Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Физика АТС, ЭНС Контрольльная работа № 1-2

.pdf
Скачиваний:
66
Добавлен:
09.06.2015
Размер:
1.68 Mб
Скачать

радиусом R

 

r = R:

E = O/4πε0R2

υ = Q/4πε0R

 

 

 

 

r > R:

E = Q/4πε0r2

r > R:

υ = Q/4πε0r

Равномерно

заряженный

r < R:

E = 0

r < R: υ = τ/2ε0

бесконечный

цилиндр

r = R:

E = τ/2πε0R;

r > R:

 

ln r R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

радиуса R

(нить) с

r > R:

E = τ/2πε0r

 

2

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

линейной

плотностью

 

 

 

 

 

 

 

заряда τ

 

 

 

 

 

 

 

 

41

ДИЭКТРИКИ, ПРОВОДНИКИ И КОНДЕНСАТОРЫ

Диэлектрики. Электрическое поле в диэлектриках

Электрический момент диполя:

 

 

p

Ql

 

 

 

 

 

 

где l – плечо диполя

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

pi

 

 

 

i 1

 

 

Поляризованность:

P

npi

P = σ´,

V

 

 

 

 

где V – объем диэлектрика;

pi -дипольный момент i -й молекулы; n0 – концентрация молекул;

σ´ - поверхностная плотность связанных зарядов.

Связь между поляризованностью и напряженностью электростатического поля: P = æε0E,

где æ > 0 - диэлектрическая восприимчивость вещества

Связь между диэлектрической проницаемостью и диэлектрической восприимчивостью вещества: ε = 1 + æ

Связь между векторами электрического смещения и напряженностью

 

 

 

 

 

 

 

 

E

0

 

P

 

электростатического поля: Е

 

; E

E

 

 

.

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

Связь между векторами электростатического смещения, напряженностью и

поляризованностью:

 

 

 

 

 

D

0 E

D

0 E

P

Элементарный поток вектора электрического смещения через площадку:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D = DdS = DdScos α = DndS,

 

 

 

 

–вектор, модуль которого равен dS, а направление совпадает с

где dS

ndS

нормалью к площадке;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Dn –составляющая вектора D

по направлению нормали n к площадке

Теорeмa Гаусса для электростатического поля в диэлектрике:

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

Фd =

EdS =

DdScos α =

DndS =

 

Qi ,

 

 

 

S

S

S

i

1

 

 

 

 

 

42

где

n

Qi - алгебраическая сумма Qi, заключенных внутри замкнутой

 

 

i

1

поверхности свободных электрических зарядов. Интегрирование ведется по всей поверxности.

Электроемкость проводникoв и конденсаторов

Электроемкость уединенного проводника: С

Q

 

 

где Q–заряд, сообщенный проводнику, υ - потенциал проводника.

Электроемкость проводника, помещенного в диэлектрик: C = εC0

Электроемкость шарового проводника: C = 4πε0εR

где R–радиус шара; ε – диэлектрическая проницаемость среды

Электроемкость конденсатора: C = Q ,

где Q – заряд, сообщенный одной из обкладок; ∆υ - разность потенциалов между обкладками

Емкость плоского конденсатора:

С

 

0

S

 

 

 

 

 

 

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где S - площадь каждой пластины конденсатора;

 

 

d – расстояние между пластинами

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Емкость цилиндрического конденсатора: C

2 l

0 ln

r1

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r 2

где l – длина обкладок конденсатора;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r1 и r2 - радиусы полых коаксиальных цилиндров

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Емкость сферического конденсатора:

C

 

4

0 r1r2

 

 

 

 

 

 

r2

r1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где r1 и r2 - радиус концентрических сфер

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Емкость системы конденсаторов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

последовательное соединение: 1/ C =

n

1/ Ci;

 

 

 

 

 

 

 

i

1

 

 

 

 

 

 

 

параллельное соединение: C = n

Ci,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где Ci - емкость i-го конденсатора, n - число конденсаторов в батарее.

