7. Усилительный режим полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.

1. Показать на графике области отсечки, линейного усиления и насыщения.

2. Сравнить экспериментальные и теоретические значения коэффициента усиления. Объяснить физически влияние величины резистора нагрузки на усиления.

3. По осциллограммам объяснить влияние положения исходной рабочей точки и амплитуды входного сигнала на вид выходного сигнала. Показать искажения, обусловленные отсечкой и насыщением.

4. Сравнить усилительные свойства полевых и биполярных транзисторов. Когда более целесообразно применять те или другие?

8. Исследование светоизлучающих полупроводниковых приборов и

оптоэлектронных пар.

1. Назначение, принцип действия, условное обозначение и области приме­нения светодиода.

2. Что определяет цвет свечения светодиода. Привести примеры.

3. Назначение, принцип действия, условное обозначение и области приме­нения оптрона ОЭП. Объяснить ход характеристики.

4. Принцип действия, условное обозначение оптрона АОД. Чем он отличается в лучшую сторону от оптрона ОЭП?

5. Назначение, принцип действия, условное графическое обозначение оптрона АОТ.

6. Области применения оптрона АОТ и возможности управления включе­нием.

7. Дать физическое объяснение зависимости для оптрона АОТ.

9. Исследование операционного усилителя.

1. Объяснить, как достигается заданный коэффициент усиления в схеме с операционным усилителем.

2. Как в схеме реализуется отрицательная обратная связь с инвертиро­ванием сигнала и без него?

3. Объяснить частотное ограничение на работу схем с операционными усилителями.

4. Объяснить частотную характеристику активного фильтра низких частот и влияние элементов схемы на вид характеристики.

5. Объяснить вид амплитудной характеристики. Помнить, каким образом можно определить коэффициент усиления по этой характеристике.

10. Исследование интегральных микросхем.

1. Для чего используется таблица истинности? От чего зависит количест­во строк и столбцов в ней?

2. Решить обратную задачу путем подачи на вход двух комбинаций входных переменных X для произвольной схемы. Нарисовать ее условное графическое обозначение.

3. Показать на амплитудной характеристике уровни логических нуля и единицы для различных серий ИМС. Что такое положительная и отрицательная логика?

4. Сравнить помехоустойчивость ИМС различных серий.

5. Сравнить энергопотребление различных серий ИМС и объяснить раз­личие с привлечением упрощенных схем базовых элементов.

Приложение

Таблица П1

Основные паспортные данные исследуемых приборов

Диоды

тип прибора

параметры

германиевый Д7В

Iпр= 300 мА

Uпр≤ 0,5 В

Uобр.макс= 150 В

кремниевый Д226А

Iпр= 300 мА

Uпр≤ 1,0 В

Uобр.макс= 400 В

Стабилитроны

тип прибора

параметры

Д818В

Iстаб.мин= 3 мА

Iстаб.макс= 33 мА

Uстаб.ном= (7,2÷10,8) В при Iстаб.ном=10 мА

Pрас.макс= 300 мВт

КС141А

Iстаб.мин= 3 мА

Iстаб.макс= 58 мА

Uстаб.ном= (4,1÷5,2) В при Iстаб.ном=10 мА

Pрас.макс= 300 мВт

Транзисторы

тип прибора

параметры

КТ603

Iк.макс= 300 мА

Uкэ.макс= 30 В

Uкб.макс= 30 В

Pк.макс= 500 мВт

МП37

Iк.макс= 20 мА

Uкэ.макс= 15 В

Uкб.макс= 15 В

Pк.макс= 150 мВт

МП25

Iк.макс= 80 мА

Uкэ.макс= 40 В

Uкб.макс= 40 В

Pк.макс= 200 мВт

КП302А

Iс.макс= 24 мА

Uси.макс= 20 В

Uзи.макс= 10 В

Pс.макс= 300 мВт

Светоизлучающие полупроводниковые приборы и оптоэлектронные пары

тип прибора

параметры

светодиод АЛ102А

Iпр.макс= 10 мА

Uобр= 2 мА

резисторная опто­­пара ОЭП-13

Iвх.макс= 20 мА

Iвых.макс= 2 мА

Uобр.макс= 250 В

Pвых.макс= 25 мВт (Rсв=3кОм приIвх=16мА)

диодный оптрон АОД129А

Iвх.макс= 20 мА

Uвх.обр.макс= 3,5 В

Uвых.обр.макс= 10 В

транзисторный оптрон АОТ110Б

Iвх.макс= 30 мА

Iвых.макс= 100мА

Uвх.обр.макс= = 0,7 В

Uвых.макс= = 50 В

Pвых.макс= = 360 мВт

Интегральные микросхемы

тип ИМС

параметры

К155ЛЕ1

I 0пот≤ 27 мА

I 1пот≤ 16 мА

U 0вых≤ 0,4 В

U 1вых≥ 2,4 В

К555ЛЕ1

I 0пот≤ 5,4 мА

I 1пот≤ 3,2 мА

U 0вых≤ 0,5 В

U 1вых≥ 2,7 В

К176ЛЕ5

Iпот≤ 0,1 мкА

U 0вых≤ 0,3 В

U 1вых≥ 8,2 В

Рекомендуемая литература

1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы – М.: Высшая школа, 1987 г.

2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К.. Полупроводниковые приборы. – СПб: Лань, 2001 г.

3. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1977 г.

4. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Энергия, 1980 г.

5. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – СПб: Физматлит, 2001 г.

6. Шишкин Г.Г., Аваев Н.А. Электронные приборы. – М.: Энергия, 1996 г.

7. Электронные приборы / Под ред. Шишкина Г.Г. – М.: Энергия, 1989 г.

38