17. Шалаөткізгіштік материалдардың концентрациясын түсіндіріңіз

Шалаөткізгіштер — электр өткізгіштігі (σ) бойынша металдар мен диэлектриктердің арасынан орын алатын (10–8Ом–1см–1<σ<10–6Ом–1см–1) заттар; бөлме температурасында (300ӘК) шалаөткізгіштік қасиеттері анық байқалатын заттар тобы. Шалаөткізгіштерге Менделеевтің периодтық жүйесінің ҚV тобындағы графит (G), кремний (Sі), германий (Ge), сурьма (Sb), қалайы (Sn); V тобындағы фосфор (P), күшәлә (As); П тобындағы селен (Se), теллур (Te) элементтері, сондай-ақ кейбір тотықтар, көптеген қорытпалар, органик. қосылыстар жатады. Шалаөткізгіштердің металдардан ерекшелігі — олардың меншікті кедергілері () мен электр өткізгіштігі (σ) температура жоғарылағанда күрт өзгереді:  — кемиді, σ — артады; ал металдарда олар керісінше өзгереді.

;  n- концентрация. Кемтіктік өткізгіштік шалаөткізгіш ішіндегі қоспалар атомдары арқасында, акңепторлар конңентраңиясы донорлар қоспасынан артық жағдайда пайда болады. Жартылайөткізгіш электрондарының конц-ы:  — Постоянная Планка

 — масса электрона

 — температура;

 — уровень проводимой зоны

- уровень Ферми;

Жартылайөткізгіш кемтіктердің конц-ы:

18. Шалаөткізгіштердің зоналық үлгісін түсіндіріңіз

Шалаөткізгіштер — электр өткізгіштігі (σ) бойынша металдар мен диэлектриктердің арасынан орын алатын (10–8Ом–1см–1<σ<10–6Ом–1см–1) заттар; бөлме температурасында (300ӘК) шалаөткізгіштік қасиеттері анық байқалатын заттар тобы. Шалаөткізгіштерге Менделеевтің периодтық жүйесінің ҚV тобындағы графит (G), кремний (Sі), германий (Ge), сурьма (Sb), қалайы (Sn); V тобындағы фосфор (P), күшәлә (As); П тобындағы селен (Se), теллур (Te) элементтері, сондай-ақ кейбір тотықтар, көптеген қорытпалар, органик. қосылыстар жатады. Шалаөткізгіштердің металдардан ерекшелігі — олардың меншікті кедергілері () мен электр өткізгіштігі (σ) температура жоғарылағанда күрт өзгереді:  — кемиді, σ — артады; ал металдарда олар керісінше өзгереді. .

19. Шалаөткізгіште заряд тасымалдаушыларды түсіндіріңіз

Шалаөткізгіштер— электр өткізгіштігі (σ) бойынша металдар мен диэлектриктердің арасынан орын алатын (10–8Ом–1см–1<σ<10–6Ом–1см–1) заттар; бөлме температурасында (300ӘК) шалаөткізгіштік қасиеттері анық байқалатын заттар тобы. Шалаөткізгіштерге Менделеевтің периодтық жүйесінің ҚV тобындағы графит (G), кремний (Sі), германий (Ge), сурьма (Sb), қалайы (Sn); V тобындағы фосфор (P), күшәлә (As); П тобындағы селен (Se), теллур (Te) элементтері, сондай-ақ кейбір тотықтар, көптеген қорытпалар, органик. қосылыстар жатады. Шалаөткізгіштердің металдардан ерекшелігі — олардың меншікті кедергілері () мен электр өткізгіштігі (σ) температура жоғарылағанда күрт өзгереді:  — кемиді, σ — артады; ал металдарда олар керісінше өзгереді. . Жартылайөткізгіштерде заряд тасымалдаушылар электрондар мен кемтіктер болып табылады. Жартылайөткізгіштерде заряд тасымалдаушылар процесі: дрейфті және диффузиялық деп бөлінеді.;  

20. Электронды-кемтіктікті ауысуға анықтама беріңіз.

