Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Строение и свойства металлических сплавов

..pdf
Скачиваний:
2
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
27.88 Mб
Скачать
Рис. 131. Влияние марганца на вязкость закаленной стали пос­ ле отпуска (температура ука­ зана на кривых)
ак,кГп/см*
ап,/1н-п/пг

У п р у г о е в з а и м о д е й с т ­ вие. Кристаллическая решетка во­ круг дислокаций как указывалось ранее, искажена и это создает поле упругих напряжений. В случае крае­ вой дислокации решетка в одних местах сжата, в других растянута.

Растворенные в кристаллической решетке чужеродные атомы также создают упругие напряжения. При образовании раствора внедрения по радиусу возникают сжимающие на­ пряжения, а по окружности растя­ гивающие. В случае растворов заме­ щения возникают радиальные на­ пряжения сжатия, когда размер рас­ творенного атома меньше размера атомов основы, и растяжения — при

обратном соотношении, когда примесные атомы крупнее. Между примесными атомами и дислокациями возникает упругое взаимо­ действие (Мотт и Набарро; Коттрелл).

Упругая энергия взаимодействия примесных атомов с полем упругих напряжений дислокации равна работе, необходимой для замещения или внедрения атома примеси в поле дислокации. Эта

энергия U пропорциональна напряжению сг(г)

и деформации

е(г), возникающим при таком внедрении или замещении:

U = j <Гдисл (Г) 8атом {г) d r .

(V I I I . 8 )

В общем случае при перемещении атома примеси из удален­ ной точки кристалла в точку, расположенную непосредственно у дислокации, энергия взаимодействия U меняется от нуля до ми­ нимального (отрицательного) значения /7т щ Величина Umщ — энергия связи примеси с дислокацией.

Если упругие свойства атомов примеси и основы одинаковы, то для случая замещения в поле краевой дислокации

 

t / m ln = ^ - s m e ,

(V I I I . 9 )

 

Г

 

где г и 0 — полярные

координаты примесного

атома по отно­

шению к ядру дислокации;

 

 

A = i G b r \ l ,

(V I I I . 1 0 )

где b — вектор Бюргерса;

 

г0— радиус атома основы;

помещении ино­

| — относительное

изменение объёма при

родного атома в матрицу.

 

 

 

299

Грубая оценка показывает, что энергия взаимодействия ато­

ма примеси

с дислокацией колеблется в пределах от

1,6* 10-19

до 1,6 • 10-21

дж (от 1 до 0,01 эв).

которых

Анализ показывает, что примесные атомы, радиус

больше атомного радиуса основы, будут стремиться замещать атомы основы в растянутой области, при обратном соотношении атомных радиусов они будут концентрироваться в сжатой обла­ сти. Атомы внедрения будут стремиться в растянутые участки вокруг дислокаций.

Поскольку энергия взаимодействия обратно пропорциональ­ на расстоянию, примесные атомы стремятся собираться вблизи ядра дислокаций, т. е. образовать облако Коттрелла. Очевидно, что примесные атомы замещения будут располагаться вблизи ядра дислокации (на конце экстраплоскости), а атомы внедре­ ния — в междоузлии над экстраплоскостью.

Равновесная концентрация примесных атомов в элементе объ­

ема с координатами (г, 6) определяется выражением

 

Ц(г, 6)

(VIII. 11)

С= С$ kT

где Со — средняя концентрация;

 

0 — энергия взаимодействия;

примес­

г и 0 — полярные координаты объема, содержащего

ные атомы.

 

По мере удаления от ядра дислокации энергия взаимодейст­ вия примесей с нею уменьшается и резко падает концентрация примесных атомов. При г = За (а — параметр кристаллической решетки) энергия упругого взаимодействия имеет величину по­ рядка энергии теплового движения {kT). Поэтому на расстоянии г > За примеси не могут собираться в устойчивое облако из-за теплового движения, рассасываются. Чем выше температура, тем меньше концентрация примесных атомов, образующих обла­ ко, а устойчивые образования, возникшие при более низких тем­ пературах, могут с повышением температуры рассасываться. При некоторой температуре Т\ облако оказывается насыщен­ ным — число примесных атомов вдоль оси дислокации прибли­ жается к предельному: С ->■ Сь которому соответствует макси­ мальное использование свободного объема. Можно показать, что для полной блокировки дислокаций необходимо очень малое со­ держание примеси в решетке основного металла. Например,

концентрация

атомов примеси,

необходимая для образования

плотных рядов

на всех

дислокациях,

будет

пропорциональна

NA2, где N — плотность дислокации,

А — межатомное расстоя­

ние. Взяв N =

108 см~2 и А = 3 • 10-8 см, получим концентрацию

атомов примеси всего лишь 10-5%

(ат.).