43

Энергия системы точечных электрических зарядов, заряженных проводников и конденсаторов. Энергия электростатического поля. Объемная плотность энергии. Пондермоторные силы.

Энергия взаимодействия системы точечных зарядов: Wn = n

Qiυi/2,

i

1

где υi - потенциал, создаваемый в той точке, где находится заряд Qi

всеми зарядами, кроме i–го

 

 

 

Энергия уединенного заряженного проводника:

 

Wn = C2/2υ = Qυ/2 = Q2/2C,

Где Q– заряд ; C –электроемкость, υ –потенциал проводника

Энергия заряженного конденсатора:

Wn = C2/2∆υ = Q∆υ/2 = Q2/2C,

Где ∆υ - разность потенциалов между обкладками

Энергия электростатического поля плоского конденсатора (однородное

поле):

WП

εε0 E 2 V

 

D 2 V

,

 

 

 

 

 

 

2

 

2εε0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Где S– площадь одной из пластин;

 

V = Sd - объем конденсатора

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dWn

 

2

2

 

Объемная плотность энергии: w =

 

 

;

w = εε0E /2 = D /2 εε0

= ED/2,

 

dV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где D - электрическое смещение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Энергия электрического поля Wn

=

w dV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

Силы притяжения между двумя разноименно заряженными обкладками плоского конденсатора (пондермоторные силы):

F = Q2/(2 εε0S) = σ2S/(2 εε0 )= εε0E2S/2

44

ПОСТОЯННЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК

Электрический ток, сила и плотность тока

Сила тока

I

 

dQ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dt

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Единица силы тока - 1 А (ампер)

Сила постоянного тока: I

 

Q

=const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

Плотность тока:

 

j

 

dI

 

dQ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dS

dt dS

 

 

 

 

Единица плотности тока - 1 А/м2

Заряд, переносимый через поперечное сечение проводника за время dt,:

 

 

 

 

 

 

dQ = ne<v>Sdt,

где n и e – концентрация и заряд носителей тока,

<v> -

средняя арифметическая скорость упорядоченного движения

электронов

 

 

 

Сила тока:

I

 

ne

v S

Плотность тока:

j

ne

v

 

 

Электродвижущая сила (ЭДС). Напряжение

ЭДС:

 

А

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Qo

 

 

 

где Аст - работа сторонних сил по перемещению положительного заряда Qo

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Работа сторонних сил Fпо

перемещению заряда Q0

на замкнутом участке

пути:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A

Fdl

Q0

 

Edl ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где E - напряженность поля сторонних сил.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЭДС, действующая в цепи,:

 

Edl

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

ЭДС на участке цепи

Eст dl

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сила, действующая на заряд в проводнике:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

F Fст

Fe

Q0 (E

E)

 

 

Работа результирующей силы на участке 1-2 зарядом Q0:

 

2

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

A12 Q0

Edl

Q0

Edl

Q0

т Q0 (

1

2 )

1

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

Для замкнутой цепи: A

Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Напряжение на участке 1-2: U12

1

 

2

 

12

 

 

 

Сопротивление проводников

45

Сопротивление однородного линейного проводник длиной l и площадью

поперечного сечения S

R

l

 

S

 

 

где - удельное электрическое сопротивление

Единица измерения сопротивления – Ом Единица измерения удельного сопротивления – Ом.м

Электрическая проводимость:

G

1

 

R

 

 

Единица измерения электрической проводимости – См (сименс)

Удельная электропроводимость:

1

 

 

Единица измерения удельной электропроводности – См-1 Зависимость сопротивления от температуры:

0 (1

t)

R R0 (1

t) ,

где - температурный коэффициент сопротивления, К-1, t – температура, 0С.