Электронды-Кемтіктік Ауысу, p–n-ауысу – монокристалл жартылай өткізгіштерге легирлеуіш қоспа (қ. Легирлеуіш элементтер) араластырғанда қоспалық электрондық өткізгіштердің (n-типтес) қоспалық кемтіктік өткізгіштік (p-типтес) пайда болатын аймақ (облыс). Жартылай өткізгіштердің p-немесе n-аймақтарында көлемдік электр зарядтары түзіледі. Осы электр зарядтарының электр өрісі, p-не n-аймақтары арқылы негізгі ток тасушылардың өтуіне (яғни өткізгіштік электрондардың n-аймағынан p-аймағына қарай, ал кемтіктердің кері бағытта өтуіне) кедергі жасайды. Сондықтан сол шекарада негізгі ток тасушылар үшін жапқыш қабат дейтін қабат түзіледі. Сыртқы электр өрісінде Э.-к. а. бір жақты (вентильді) өткізгіштік қасиетке ие болады (яғни ол p-аймағынан n-аймағына қарай жүретін токты өткізеді де, ал кері бағытта жүретін токты іс жүзінде өткізбейді). Э.-к. а. әр түрлі жартылай өткізгіштік приборларда (мыс., түзеткіш диодта, транзисторларда, т.б.) кеңінен қолданылады.

21. p-n ауысудың вольт-амперлік сипаттамасын түсіндіріңіз. Р-п ауысуы бар өрістік тарнзитордың жаппа ретіндегі статикалық вольтамперлік сипаттамалары. Шығыс сипаттамалары

1) канал қимасының өзгеруі: жаппадағы тұрақты кернеу кезіндегі ток күшінің құймадағы кернеуден тәуелділігін қарастырайық. Бірінші учаскіде ВАС жайлатылған, құйманың Uст ұлғаю кезіндегі U0-ден Uнас токтың өсуі бірқалыпты. Осы учаскідегі ВАС-ң бірқалыпты еместігі Іст ұлғаю кезіндегі каналдың тарылуы және р-п ауысуындағы ПЗ облысының кеңейтілуімен түсіндіріледі, ПЗ облысының көп кеңеюі және каналдың тарылуы құйма жағынан болады , яғни жаппаның р-облысы және канал арасындағы потенциалдар айырмасы туындайды…

ВАС-ң кері бұтағы. ВАС-ң кері бұтағына келесі процестер әсер етеді.

1)р-п ауысуындағы заряд тасымалдаушылардың генерациясы. Р-п ауысу облысында, кристаллдың іргелес облыстары сияқты заряд тасымалдаушылардың жылулық генерация процесі жүреді. Осының арқасында пайда болған жұптар тесікті-элетрон ауысу өрісімен бөлінеді, ол диодтың кері токты тастайтын генерация деп аталатынның пайда болуына әкеледі, оны термоток деп те атайды. Кері жылжытудың өсуінен ауысуды термоток өседі.

2) Сыртқы токтың жойылуы . әртүрлі сыртқы ластанулар кристалл сыртындағы р-п ауысуының кедергісі оның көлем кедергісінен аз болуына әкеледі. Бұл жағдайда р-п ауысуының сыртқы кедергісі (кедергінің жойылуы) оның көлемдік кедергісін шунтирлейтін болады. Осыған байланысты жартылай өткізгіштік диодтардың кері токтары аз, ал сыртқы жылулар кейде қалыпты болады.

3) Р-п ауысуының тесілуі. Ауысудың тесілуі ауысудағы кернеудің аз өзгеруіне ауысу арқылы өтіп жатқан ток күшінің өзгеруінің жауап беруімен сипатталады. Р-п ауысуының тесілуінің екі негізгі механизімін айқындайды: жылулық және электронды тесілу. Сонымен қатар электронды тесілудің екі механизмі бар: көшкінді тесілу (немесе екпінді ионизация) және туннельді тесілу.

Жоғары жиілікті диодтар — әмбебапты тағайындалған құрылғылар. Олар токтарды түзету үшін кең жиілікті диапазонда (бірнеше жүздеген МГц), модуляциялау, детектрлай және басқа да электрлік сигналдардың бірқалыпты емес түзеткіштері үшін қолданылады. Жоғары жиілікті диодтардың қасиеттері келесі параметрлерді сипаттайды: тұрақты токтың өтуі арқылы диодтағы кернеудің төмендеуі; кері кернеу берілген кездегі кері ток; диодтың дифференциалды кедергісі; жұмыс жиілігінің диапазоны, осы түзетілген диод диапазонының кез-келген жиілігіндегі ток берілген деңгейде төменгі диапазон жиіліктеріндегі түзетілген ток мағынасымен салыстырғанда төмен болмауы керек. p-n-ауысудың тура байланысы:

p-n-ауысудың кері байланысы: Вольт амперлік  сипаттамасы: