптических потерь, Ka – коэффициент дополнительных потерь, 21L`nr11r2 – коэффициент потерь через грани резонатора, L – длина резонатора лазера, r1, r2 – коэффициенты отражения зеркал резонатора. Для
отражения на границе раздела полупроводника и воздуха r = nr −1 2, где nr + 1
nr – показатель преломления полупроводникового материала. На втором этапе быстро включают добротность, и лазер испускает короткий мощный импульс электромагнитного излучения.
Традиционные для твердотельных лазеров способы модуляции добротности резонатора (оптико-механические и основанные на электро- и магнитооптических эффектах) не представляют интереса применительно к инжекционным лазерам ввиду больших размеров модуляторов. Возможно применение лишь модуляторов на эффекте Поккельса для инжекционных лазеров с внешним резонатором. Последняя конструкция может быть реализована в интегральном исполнении. Оптимальный закон введения потерь следующий: в момент включения тока накачки, когда идет накопление неравновесных носителей, вводятся мгновенно (прямоугольная ступенька) потери, а при достижении максимально возможной при данных потерях инверсии населенностей потери сбрасываются до некоторой минимальной величины. Таким образом, дополнительные потери Ka в выражении (1.70) в режиме модуляции добротности могут варьироваться в широком диапазоне: от значительных величин, задаваемых, прежде всего, устройством, посредством которого в резонатор лазера вводятся программируемые потери (модулятор добротности), до некоторой минимальной величины, определяемой нерезонансным поглощением, рассеянием в зеркалах и т.п.
На рис.1.14а приведены результаты моделирования работы полупроводникового лазера при идеальных ступенчатых фронтах импульсов тока накачки и сброса дополнительных потерь. Однако реально мгновенное выключение потерь и тока накачки в принципе невозможно из-за инерционности электрических систем. На рис.1.14б приведена динамика генерации при линейном во времени сбрасывании потерь. Медленное выключение потерь снижает мощность импульса генерируемого излучения и ведет к появлению дополнительных пульсаций излучения. Если не выполняется условие, что длительности спадов импульса накачки и модуляции потерь много меньше времен жизни электронов и фотонов соответственно, то эффективность модуляции потерь многократно снижается по сравнению с идеальным случаем. Следовательно, при реальных законах модуляции тока накачки и потерь оптимизировать такие параметры лазера, как амплитуда и длительность генерируемого импульса излучения, можно при выполнении следующих усло-
32
(а)
(б)
Рис. 1.14. Временные зависимости концентрации носителей n и плотности фотонов S при подаче прямоугольной ступеньки тока накачки длительностью 3 нс при идеальном выключении дополнительных потерь Ka
(а), и линейном выключении дополнительных потерь за время 0.1 нс (б):
κn = 50 см−1, v = 9.4 × 109 см/с, τ = 5.2 нс, n0 = 1.46 × 1018 см−3, g =
2.2 ×10−16 см2, β = 0.001, j = 2.5 кА/см2, Ka = 100 см−1.