в з а и м о д е й с т ­

Э л е к т р и ч е с к о е

( к у л о н о в с к о е )

вие (в

м е т а л л а х ) .

Это взаимодействие связано с особен­

ностями

распределения электронов в участках кристаллической

300

решетки, окружающих дислокацию. В случае неравномерного распределения ионов возникнут искажения, из-за наличия кото­ рых также неравномерным окажется распределение электронов и наступит местное нарушение нейтральности. Недостаток элек­ тронов в уплотненных участках решетки вокруг дислокации при­ ведет к появлению положительного заряда, а избыток электронов в областях растяжения создаст отрицательный заряд. Это рас­ пределение зарядов вдоль краевой дислокации можно предста­ вить как линейный диполь. Такая система взаимодействует с то­ чечными дефектами, которые могут рассматриваться как носи­ тели точечного заряда. При наличии примесного иона возникает взаимодействие между его положительным зарядом и отрица­ тельно заряженной областью дислокации. Кулоновские силы притяжения вызовут перераспределение примесей. Количествен­ ная оценка показывает, что электрическое взаимодействие в ме­ таллах слабее, чем упругое, но при гх = го электрическое взаимо­ действие может оказаться единственным, так как упругое взаи­

модействие в этом случае равно нулю

(г0— атомный радиус ос­

новы, г1— радиус примесного атома).

Например,

для сплава

Си — Zn (где избыточная валентность цинка равна

1) величина

энергии взаимодействия дислокации с атомами примеси состав­ ляет 8 • 10-22 дж (0,005 эв).

Приблизительная оценка взаимодействия дислокаций с рас­ творенными атомами для меди с двухвалентной примесью дает величину 3,2- 10-21 дж (0,02 эв). Это меньше упругого взаимо­ действия. Однако более точная оценка — с более полным учетом изменения поверхности Ферми для матричных атомов меди и характера экранирования примесных атомов — показывает, что электрическое взаимодействие имеет тот же порядок, что и упру­ гое. Оно также может приводить к возникновению атмосфер и к упрочнению в связи с необходимостью срыва дислокаций [14].

Электрическое взаимодействие, возможно, имеет место в твер­ дом растворе алюминия в серебре, для которого обнаружено сильное упрочнение. На такое взаимодействие указывает боль­ шое различие в валентностях (1 и 3) и вместе с тем слабое из­ менение параметра. В работе [273] отмечалось, что при легиро­ вании серебра алюминием и наоборот сильно изменяется энергия активации самодиффузии и модуль упругости, что связывалось с изменением плотности электронов проводимости с учетом опять же различия валентностей.

Таким образом, этот вклад в энергию связи может быть су­ щественным только при большой разнице в валентностях (Фридель).

Х и м и ч е с к о е в з а и м о д е й с т в и е . В металлах с г. ц. к. решеткой, в которых дислокации обычно расщепляются на ча­ стичные, кроме упругого, возможно химическое взаимодействие дислокации с примесными атомами (образование атмосфер Сузуки). Атомные слои, образующие дефекты упаковки, имеют в

301

данном случае гексагональную упаковку вместо кубической. Различие типа структур в смежных областях может привести к различным термохимическим свойствам, например энергия при­ месного атома внутри дефекта может оказаться меньше, а рас­ творимость — больше по сравнению с тем случаем, когда при­ месный атом находится в объеме металла без дефекта. Поэтому возникает взаимодействие между расщепленной дислокацией и примесями, называемое «химическим» взаимодействием. Энергия связи атома примеси с растянутой дислокацией — порядка 1,6* 10~20—3,2* 10-20 дж (0,1—0,2 эв) и больше в зависимости от характера электронной структуры образующегося комплекса. Такое взаимодействие наблюдается между серебром и цинком, атомы последнего занимают предпочтительно места в дефектах упаковки. Эффект Сузуки проанализирован, в частности, для системы Ni — Со [14]. Учитывая сходство элементов, можно по­ лагать, что система близка к идеальному раствору, а степень ближнего порядка невелика. Из теории следует, что зависимость критического напряжения сдвига от молярной концентрации ли­ нейная, что и имеет место.

