книги / Строение и свойства металлических сплавов
..pdfУ п р у г о е в з а и м о д е й с т вие. Кристаллическая решетка во круг дислокаций как указывалось ранее, искажена и это создает поле упругих напряжений. В случае крае вой дислокации решетка в одних местах сжата, в других растянута.
Растворенные в кристаллической решетке чужеродные атомы также создают упругие напряжения. При образовании раствора внедрения по радиусу возникают сжимающие на пряжения, а по окружности растя гивающие. В случае растворов заме щения возникают радиальные на пряжения сжатия, когда размер рас творенного атома меньше размера атомов основы, и растяжения — при
обратном соотношении, когда примесные атомы крупнее. Между примесными атомами и дислокациями возникает упругое взаимо действие (Мотт и Набарро; Коттрелл).
Упругая энергия взаимодействия примесных атомов с полем упругих напряжений дислокации равна работе, необходимой для замещения или внедрения атома примеси в поле дислокации. Эта
энергия U пропорциональна напряжению сг(г) |
и деформации |
е(г), возникающим при таком внедрении или замещении: |
|
U = j <Гдисл (Г) 8атом {г) d r . |
(V I I I . 8 ) |
В общем случае при перемещении атома примеси из удален ной точки кристалла в точку, расположенную непосредственно у дислокации, энергия взаимодействия U меняется от нуля до ми нимального (отрицательного) значения /7т щ Величина Umщ — энергия связи примеси с дислокацией.
Если упругие свойства атомов примеси и основы одинаковы, то для случая замещения в поле краевой дислокации
|
t / m ln = ^ - s m e , |
(V I I I . 9 ) |
|
Г |
|
где г и 0 — полярные |
координаты примесного |
атома по отно |
шению к ядру дислокации; |
|
|
|
A = i G b r \ l , |
(V I I I . 1 0 ) |
где b — вектор Бюргерса; |
|
|
г0— радиус атома основы; |
помещении ино |
|
| — относительное |
изменение объёма при |
|
родного атома в матрицу. |
|
|
|
|
299 |
Грубая оценка показывает, что энергия взаимодействия ато
ма примеси |
с дислокацией колеблется в пределах от |
1,6* 10-19 |
до 1,6 • 10-21 |
дж (от 1 до 0,01 эв). |
которых |
Анализ показывает, что примесные атомы, радиус |
больше атомного радиуса основы, будут стремиться замещать атомы основы в растянутой области, при обратном соотношении атомных радиусов они будут концентрироваться в сжатой обла сти. Атомы внедрения будут стремиться в растянутые участки вокруг дислокаций.
Поскольку энергия взаимодействия обратно пропорциональ на расстоянию, примесные атомы стремятся собираться вблизи ядра дислокаций, т. е. образовать облако Коттрелла. Очевидно, что примесные атомы замещения будут располагаться вблизи ядра дислокации (на конце экстраплоскости), а атомы внедре ния — в междоузлии над экстраплоскостью.
