- •1. Основные понятия и определения электротехники. Топологические параметры.
- •2. Электронные осциллографы Электронные осциллографы
- •3. Эквивалентные схемы для источников энергии. Источники эдс и источники тока.
- •4. Цифровые измерительные приборы
- •5. Закон Ома для участка цепи с эдс
- •6. Аналоговые электронные вольтметры.
- •7. Расчет разветвленных магнитных цепей на основе закона Кирхгофа.
- •8. Приборы электродинамической и ферродинамической систем. Однофазный индукционный счетчик электрической цепи.
- •9. Расчет цепей постоянного тока при последовательном и параллельном соединении пассивных приемников.
- •10. Приборы магнитоэлектрической и электромагнитной схем. Магнитоэлектрическая система
- •Прибор магнитоэлектрической системы
- •Достоинства магнитоэлектрической системы
- •Недостатки магнитоэлектрической системы
- •Электромагнитная система
- •Прибор электромагнитной системы
- •Достоинства электромагнитной системы
- •Недостатки электромагнитной системы
- •11. Электрические цепи переменного тока, принципы получения переменной эдс.
- •12. Электрические измерения и приборы. Основные определения и термины. Методы измерений. Классификация средств измерений.
- •13. Действующие и среднее значения токов и напряжений в цепях переменного тока.
- •14. Цифро-аналоговые и аналогово-цифровые преобразователи.
- •15. Законы Ома и Кирхгофа для мгновенных значений токов и напряжений в цепях переменного тока.
- •16. Регистры, кольцевые счетчики. Счетчики с двоичным и недвоичным коэффициентами пересчета.
- •17. Расчет цепей переменного тока методом векторных диаграмм.
- •18. Последовательные цифровые устройства. Триггеры и их разновидности.
- •19. Расчет последовательных цепей переменного тока методом векторных диаграмм.
- •20. Комбинационные цифровые устройства. Мультиплексоры, демультиплексоры, дешифраторы, сумматоры.
- •21. Расчет параллельных цепей переменного тока методом векторных диаграмм.
- •22. Основные типы цифровых интегральных схем. Параметры цифровых ис.
- •23. Комплексный метод расчета параметров электрических цепей переменного тока.
- •24. Представление информации в цифровой форме. Составление логических функций и функциональных схем.
- •25. Явление резонанса в цепях переменного тока.
- •26. Транзисторные ключи на биполярных и полевых транзисторах. Аналоговые коммутаторы.
- •27. Трехфазные цепи переменного тока. Соединение приемников звездой и треугольником. Основные определения
- •2. Соединение в звезду. Схема, определения
- •3. Соединение в треугольник. Схема, определения
- •28. Импульсный режим работы электронных устройств. Генераторы импульса.
- •29. Нелинейные элементы электрических цепей и их характеристики. Графический метод расчета нелинейных цепей постоянного тока.
- •30. Генераторы гармонических колебаний.
- •2. Генератор lc-типа
- •31. Политический метод расчета нелинейных цепей.
- •32. Линейные преобразователи электрических сигналов на основе операционных усилителей
- •33. Магнитные цепи. Основные понятия и определения. Магнитный поток, индукция, напряженность. Магнитная проницаемость. Явление магнитного гистерезиса в веществе.
- •34. Методы расчета транзисторных усилителей.
- •35. Прямая и обратная задачи в расчетах магнитных цепей.
- •36. Усилители на транзисторах. Стабилизация начальной рабочей точки.
- •37. Уравнения Кирхгофа для магнитной цепи.
- •38. Классификация, основные параметры и характеристики усилителей. Обратная связь в усилителях.
- •39. Электромагнитные устройства. Принцип работы и основные аналитические соотношения для электромагнитов и электромагнитных реле.
- •40. Сглаживающие фильтры, стабилизаторы и инверторы в источниках вторичного электропитания.
- •41. Устройство и принцип работы трансформатора, его векторная диаграмма
- •Устройство и принцип работы
- •42. Выпрямительные схемы источников электропитания. Однополупериодные и двухполуперионые выпрямители.
- •43. Режим холостого хода трансформатора и его работа под нагрузкой.
- •44. Назначение и структура источников вторичного электропитания, их основные характеристики.
- •45. Устройство и принцип действия генератора постоянного тока эдс и электромагнитный момент. Способы возбуждения генераторов постоянного тока.