Т а б л и ц а 27. Энергия связи точечных дефектов с дислокациями

 

Величина

 

^элект’

Точечные дефекты

искажения

и у п у

решетки в,

10~21 дж(эв)

10—21 дж(эв)

 

 

%

 

 

о

I

I сз~

 

о

Межузельные атомы

6-20

32—80

3,2

32—80(0,2—0,5) +

в металлах (инород­

 

(0,2—0,5)

(0,02)

+химическая в

ные или собственные)

 

 

 

г. ц. к.: 16—80

 

1—4

8—16

3,2

(0,1—0,5)

Атомы замещения в

8—16(0,05—0,1) +

металлах

 

(0,05-0,1)

(0,02)

+химическая в

 

 

 

 

г. ц. к.: 16—80

 

 

3,2

3,2

(0,1—0,5)

Вакансии в металлах

1

6.4 (0,04)

Межузельные атомы

 

(0,02)

(0,02)

16 (0,1) +химиче-

5

—1,6

1,6

и полупроводниках

 

(-0,01)

(0,01)

ская 320—480

Атомы замещения

1 -4

8—16

1,6

(2-3)

8—16(0,05—0,1) +

в полупроводниках

 

(0,05-0,1)

(0,01)

+химическая

Вакансии в полупро­

 

3,2

1,6

320—480 (2—3)

>1

4,8 (0,03)

водниках

 

(0,02)

(0,01)

 

Межузельные ионы и

10

8 -16

16—160

16-160 (0,1—1,0)

ионы замещения в

 

(0,05—0,1)

(0,1-1,0)

 

ионных кристаллах

5—10

4,8—9,6

16—160

 

Вакансии в ионных

16-160 (0,1—1,0)

кристаллах

 

(0,03—0,06)

(0,1 —1,0)

 

302

В

полупроводнико­

 

 

 

вых кристаллах с кова­

 

 

 

лентной связью

(герма­

 

^

ний,

кремний)

вдоль

Рис. 132.

оси

г

'

 

Отрыв дислокации от атмосферы Коттрелла

краевой

дислока­

 

 

 

ции располагаются ато­

 

 

образуя (в полупроводниках

мы с неспаренными электронами,

гс-типа)

отрицательный

заряд.

В

результате взаимодействия с

примесными атомами, имеющими непарные электроны, возника­ ет устойчивая двухвалентная электронная конфигурация. Обла­ ко из примесных атомов, связанных химическим взаимодействи­ ем с дислокациями, достигает размера ~ 10~5 см. Энергия связи примесного атома с дислокацией в случае обменного взаимодей­ ствия весьма значительна и может достигать нескольких электронвольт.

Химическое взаимодействие может быть связано с наличием в твердых растворах ближнего порядка (взаимодействие Фишера).

Величины энергии взаимодействия различного типа точечных дефектов с дислокациями представлены в табл. 27.

Н а п р я ж е н и я , н е о б х о д и м ы е д л я о т р ы в а

д и с ­

л о к а ц и и от о б л а к а

п р и м е с и . Линия краевой

дисло­

кации,

насыщенной примесями, ркаймлена рядом чужеродных

атомов,

расположенных

на очень малом расстоянии г от нее

(г ^ Ь). Эти атомы удерживают дислокацию на месте. Напря­ жение, необходимое для отрыва дислокации, по порядку вели­

чины

равно

 

__ Cl (Цвз)

где

Ci — концентрация атомов примеси на дислокации;

 

b — вектор Бюргерса;

Uвз — энергия взаимодействия атомов примеси с дислока­

цией.