Последовательное и параллельное соединение проводников

Соединение

Последовательное

Параллельное

Постоянная

I1 = I2 = …=In

U1=U2=…Un

величина

 

I=concs

 

U=const

Суммируемая

Напряжение

сила тока

величина

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

Ui

 

I

 

 

Ii

 

 

 

i 1

 

 

 

 

i

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Результирующее

 

 

n

1

 

n 1

сопротивление

R

 

Ri

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

1 Ri

 

 

i

1

 

 

i

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G

i

 

1Gi

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U1

 

 

R2

 

 

 

I1

 

R2

 

 

U 2

 

R1

 

 

I2

 

R1

Закон Ома для однородного участка и замкнутой цепи.

Закон Ома для однородного участка цепи (не содержащего источника тока):

I UR ,

Закон Ома в дифференциальной форме: j E, j E

Закон Ома для замкнутой цепи: I R r

где R –сопротивление внешней цепи,

r – внутреннее сопротивление источника тока.

46

Напряжение на внешней цепи:

U IR

Ir

Ток короткого замыкания:

Iкз

 

r

 

 

Закон Ома для батареи последовательно соединенных элементов:

I

n

 

R nr

 

где n- число элементов в батарее

Закон Ома для батареи параллельно соединенных элементов:

I

 

 

 

R

r

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

где n – число элементов в батарее

 

 

 

Закон Ома для смешанного соединения элементов в батарею:

I

 

k

 

 

 

 

 

R

 

kr

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

где k- число ветвей в батарее, n – число элементов в ветви.

Закон Ома для неоднородного участка цепи (обобщенный закон Ома):

 

 

 

 

 

I

 

1

 

 

2

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

12 - действующая на участке 1-2 ЭДС,

 

1 2 - разность потенциалов,

приложенная к концам проводника.

 

 

 

 

 

 

 

 

Анализ обобщенного закона Ома

1

Источника тока

Из ОЗО:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Закон Ома для

 

нет:

12

0

I

 

1

2

 

U

 

 

однородного участка цепи

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

Цепь замкнута

Из ОЗО:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Закон Ома для замкнутой

 

 

1

2

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

цепи

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где R- сопротивление

 

 

 

 

 

 

всей цепи

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

Цепь

 

Из ОЗО

 

 

 

 

ЭДС в разомкнутой цепи

 

разомкнута:

12

 

1

 

 

 

2 :

 

 

равна разности потенциалов

 

I=0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

на ее концах

Правила Кирхгофа для разветвленных цепей

Первое правило Кирхгофа:

n

Алгебраическая сумма токов, сходящихся в узле, равна нулю: Ii 0

i 1

Второе правило Кирхгофа:

47

 

n

n

В любом замкнутом контуре:

Ii Ri

i

 

i 1

i 1

Работа и мощность тока

Элементарная работа электрического тока:

dA= Udq = IUdt = I2Rdt = U 2 dt R

Работа электрического тока:

A= е2

IUdt = е2

I2Rdt = е2

U 2

dt

R

е1

е1

е1

 

 

 

Единица работы – Дж (джоуль)

Внесистемная единица работы 1квт.ч= 3,6 МДж=.3,6.106 Дж

Работа постоянного электрического тока:

A= Uq = IUt = I2Rt =

U 2

t

 

R

 

 

 

 

 

 

Мощность электрического тока:

 

 

 

 

 

P

dA

UI I 2 R

U 2

 

dt

 

 

R

 

 

 

 

 

 

Единица мощности – Вт (ватт)

Закон Джоуля - Ленца:

dQ= Udq = IUdt = I2Rdt = U 2 dt R

Закон Джоуля –Ленца в интегральной форме:

Q= е2

IUdt = е2

I2Rdt = е2

U 2

dt

R

е1

е1

е1

 

 

 

Закон Джоуля – Ленца для постоянного тока

Q= Uq = IUt = I2Rt = U 2 t R

Закон Джоуля – Ленца в дифференциальной форме:

 

 

w j2 iE E2 ,

где w

dQ

- удельная тепловая мощность тока

dVdt

 

 

Коэффициент полезного действия источника тока (КПД):