Равновесная концентрация примесных атомов в элементе объ
ема с координатами (г, 6) определяется выражением |
|
Ц(г, 6) |
(VIII. 11) |
С= С$ kT |
|
где Со — средняя концентрация; |
|
0 — энергия взаимодействия; |
примес |
г и 0 — полярные координаты объема, содержащего |
|
ные атомы. |
|
По мере удаления от ядра дислокации энергия взаимодейст вия примесей с нею уменьшается и резко падает концентрация примесных атомов. При г = За (а — параметр кристаллической решетки) энергия упругого взаимодействия имеет величину по рядка энергии теплового движения {kT). Поэтому на расстоянии г > За примеси не могут собираться в устойчивое облако из-за теплового движения, рассасываются. Чем выше температура, тем меньше концентрация примесных атомов, образующих обла ко, а устойчивые образования, возникшие при более низких тем пературах, могут с повышением температуры рассасываться. При некоторой температуре Т\ облако оказывается насыщен ным — число примесных атомов вдоль оси дислокации прибли жается к предельному: С ->■ Сь которому соответствует макси мальное использование свободного объема. Можно показать, что для полной блокировки дислокаций необходимо очень малое со держание примеси в решетке основного металла. Например,
концентрация |
атомов примеси, |
необходимая для образования |
||||
плотных рядов |
на всех |
дислокациях, |
будет |
пропорциональна |
||
NA2, где N — плотность дислокации, |
А — межатомное расстоя |
|||||
ние. Взяв N = |
108 см~2 и А = 3 • 10-8 см, получим концентрацию |
|||||
атомов примеси всего лишь 10-5% |
(ат.). |
в з а и м о д е й с т |
||||
Э л е к т р и ч е с к о е |
( к у л о н о в с к о е ) |
|||||
вие (в |
м е т а л л а х ) . |
Это взаимодействие связано с особен |
||||
ностями |
распределения электронов в участках кристаллической |
300
решетки, окружающих дислокацию. В случае неравномерного распределения ионов возникнут искажения, из-за наличия кото рых также неравномерным окажется распределение электронов и наступит местное нарушение нейтральности. Недостаток элек тронов в уплотненных участках решетки вокруг дислокации при ведет к появлению положительного заряда, а избыток электронов в областях растяжения создаст отрицательный заряд. Это рас пределение зарядов вдоль краевой дислокации можно предста вить как линейный диполь. Такая система взаимодействует с то чечными дефектами, которые могут рассматриваться как носи тели точечного заряда. При наличии примесного иона возникает взаимодействие между его положительным зарядом и отрица тельно заряженной областью дислокации. Кулоновские силы притяжения вызовут перераспределение примесей. Количествен ная оценка показывает, что электрическое взаимодействие в ме таллах слабее, чем упругое, но при гх = го электрическое взаимо действие может оказаться единственным, так как упругое взаи
модействие в этом случае равно нулю |
(г0— атомный радиус ос |
|
новы, г1— радиус примесного атома). |
Например, |
для сплава |
Си — Zn (где избыточная валентность цинка равна |
1) величина |
энергии взаимодействия дислокации с атомами примеси состав ляет 8 • 10-22 дж (0,005 эв).
Приблизительная оценка взаимодействия дислокаций с рас творенными атомами для меди с двухвалентной примесью дает величину 3,2- 10-21 дж (0,02 эв). Это меньше упругого взаимо действия. Однако более точная оценка — с более полным учетом изменения поверхности Ферми для матричных атомов меди и характера экранирования примесных атомов — показывает, что электрическое взаимодействие имеет тот же порядок, что и упру гое. Оно также может приводить к возникновению атмосфер и к упрочнению в связи с необходимостью срыва дислокаций [14].
Электрическое взаимодействие, возможно, имеет место в твер дом растворе алюминия в серебре, для которого обнаружено сильное упрочнение. На такое взаимодействие указывает боль шое различие в валентностях (1 и 3) и вместе с тем слабое из менение параметра. В работе [273] отмечалось, что при легиро вании серебра алюминием и наоборот сильно изменяется энергия активации самодиффузии и модуль упругости, что связывалось с изменением плотности электронов проводимости с учетом опять же различия валентностей.
Таким образом, этот вклад в энергию связи может быть су щественным только при большой разнице в валентностях (Фридель).