С повышением температуры наблюдается уменьшение напря­ жения отрыва. Это можно объяснить, если учесть эффект терми­ ческой активации (Коттрелл и Билби). Оценка ас сделана в предположении о том, что дислокация при отрыве от атомов при­ меси остается параллельной этому ряду примеси. Если же ди­ слокационная линия изгибается (рис. 132), то локальные терми­ ческие флуктуации могут оторвать дислокацию от атомов при­

меси в результате образования петли на линии

дислокации.

В этом случае а < ас-

необходимой

Были сделаны расчеты энергии активации Е0,

для образования такой петли в случае дислокаций, насыщенных облаком примесей. Оказалось, что

303

где / — отрезок линии дислокации, образующий петлю;

г— радиус цилиндрической области вокруг кристалла, где достигается насыщение, т. е. концентрация, примесей

равна Ci.

При такой большой энергии активации Е0 (несколько десят­ ков электрон-вольт) скорость теплового освобождения дислока­ ций пренебрежимо мала.

Д в и ж е н и е д и с л о к а ц и й в у п о р я д о ч е н н о м т в е р ­

дом р а с т в о р е .

Упрочнение в твердом растворе обычно рас­

сматривается для

случая полностью неупорядоченного сплава.

Когда

в решетке существует преимущественное расположение

атомов

(ближний или дальний порядок), это приводит к допол­

нительному упрочнению, т. е. для движения дислокаций нужна дополнительная энергия. В случае упорядоченных твердых рас­ творов (СизАи, Ni3Mn) появление краевой дислокации приводит к нарушению полной степени упорядочения, образуется граница антифазного домена, такая граница имеет характеристическую энергию, зависящую от степени упорядочения решетки. Сохране­ ние в этом случае дальнего порядка возможно, если в решетке будут существовать пары дислокаций. Такая дислокация восста­ навливает первоначальное расположение атомов. Поэтому пол­ ная дислокация в упорядоченной решетке состоит из двух обыч­ ных дислокаций, соединенных антифазной границей (А. Ф. Г.) — такая дислокация называется сверхструктурной (рис. 133). Для ее движения необходимо дополнительное напряжение.

Характер распределения примесных атомов в кристалле с дислокацией будет другой, чем в бездислокационном кристалле.

Вблизи дислокаций устанавливается ближний

порядок, причем

/

 

2

Нопер дислокации

3

4

I

I

 

 

I

I

304

распределение примесных атомов соответствует минимуму энер­ гии. Такого рода ближний порядок оказывает определен­ ное влияние на механические свойства. Скольжение дислокаций на расстояние, равное одному вектору Бюргерса, приводит к на­ рушению локального порядка вдоль плоскости скольжения; рас­ пределение связей становится характерным для неупорядочен­ ного состояния в данной области. Исходя из среднего числа свя­ зей, пересекаемых при скольжении, можно оценить напряжение, требуемое для передвижения дислокации при наличии локаль­ ного порядка [15, 14]:

m A r n R v а

1

(VIIIЛ 2)

т = 1 6 ] / 6

 

где /П.4 и шв — молекулярные доли компонентов А и В; а — параметр решетки;

у — энергия взаимодействия для каждой связи раз­ ноименных атомов;

ai — параметр локального порядка (определяемый рентгеноили нейтронографически, см. гл. IV).

Из уравнения (VIII.9) следует, что при прочих равных усло­ виях упрочнение, связанное с локальным порядком в о. ц. к. кри­ сталле, вдвое эффективнее, чем в г. ц. к., так как для данного атомного объема а? в первом случае оно оказывается в два раза меньше.

Консервативное движение дислокаций в решетке с равномер­ ным распределением примесных атомов еще не дает заметного эффекта упрочнения. В разбавленных растворах значительное упрочнение будет иметь место при наличии предпочтительных, энергетически более выгодных распределений примесных атомов.

