Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
teoriya-polupr-lazerov.pdf
Скачиваний:
27
Добавлен:
12.02.2016
Размер:
1.23 Mб
Скачать

26

1.3.Влияние эффектов насыщения на динамику генерации в

одномодовом инжекционном лазере

1.3.1.Выгорание спектральных провалов

Выражение (1.11) получено в приближении квазиравновесия в зонах. Ввиду того, что генерирующая мода вызывает переходы между состояниями зоны проводимости и валентной зоны, имеющими определенную энергию, спектр усиления на частоте генерации "проседает", нарушая квазиравновесие в зонах. Коэффициент усиления перестает быть однозначной функцией концентрации носителей. Отклонение от квазиравновесия тем больше, чем больше плотность фотонов в резонаторе. Для учета этого эффекта в кинетических уравнениях коэффициент усиления умножается на величину

γ =

1

 

,

(1.49)

1 +

S

 

 

Ssat

 

 

 

 

 

 

где Ssat – плотность фотонов насыщения (D.J.Chanin, 1979). Данное приближение означает, что усиление мгновенно следует за изменением плотности фотонов. Оно основывается на тех соображениях, что время установления равновесия в зонах много меньше времен, характерных для переходных процессов в полупроводниковом лазере. С учетом вышеизложенного система скоростных уравнений может быть записана в виде

 

dn = j

n

vg(n n0)S

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dt

 

ed

τ

1 +

 

S

 

 

 

 

 

Ssat

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dS

 

 

g(n n0)

 

κn

 

S + β

n

 

 

= v

 

 

 

.

dt

1 + Ssat

 

 

 

 

τ

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(1.50)

(1.51)

В стационарном режиме после достижения порога при увеличении тока накачки концентрация носителей уже не остается постоянной, а растет, как

n

n =

τ( j jth)

,

(1.52)

ed(1 + vτgSsat )

 

th

 

 

что ведет к замедлению роста плотности фотонов Sst :

Sst =

j jth

 

1

 

 

(1.53)

edvκn

· 1 + vτgSsat

 

 

 

1

 

 

 

27

(а) (б)

Рис. 1.12. Временные зависимости концентрации носителей n (а) и плот-

ности фотонов S (б) при подаче прямоугольной ступеньки тока накачки:

κn = 50 см1, v = 9.4 ×109 см/с, τ = 5.2 нс, n0 = 1.46 ×1018 см3, g = 2.2 × 1016 см2, β = 0.001, Ssat = 5 ×1016 см3, j = 2.5 кА/см2, jth = 1.04 кА/см2.

Обычно Ssat v1τg, и насыщение практически не влияет на мощностные характеристики. Однако оно существенно влияет на характеристики переходного процесса (ср. рис.1.12 и рис.1.9б). Рассматривая поведение решения системы (1.50), (1.51) при малых отклонениях от положения равновесия, находим постоянную затухания τr и частоту релаксационных пульсаций wr, которые меньше аналогичных величин в выражениях (1.36), (1.37):

2 =

1 +

 

κn

 

 

 

= vg( j jth)

12 .

 

Ssat

 

, wr2

(1.54)

 

 

 

 

 

 

g +

 

( j

 

jth)

 

 

 

 

 

 

 

τr

 

τ

 

 

 

edκn

 

 

 

 

ed

 

τr

 

 

Это приводит к тому, что при токах, незначительно превышающих пороговый, установление режима стационарной генерации происходит без релаксационных пульсаций.

1.3.2.Выгорание пространственных провалов

Распределение интенсивности электромагнитного поля в полупроводниковом лазере получается в результате суммирования двух распространяющихся в противоположных направлениях волн. Хотя амплитуды этих волн не совпадают во всей активной области, пространственное распределение интенсивности электромагнитного поля промодулировано в направлении оси резонатора с периодом λ/2nr, где λ – длина волны генерирующей моды, nr – показатель преломления. Это отражается на пространственном распределении носителей тока: в местах пучностей электромагнитного по-

28

ля концентрация носителей меньше, в местах узлов электромагнитного поля концентрация носителей больше.

Для простоты дальнейшего анализа полагаем периодическое распре-

деление плотности энергии электромагнитного поля вдоль оси резонатора: u(x)/~w = 2Scos2(kxx), где kx 2πnr/λ – проекция волнового вектора фото-

на на ось резонатора. Рассмотрим процессы растекания носителей вдоль оси x. Для этого используем выражения для соответствующих проекций электронного je и дырочного jh токов в виде

je = e µ en(x)

∂ϕ

+ De

∂n(x)

,

(1.55)

 

∂x

 

 

∂x

 

 

 

∂ϕ

 

 

∂p(x)

 

jh = e µ h p(x)

 

 

Dh

 

 

 

.

