- •Теоретическая часть
- •Общие сведения о биполярных транзисторах.
- •1.1.1. Основные процессы в транзисторе
- •1.1.3. Коэффициент передачи тока эмиттера
- •1.2 Биполярный транзистор кт339а
- •1.2.1 Конструкция и назначение
- •1.2.2. Параметры кт339а
- •1.2.3. Вольт-амперные характеристики кт339а
- •2. Расчётная часть
- •2.1 Исходные данные
- •2.2 Построение нагрузочной линии по постоянному току
- •2.3 Выбор рабочей точки
- •2.4 Определение h-параметров
- •2.5 Расчёт величин элементов эквивалентной схемы
- •2.6 Расчёт граничных и предельных частот
- •2.7 Определение частотных зависимостей y-параметров
1.2 Биполярный транзистор кт339а
1.2.1 Конструкция и назначение
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n усилительные высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в схемах усиления высокой частоты, для применения в выходных каскадах УПЧ телевизоров и в других устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рисунок 1.1). Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Рисунок 1.1
1.2.2. Параметры кт339а
Рис.1.2 Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры.
Примечание. При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт должен присоединяться первым и отсоединятся последним. Расстояние от места изгиба до корпуса транзистора не менее 3 мм, радиус закругления не менее 1.5 – 2 мм. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора.
Коэффициент усиления по мощности при Uкэ=1,6 В, Iк=7,2 мА, f=35МГц не менее….24дБ;
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=10В, Iэ=7мА не менее…….25;
Модуль коэффициента передачи тока на f=100МГц при Uкб=10В, Iэ=7мА не менее…..3
Постоянная времени цепи обратной связи на f=5МГц при Uкб=10В, Iэ=7мА не более…25нс;
Емкость коллекторного перехода при Uкб=5В не более ……..2пФ.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база ……………40В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер……………..25В
Постоянное напряжение эмиттер-база…………………….4В
Постоянный ток коллектора…………………………………25мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=213-323К……260мВт
Температура перехода………………………………………..448К
Температура окружающей среды…………………………….от 213 до 433К
Аналоги транзистора КТ339А:
BF208, BF273
1.2.3. Вольт-амперные характеристики кт339а
На рисунке 1.2 представлена входная характеристика биполярного транзистора КТ339А, а на рисунке 1.3 – выходная характеристика КТ339А.
Рис. 1.2 Входная ВАХ транзистора КТ339А
Рис. 1.3 Выходная ВАХ транзистора КТ339А
2. Расчётная часть
2.1 Исходные данные
Дан биполярный транзистор КТ339А, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистори питается от источника ЭДС. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора.
Рисунок 2.1
2.2 Построение нагрузочной линии по постоянному току
Нагрузочная линия определяет режим работы выходной цепи транзистора, поэтому она строится на выходной вольт-амперной характеристике транзистора и определяется следующим уравнением:
(2.1)
Для получения нагрузочной линии необходимо найти 2 точки, удовлетворяющие уравнению (2.1):
приравниваем нулю ток коллектора в этом случае напряжение коллектор-эмиттер равно напряжению питания:
; (2.2)
приравниваем нулю напряжение коллектор-эмиттер, тогда ток коллектора равен:
(2.3)
Отмечаем точки ина выходной вольт-амперной характеристике транзистора. Соединив эти точки, получаем нагрузочную линию
Рисунок 2.2 Определение рабочей точки