Эффективность барьерного действия растворенных атомов, как указывалось, естественно зависит от температуры испыта­ ния. Зависимость эта носит сложный характер. При низких (комнатная и ниже) температурах даже ближнее взаимодейст­ вие преодолевается главным образом за счет внешних напряже­ ний (из-за малой скорости диффузии взаимодействие ближнего порядка, типа атмосфер Коттрелла, неэффективно). В области средних температур приобретает значение возможность диффу­ зионного перераспределения атомов. При скорости диффузии растворенных атомов, равной скорости движения дислокаций, происходит постоянное торможение дислокаций и увеличение В этом случае предел текучести будет зависеть от коэффициента

диффузии примесных атомов в решетке твердого раствора (со­ гласно Коттреллу, критическая скорость дислокации с/кр, при которой дислокация освобождается от примесей,

305

где D — коэффициент диффузии примеси, а I связан с радиусом облака) [16].

При высоких температурах ( ^ - ^ - Тпл) большая скорость

диффузии и статистически равномерное распределение раство­ ренных атомов делают малоэффективными многие барьеры, обу­

словливающие упрочнение при относительно

низких

темпера­

турах.

 

 

 

уп­

При образовании твердых растворов внедрения эффект

рочнения больше, чем

при образовании растворов замещения.

Так, введение в железо

каждой сотой процента углерода

или

азота дает прирост as ~

40 50 Мн/м2 (4—5 кГ/мм2),

а введе­

ние такого же количества никеля — на два

порядка

меньше:

- 0 ,3 Мн/м2 (0,03 кГ/мм2) [267].

 

 

 

Атомы внедрения в решетке могут занимать некоторое пре­ имущественное положение в поле напряжений, создаваемом ди­ слокацией (атмосферы Снука). Несимметричные и значительные искажения кристаллической решетки при образовании растворов внедрения вызывают сильное взаимодействие атомов внедрения с дислокациями [277]. Так, для углерода в железе энергия взаи­

модействия U «

8 • 10-20 дж (0,5 эв), а для цинка в меди только

1,6 - 10-20 дж (0,1 эв) [14]. При тетрагональном искажении

(при­

меси внедрения

в о. ц. к. решетке)

напряжение течения

прямо

пропорционально концентрации

(или

У с). Для поликристаллов

 

as«

Ge2c,

 

 

где е — деформация смещения.

Соотношение подтверждается, например, для раствора угле­ рода в a-железе или в ниобии.

Сильную температурную зависимость предела текучести о. ц. к. металлов связывают либо со свойствами решетки (Грид­ нев, Трефилов [6]), либо с сильным взаимодействием с дислока­ циями примесей внедрения, растворимость которых в о. ц. к. очень мала (Давиденков, Чучман [274]). Хорошо известно, что уменьшение количества примесей внедрения в твердом растворе ослабляет температурную зависимость <js и уменьшает хладно­ ломкость. Например, в поликристаллическом молибдене техни­ ческой чистоты порог хладноломкости находится вблизи ком­ натной температуры: в монокристалле молибдена, полученном зонной плавкой,— около —140° С, а после превращения моно­ кристалла в поликристалл (рекристаллизации) порог хладно­ ломкости равен —70° С. Техническое железо хрупко разрушает­ ся при температуре жидкого азота, а железо, очищенное зонной плавкой, остается пластичным и при 1,2° К; щелочные металлы, также имеющие о. ц. к. решетку, но не образующие растворы внедрения, вообще не склонны к хладноломкости [275].

Хладноломкость о. ц. к. металлов в этом случае связывается с присутствием атомов внедрения, блокирующих дислокации н

306

затрудняющих

образование новых.

 

 

 

Мн/м*

Однако

нет

оснований

исключать

 

 

 

 

влияние

на

хладноломкость

изме­

 

 

 

 

нения с температурой свойств самой

 

 

 

 

решетки.

 

основанная

на упругом

 

 

 

210

Теория,

 

 

 

 

взаимодействии

примесей

внедре­

 

 

 

т

ния с дислокациями, все же не объ­

 

 

 

ясняет полностью наблюдаемые эф­

 

 

 

 

фекты. Возможно также, как указы­

 

 

 

 

валось выше, электрическое и хими­

 

 

 

70

ческое взаимодействие.

Так, азот

 

 

 

 

сильнее

блокирует дислокации, чем

 

 

 

 

углерод,

хотя

степень

искажения

 

 

 

 

решетки они создают примерно оди­

 

 

 

 

наковую и,

кроме того,

определен­

 

 

 

 

ный

вклад в увеличение as о. ц. к.