(1.56)

 

∂x

∂x

 

Здесь n(x) и p(x), µ e и µ h, De и Dh – концентрации, подвижности, коэффициенты диффузии электронов и дырок соответственно, ϕ – электростатический потенциал. Так как проекция полного тока je + jh на ось x равна нулю, то проекции электронного и дырочного токов выражаются как

 

 

∂p

∂n

 

 

µ enDh ∂x + µ h pDe ∂x

 

 

je = −jh = e

 

 

 

.

(1.57)

 

µ en + µ h p

 

Пространственное распределение n(x) и p(x) приближенно представ-

ляется в виде

 

 

 

 

n(x) = n n1cos(2kxx),

p(x) = p p1cos(2kxx),

(1.58)

где средние значения концентраций электронов n и дырок p связаны уравнением электронейтральности: p n +Nd Na = 0, n1 n и p1 p. Определяя при помощи уравнения Пуассона, что

∂ϕ

=

e

(−p1 + n1)

sin(2k

x),

(1.59)

∂x

2kxεε0

 

 

x

 

 

из системы (1.55), (1.56) находим соотношение между n1 и p1:

n1

 

e

+

 

(2kx)2De

 

= p1

 

e

+

 

(2kx)2Dh

.

(1.60)

εε0

 

µ en + µ h p

 

εε0

 

µ en + µ h p

 

Так как первые слагаемые в скобках намного превышают вторые, то n1 p1. Уравнение (1.57) может быть переписано в более простом виде:

∂n

 

 

je = −jh = eDamb ∂x

,

(1.61)

 

 

 

 

 

29

где Damb =

µ enDh + µ h pDe

– амбиполярный коэффициент диффузии.

µ en + µ h p

Запишем уравнение непрерывности для концентраций носителей как

{n n1cos(2kxx)} =

j

+ Damb 2{n n1cos(2kxx)}

ed

 

∂t

 

∂x2

 

 

 

 

 

(1.62)

{n n1cosτ (2kxx)} vg({n n1cos(2kxx)}−n0) ·2Scos2(kxx).

Приравнивая по отдельности периодические и не зависящие от x слагаемые, получаем следующие скоростные уравнения для средней концентрации носителей n и амплитуды периодической вдоль оси резонатора составляющей концентрации носителей n1:

 

 

 

 

 

dn

 

 

j

 

n

 

n1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

 

 

 

 

vg n

 

n0 S,

(1.63)

 

 

 

 

 

 

dt

ed

τ

2

 

 

 

dn1

 

 

n1

 

 

 

 

n1

 

 

 

 

 

 

 

= −

 

 

 

+ vg (n n1 n0) S,

(1.64)

 

 

 

 

 

dt

τ

 

τdi f

где τdi f = 4kx2Damb

 

1 − постоянная времени растекания носителей. Усиле-

ние моды находим

путем усреднения взаимодействия по всей длине лазер-

ного диода L:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

Z

L/2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

K =

 

L/2 g({n n1cos(2kxx)}−n0) ·2cos2(kxx)dx.

(1.65)

L

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В итоге, уравнение для скорости изменения плотности фотонов принимает

вид

= v g n

 

n0

κn S + β

 

 

 

 

dS

n1

n

(1.66)

 

 

 

 

.

 

dt

2

τ

В стационарном режиме после достижения порога при увеличении тока накачки средняя концентрация и амплитуда периодической составляющей концентрации носителей растут как

n

 

nth =

 

τ( j jth)

 

,

n1 = 2(n

 

nth),

(1.67)

 

ed 3 + τdiτ f

 

 

 

 

 

а плотность фотонов Sst изменяется как

 

 

 

 

 

 

 

S

 

=

j jth

 

(2τ + 2τdi f )

.

 

 

(1.68)

 

 

 

edvκn

 

 

 

 

 

 

st

 

· (2τ + 3τdi f )

 

 

 

При выводе (1.67) и (1.68) считалось, что τdi f слабо изменяется выше порога генерации.

30

(а)

(б)

 

Рис. 1.13. Временные зависимости концентрации носителей n, n1

(а) и

плотности фотонов S (б) при подаче прямоугольной ступеньки тока накач-

ки: κn = 50 см1, v = 9.4 × 109

см/с, τ = 5.2 нс, n0 = 1.46 × 1018

см3,

g = 2.2 ×1016 см2, β = 0.001, τdi f = 10 пс, j = 2.5 кА/см2, jth = 1.04 кА/см2.