- •46. Операционные усилители, эквивалентная схема, основные характеристики и уравнения, интегральные микросхемы.
- •47. Двигатели постоянного тока. Регулирование скорости двигателей постоянного тока.
- •48. Основные свойтва, характеристики и типы тиринисторов. Динисторы и тринисторы.
- •49. Устройство и принцип работы асинхронного двигателя. Его характеристики.
- •50. Основные свойства, характеристики и типы полевых транзисторов.
- •51. Пуск и реверсирование асинхронных двигателей. Регулирование частоты вращения.
- •52. Устройство и принцип работы синхронного генератора. Его характеристики.
- •54. Основные свойства, характеристики и типы полупроводниковых диодов. Расчет электронных схем с диодами.
- •4.1.1. Выпрямление в диоде
- •4.1.2. Характеристическое сопротивление
- •4.1.4. Эквивалентная схема диода
- •55. Работа синхронной машины в режиме двигателя. Рабочие характеристики синхронного двигателя.
- •56.Краткие сведения о структуре полупроводников, электрические переходы в полупроводниках.
- •Свойства полупроводников.
- •Строение атомов полупроводников.
- •Электропроводность полупроводника.
- •Электронно-дырочная проводимость.
- •Электронная проводимость.
- •Дырочная проводимость.
56.Краткие сведения о структуре полупроводников, электрические переходы в полупроводниках.
Почему именно полупроводниковый диод, транзистор или тиристор? Потому, что основу этих радиокомпонентов составляют полупроводники – вещества, способные, как проводить электрический ток, так и препятствовать его прохождению.
Это большая группа веществ, применяемых в радиотехнике (германий, кремний, селен, окись меди), но для изготовления полупроводниковых приборов используют в основном только Кремний (Si) и Германий (Ge).
По своим электрическим свойствам полупроводники занимают среднее место между проводниками и непроводниками электрического тока.
Свойства полупроводников.
Электропроводность проводников сильно зависит от окружающей температуры. При очень низкой температуре, близкой к абсолютному нулю (-273°С), полупроводникине проводят электрический ток, а с повышением температуры, их сопротивляемость току уменьшается.
Если на полупроводник навести свет, то его электропроводность начинает увеличиваться. Используя это свойство полупроводников, были созданыфотоэлектрические приборы. Также полупроводники способны преобразовывать энергию света в электрический ток, например, солнечные батареи. А при введении в полупроводники примесей определенных веществ, их электропроводность резко увеличивается.
Строение атомов полупроводников.
Германий и кремний являются основными материалами многих полупроводниковых приборов и имеют во внешних слоях своих оболочек по четыре валентных электрона.
Атом германия состоит из 32 электронов, а атом кремния из 14. Но только 28электронов атома германия и 10 электронов атома кремния, находящиеся во внутренних слоях своих оболочек, прочно удерживаются ядрами и никогда не отрываются от них. Лишь только четыре валентных электрона атомов этих проводников могут стать свободными, да и то не всегда. А если атом полупроводника потеряет хотя бы один электрон, то он становится положительным ионом.
В полупроводнике атомы расположены в строгом порядке: каждый атом окруженчетырьмя такими же атомами. Причем они расположены так близко друг к другу, что их валентные электроны образуют единые орбиты, проходящие вокруг соседних атомов, тем самым связывая атомы в единое целое вещество.
Представим взаимосвязь атомов в кристалле полупроводника в виде плоской схемы. На схеме красные шарики с плюсом, условно, обозначают ядра атомов (положительные ионы), а синие шарики – это валентные электроны.
Здесь видно, что вокруг каждого атома расположены четыре точно таких же атома, а каждый из этих четырех имеет связь еще с четырьмя другими атомами и т.д. Любой из атомов связан с каждым соседним двумя валентными электронами, причем один электрон свой, а другой заимствован у соседнего атома. Такая связь называется двухэлектронной или ковалентной.
В свою очередь, внешний слой электронной оболочки каждого атома содержит восемьэлектронов: четыре своих, и по одному, заимствованных от четырех соседних атомов. Здесь уже не различишь, какой из валентных электронов в атоме «свой», а какой «чужой», так как они сделались общими. При такой связи атомов во всей массе кристалла германия или кремния можно считать, что кристалл полупроводника представляет собой одну большую молекулу. На рисунке розовым и желтым кругами показана связь между внешними слоями оболочек двух соседних атомов.