Рис.

134.

Температурная зависи­

металлов вносит изменение

состоя­

мость

предела

пропорциональ­

ния

решетки твердого раствора.

ности никеля (/), а также

сплавов

никеля с углеродом

Упрочнение

за счет атмосфер

[2 — 0,5%

(ат.);

3 — 1,0% (ат.)]

Коттрелла наблюдаетя

также в ме­

 

 

 

 

таллах с плотной упаковкой, например при растворении азота в кадмии и цинке или углерода в никеле. Так, *в чистом никеле (как это обычно наблюдается в г. ц. к. металлах) температурная зависимость os не велика. Но при введении небольшого количе­ ства углерода предел пропорциональности сильно возрастает с понижением температуры (рис. 134). Однако в общем случае в металлах с г. ц. к. решеткой энергия взаимодействия дислокаций с атомами внедрения значительно меньше, чем в о. ц. к. метал­ лах, насыщение дислокаций примесными атомами происходит при очень низких температурах, а напряжение отрыва дислока­ ций меньше и температурная зависимость os слабее.

Взаимодействие дислокаций с примесями внедрения и, следо­ вательно, изменение механических свойств зависят от состава твердого раствора. Так, при исследовании амплитуднозависимо­ го внутреннего трения было показано, что никель и кобальт уменьшают энергию взаимодействия примесей внедрения с ди­

слокациями в решетке a-железа. Введение

3% Ni уменьшает

энергию связи углерода с

дислокациями

от

—^8*10-20

до

~3,2- 10~20 дж (от ~0,5 до

— 0,2 эв). Кремний,

наоборот,

по­

вышает энергию связи [203].

 

 

 

 

Гетерогенная структура

Подвижность дислокаций в материале с гетерогенной струк­ турой сильно ограничена. Наиболее эффективные способы упроч­ нения сплавов связаны с созданием внутренней неоднородности твердого раствора или гетерофазности.

307

Весьма эффективным структурным фактором упрочнения яв­ ляется образование на начальных стадиях старения химической неоднородности. При образовании пересыщенного твердого рас­ твора эффект упрочнения до начала старения такой же, как при введении чужеродных атомов в твердый раствор. Это, например, показано при исследовании сплавов А1 — Си с переменным со­ держанием меди. Однако если старение началось, то изменение свойств происходит скачком [185]. На примере классической си­ стемы А1 — Си показано, что в случае естественного старения (комнатная температура) предел текучести будет максималь­

ным, если размер когерентных (или частично когерентных выде-

о

лений) составляет 5—100 нм (50—1000 А ). Начальные стадии старения существенно увеличивают прочность в монокристаллах А1 + 1,7% Си — на два порядка. Максимальный эффект наблю­ дается при наличии когерентных образований (зон Г — П или упорядоченных зон 0", или во всяком случае частично когерент­ ных выделений 0' при более высоких температурах старения). При этом, однако, скорость деформационного упрочнения неве­ лика и мало отличается от таковой для чистого металла. Наобо­ рот, для некогерентных выделений она значительна, хотя по абсолютной величине прочность ниже. На рис. 135 показаны кри­ вые истинных напряжений после различной продолжительности старения алюминиевого сплава при 190° С. До т = 30 ч образу­ ются когерентные 0" выделения, скорость упрочнения мала; при т ^ 100 ч — 0' и 0, скорость упрочнения велика. После дости­ жения некоторого предела скорость упрочнения больше не воз­ растает [185].

Наибольшая интенсивность упрочнения во всех случаях на­ блюдается в начале деформации. После нескольких процентов деформации она заметно падает.

Подобная картина наблюдается и при исследовании поликри­ сталлов: если в структуре сплава содержатся мелкодисперсные

Пн/пг (кГ/пм2)

Рис. 135. Кривые истинных напряжении для сплава А1 + 1,68°/о Си после закалки старения при 190° С:

/ — 2 ч\ 2 — 30 ч; 3 — 100 ч; 4 — 300 ч (кривые / и 2 приведены не полностью)

308