Рпол % R % U %

Рзатр. R r

48

МАГНИТНОЕ ПОЛЕ

Основные характеристики магнитного поля

Вращающий момент сил на рамку с током в магнитном поле

 

 

М

[ pm B]; М pm B sin

где pm-магнитный момент рамки с током,

B - магнитная индукция;

- угол между нормалью к плоскости контура и вектором B

Магнитный момент рамки с током

 

 

 

pm

ISn, pm

IS

S – площадь поверхности контура (рамки);

 

- единичный вектор нормали к поверхности рамки

n

Магнитная индукция

B

M max

 

pm

 

 

 

где Ммах – максимальный вращающий момент Единица измерения индукции магнитного поля: Тл (Тесла)= 1Н/А.м

Магнитная индукция: B

0 H ,

 

 

 

где H

- вектор напряженности магнитного поля, А/м

- магнитная проницаемость среды,

0

4 10 7

Гн / м

- магнитная постоянная

 

 

 

Принцип суперпозиции (наложения) магнитных полей:

Магнитная индукция результирующего поля равна:

 

n

B

Bi

 

 

i 1

где Вi – магнитная индукция, создаваемая каждым током (движущимся

зарядом) в отдельности

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11.2. Закон Био -Савара – Лапласа и его применение

Закон Вио – Савара – Лапласа:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Магнитная индукция,

создаваемая элементом проводника dl с током I в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0 I[dl , r ]

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

некоторой точке равна:

dB

 

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

 

 

4 r 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- радиус-вектор, проведенный из элемента dl проводника в точку поля.

где r

Скалярная форма записи закона Био – Савара – Лапласа имеет вид:

 

 

 

 

dB

 

0

Idl sin

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 r 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- угол между dl и r .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Магнитное поле прямого тока:

B

 

0

I

 

(cos

1 cos 2 ) ,

 

4 r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

1, 2 - углы, под которыми из рассматриваемой точки поля видны начало

и конец проводника,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r – расстояние до проводника

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Магнитное поле бесконечного прямого тока:

B

 

0 I

 

 

2 r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

49

Магнитное поле в центре кругового витка радиусом r:

B

0 I

2r

 

 

Магнитное поле на оси кругового витка на расстоянии b от его центра

 

B

0

I

r 2

 

 

 

=

0

2 p

m

 

 

 

 

 

 

 

3

 

4 (r 2

b2 )

3

 

 

 

2

 

2

 

 

 

 

2

 

 

4 (r

b

)

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где p I 2 r2

– магнитный момент витка с током I

m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Магнитное поле на оси соленоида конечной длины:

В

1

 

nI (cos

 

cos 1 ) ,

 

0

2

2

 

 

 

 

 

где n=N/L – число витков, приходящихся на единицу длины, N, L – соответственно, число витков и длина соленоида,

1, 2 - углы, под которыми из произвольной точки на оси соленоида видны

его концы Максимальная индукция в центре соленоида равна:

 

 

 

2r

2

1

,

B

0

I[1 (

 

) ]

2

L

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где r – радиус витка соленоида.

Закон. Ампера. Взаимодействие параллельных токов.

Сила Ампера, действующая на элемент проводника dl с током I

 

 

 

 

 

 

 

 

dF

I[dl , B], dF IBdl sin ,

 

 

 

 

 

где - угол между dl и B .

 

Сила Ампера,

действующая в магнитном поле на проводник конечной длины

l с током I:

 

 

 

 

F

I [dl , B],

 

(l )

Сила Ампера, действующая в однородном магнитном поле на прямолинейный проводник: F IlB sin ,

где -угол между током (вектором плотности тока) в проводнике и вектором

B

Сила взаимодействия двух параллельных токов I1, I2 длиной l

находящихся на расстоянии r друг от друга:

F

I1 I

2l

2 r

 

 

 

 

Магнитное поле движущегося заряда

Магнитное поле В точечного заряда Q, свободно движущегося с нерялитивистской скоростью ( сonst ) :

50