С математической точки зрения модель, описывающая выгорание пространственных провалов, отличается от модели, описывающей выгорание спектральных провалов, тем, что усиление моды с изменением плотности фотонов изменяется не мгновенно, а с задержкой во времени. Этот эффект также приводит к уменьшению постоянной времени затухания и частоты релаксационных пульсаций (ср. рис.1.13 и рис.1.9):

2

=

1

+

g( j jth)

 

1 +

nτdi f

,

w2 =

vg( j jth)

1

. (1.69)

 

 

τ

 

edκn

 

ed

τr2

τr

 

 

2

 

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.4.Одномодовый инжекционный лазер в режиме модуляции

добротности резонатора

Одним из способов генерирования мощных импульсов лазерного излучения является модуляция добротности резонатора. При работе лазера в этом режиме можно выделить два этапа. На первом отрезке резко увеличивают потери в резонаторе ("включают"потери), или уменьшают добротность резонатора ("выключают"добротность). Увеличение потерь приводит к значительному росту пороговой инверсной заселенности, и условие генерации

ΓK = ρ + Ka +

1

ln

1

(1.70)

 

r1r2

 

2L

 

не удается выполнить. В выражении (1.70) Γ – фактор оптического ограничения, K – коэффициент усиления активной среды, ρ – коэффициент

31

внутренних оптических потерь, Ka – коэффициент дополнительных потерь, 21L`nr11r2 – коэффициент потерь через грани резонатора, L – длина резонатора лазера, r1, r2 – коэффициенты отражения зеркал резонатора. Для

отражения на границе раздела полупроводника и воздуха r = nr 1 2, где nr + 1

nr – показатель преломления полупроводникового материала. На втором этапе быстро включают добротность, и лазер испускает короткий мощный импульс электромагнитного излучения.

Традиционные для твердотельных лазеров способы модуляции добротности резонатора (оптико-механические и основанные на электро- и магнитооптических эффектах) не представляют интереса применительно к инжекционным лазерам ввиду больших размеров модуляторов. Возможно применение лишь модуляторов на эффекте Поккельса для инжекционных лазеров с внешним резонатором. Последняя конструкция может быть реализована в интегральном исполнении. Оптимальный закон введения потерь следующий: в момент включения тока накачки, когда идет накопление неравновесных носителей, вводятся мгновенно (прямоугольная ступенька) потери, а при достижении максимально возможной при данных потерях инверсии населенностей потери сбрасываются до некоторой минимальной величины. Таким образом, дополнительные потери Ka в выражении (1.70) в режиме модуляции добротности могут варьироваться в широком диапазоне: от значительных величин, задаваемых, прежде всего, устройством, посредством которого в резонатор лазера вводятся программируемые потери (модулятор добротности), до некоторой минимальной величины, определяемой нерезонансным поглощением, рассеянием в зеркалах и т.п.

На рис.1.14а приведены результаты моделирования работы полупроводникового лазера при идеальных ступенчатых фронтах импульсов тока накачки и сброса дополнительных потерь. Однако реально мгновенное выключение потерь и тока накачки в принципе невозможно из-за инерционности электрических систем. На рис.1.14б приведена динамика генерации при линейном во времени сбрасывании потерь. Медленное выключение потерь снижает мощность импульса генерируемого излучения и ведет к появлению дополнительных пульсаций излучения. Если не выполняется условие, что длительности спадов импульса накачки и модуляции потерь много меньше времен жизни электронов и фотонов соответственно, то эффективность модуляции потерь многократно снижается по сравнению с идеальным случаем. Следовательно, при реальных законах модуляции тока накачки и потерь оптимизировать такие параметры лазера, как амплитуда и длительность генерируемого импульса излучения, можно при выполнении следующих усло-

32

(а)

(б)

Рис. 1.14. Временные зависимости концентрации носителей n и плотности фотонов S при подаче прямоугольной ступеньки тока накачки длительностью 3 нс при идеальном выключении дополнительных потерь Ka

(а), и линейном выключении дополнительных потерь за время 0.1 нс (б):

κn = 50 см1, v = 9.4 × 109 см/с, τ = 5.2 нс, n0 = 1.46 × 1018 см3, g =

2.2 ×1016 см2, β = 0.001, j = 2.5 кА/см2, Ka = 100 см1.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]