- •Теоретическая часть
- •Общие сведения о биполярных транзисторах.
- •1.1.1. Основные процессы в транзисторе
- •1.1.3. Коэффициент передачи тока эмиттера
- •1.2 Биполярный транзистор кт339а
- •1.2.1 Конструкция и назначение
- •1.2.2. Параметры кт339а
- •1.2.3. Вольт-амперные характеристики кт339а
- •2. Расчётная часть
- •2.1 Исходные данные
- •2.2 Построение нагрузочной линии по постоянному току
- •2.3 Выбор рабочей точки
- •2.4 Определение h-параметров
- •2.5 Расчёт величин элементов эквивалентной схемы
- •2.6 Расчёт граничных и предельных частот
- •2.7 Определение частотных зависимостей y-параметров
2.3 Выбор рабочей точки
Рабочая точка должна быть выбрана примерно посередине между режимами отсечки и насыщения на ближайшей выходной характеристике. Так как в нашем случае рабочая точка попадает между характеристиками и(рисунок 2.3), то между ними достраиваем ещё одну характеристику(выделена пунктирной линией) и именно на ней отмечаем рабочую точку.
Рис. 2.3 Выбор рабочей точки
Выбранной точке соответствуют следующие параметры рабочего режима:
(2.4)
(2.5)
(2.6)
Ещё один параметр определяем по входной ВАХ (рисунок 2.4). Несмотря на то, что напряжение коллектор-эмиттер для расчёта выбираем именно характеристику, потому что для активного режима эти характеристики практически совпадают.
Рис. 2.4 Определение напряжения база-эмиттер
Таким образом, транзистор будет работать в выбранном режиме при напряжении смещения:
(2.7)
2.4 Определение h-параметров
Для определения h-параметров транзистора необходимы его входная и выходная вольт-амперные характеристики. На входной ВАХ задаёмся приращением базового тока относительно рабочей точки (рисунок 2.5):
(2.8)
Приращению базового тока соответствует приращение напряжения база-эмиттер, равное:
(2.9)
Рис. 2.5 Определение напряжения ∆Uбэо
Параметр h11Э, определяющий входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока, равен:
(2.10)
На выходной ВАХ транзистора также задаёмся приращением тока базы (рисунок 2.6):
(2.11)
Рис. 2.6 Определение
Соответствующее приращение тока коллектора равно:
(2.12)
Тогда параметр h21Э, т.е. коэффициент передачи транзистора по току при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока, равен:
(2.13)
Для определения следующего h-параметра задаёмся приращением напряжения коллектор-эмиттер на выходной ВАХ транзистора (рисунок 2.7):
(2.14)
Рис. 2.7 Определение приращения тока коллектора
Соответствующее приращение тока коллектора составляет:
(2.15)
Выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока (холостой ход входной цепи) – параметр h22Э равен:
(2.16)
Последний h-параметр – коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей тока определяется по формуле пересчета:
(2.17)
где – значение тока эмиттера.
Так как ток эмиттера равен:
(2.18)
то параметр имеет значение:
(2.19)
2.5 Расчёт величин элементов эквивалентной схемы
Физическая малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиаколетто) представлена на рисунке 2.8. Рассчитаем величины входящих в неё элементов.
Рисунок 2.8 Эквивалентная схема БТ
Значения конденсаторов иравны ёмкостям коллекторного и эмиттерного переходов и находятся по справочнику:
(2.20)
(2.21)
Для расчёта сопротивлений резисторов необходимо определить сопротивление эмиттерного перехода по эмиттерному току и крутизну вольт-амперной характеристики транзистора:
(2.22)
(2.23)
Сопротивление эмиттерного перехода базовому току рассчитываем по формуле:
(2.24)
Выходное сопротивление транзистора равно:
(2.25)
Сопротивление коллекторного перехода:
(2.26)
И, наконец, последний параметр – объёмное сопротивление базы:
(2.27)