1. Исследование полупроводниковых диодов.

1. Что такое p-n-переход? Образование p-n-перехода. Схема p-n-перехода.

2. Прямое и обратное смещение p-n-перехода. Теоретическая характеристика диода.

3. Показать какая из характеристик относится к кремниевому, а какая к германиевому диоду и объяснить, в чем разница и чем она обусловлена.

4. Объяснить слабую зависимость обратного тока от напряжения. Как обратный ток зависит от температуры?

5. Объяснить по осциллограммам выпрямительное свойство диода. Схема простого выпрямителя.

6. Условное графическое изображение, буквенное обозначение, маркиров­ка и применение диода.

2. Исследование полупроводниковых стабилитронов.

2.1. Объяснить на полученном графике, где находится рабочий участок характеристики стабилитрона. Назвать и объяснить основные парамет­ры стабилитрона.

2.2. Объяснить физические процессы в приборе на рабочем участке характе­ристики.

2.3. Схема включения стабилитрона и принцип стабилизации. Как стабили­зация подтверждается на практике.

2.4. Условное графическое, буквенное обозначение и маркировка стаби­литрона.

3, 4. Статические характеристики и параметры биполярного транзистора

(схемы с общей базой и общим эмиттером).

1. Объяснить принцип усиления биполярного транзистора. Схемы включе-ния транзисторов разных типов (p-n-p и n-p-n).

2. Показать на выходных характеристиках области режимов: активного, насыщения, отсечки.

3. Назвать вычисленные h-параметры и показать, как они определяются по статическим характеристикам.

4. Объяснить входную характеристику транзистора. Объяснить зависимость входного тока от напряжения на коллекторе.

5. Условное графическое изображение, буквенное обозначение транзисторов p-n-p и n-p-n типов.

6. Сравнить параметры транзисторов в схемах с общими базой и эмиттером.

5. Усилительный и ключевой режимы биполярного транзистора

в схеме с общим эмиттером.

1. Показать на полученных графиках области отсечки и насыщения. Сравнить расчетные и экспериментальные параметры этих режимов.

2. Сравнить расчетный и экспериментальный коэффициенты усиления транзистора. Объяснить влияние величины резистора нагрузки на усиление.

3. Объяснить с использованием полученных осциллограмм влияние положения исходной рабочей точки и амплитуды входного сигнала на вид выходного сигнала. Показать искажения, обусловленные отсечкой и насыщением.

4. Дать качественное и количественное объяснение зависимости величины напряжения насыщения коллектора от тока базы.

5. Как влияет величина коллекторного напряжения на усилительные свойства транзистора?

6. Статические характеристики и параметры полевого транзистора

с управляющим p-n-переходом.

1. Устройство и принцип действия транзистора.

2. Каковы величины напряжения запирания и насыщения в эксперименте? Как объясняется насыщение?

3. Объяснить, как вычислялись параметры транзистора по характерис­тикам. Сравнить значения параметров при малых и больших напряже­ниях на стоке. Объяснить различие.

4. Показать на выходных характеристиках область активного режима.

5. Сравнить статические коэффициенты усиления биполярного и полевого транзисторов. Объяснить различие.

6. Условное графическое и буквенное обозначение, маркировка и приме­нение транзистора.