Х и м и ч е с к о е в з а и м о д е й с т в и е . В металлах с г. ц. к. решеткой, в которых дислокации обычно расщепляются на ча стичные, кроме упругого, возможно химическое взаимодействие дислокации с примесными атомами (образование атмосфер Сузуки). Атомные слои, образующие дефекты упаковки, имеют в
301
данном случае гексагональную упаковку вместо кубической. Различие типа структур в смежных областях может привести к различным термохимическим свойствам, например энергия при месного атома внутри дефекта может оказаться меньше, а рас творимость — больше по сравнению с тем случаем, когда при месный атом находится в объеме металла без дефекта. Поэтому возникает взаимодействие между расщепленной дислокацией и примесями, называемое «химическим» взаимодействием. Энергия связи атома примеси с растянутой дислокацией — порядка 1,6* 10~20—3,2* 10-20 дж (0,1—0,2 эв) и больше в зависимости от характера электронной структуры образующегося комплекса. Такое взаимодействие наблюдается между серебром и цинком, атомы последнего занимают предпочтительно места в дефектах упаковки. Эффект Сузуки проанализирован, в частности, для системы Ni — Со [14]. Учитывая сходство элементов, можно по лагать, что система близка к идеальному раствору, а степень ближнего порядка невелика. Из теории следует, что зависимость критического напряжения сдвига от молярной концентрации ли нейная, что и имеет место.
Т а б л и ц а 27. Энергия связи точечных дефектов с дислокациями
|
Величина |
|
^элект’ |
|
Точечные дефекты |
искажения |
и у п у |
||
решетки в, |
10~21 дж(эв) |
10—21 дж(эв) |
||
|
||||
|
% |
|
|
о |
I |
I сз~ |
|
|
о |
Межузельные атомы |
6-20 |
32—80 |
3,2 |
32—80(0,2—0,5) + |
в металлах (инород |
|
(0,2—0,5) |
(0,02) |
+химическая в |
ные или собственные) |
|
|
|
г. ц. к.: 16—80 |
|
1—4 |
8—16 |
3,2 |
(0,1—0,5) |
Атомы замещения в |
8—16(0,05—0,1) + |
|||
металлах |
|
(0,05-0,1) |
(0,02) |
+химическая в |
|
|
|
|
г. ц. к.: 16—80 |
|
|
3,2 |
3,2 |
(0,1—0,5) |
Вакансии в металлах |
1 |
6.4 (0,04) |
||
Межузельные атомы |
|
(0,02) |
(0,02) |
16 (0,1) +химиче- |
5 |
—1,6 |
1,6 |
||
и полупроводниках |
|
(-0,01) |
(0,01) |
ская 320—480 |
Атомы замещения |
1 -4 |
8—16 |
1,6 |
(2-3) |
8—16(0,05—0,1) + |
||||
в полупроводниках |
|
(0,05-0,1) |
(0,01) |
+химическая |
Вакансии в полупро |
|
3,2 |
1,6 |
320—480 (2—3) |
>1 |
4,8 (0,03) |
|||
водниках |
|
(0,02) |
(0,01) |
|
Межузельные ионы и |
10 |
8 -16 |
16—160 |
16-160 (0,1—1,0) |
ионы замещения в |
|
(0,05—0,1) |
(0,1-1,0) |
|
ионных кристаллах |
5—10 |
4,8—9,6 |
16—160 |
|
Вакансии в ионных |
16-160 (0,1—1,0) |
|||
кристаллах |
|
(0,03—0,06) |
(0,1 —1,0) |
|
302
В |
полупроводнико |
|
|
|
|||
вых кристаллах с кова |
|
|
|
||||
лентной связью |
(герма |
|
^ |
„ |
|||
ний, |
кремний) |
вдоль |
Рис. 132. |
||||
оси |
г |
„ |
' |
|
Отрыв дислокации от атмосферы Коттрелла |
||
краевой |
дислока |
|
|
|
|||
ции располагаются ато |
|
|
образуя (в полупроводниках |
||||
мы с неспаренными электронами, |
|||||||
гс-типа) |
отрицательный |
заряд. |
В |
результате взаимодействия с |
примесными атомами, имеющими непарные электроны, возника ет устойчивая двухвалентная электронная конфигурация. Обла ко из примесных атомов, связанных химическим взаимодействи ем с дислокациями, достигает размера ~ 10~5 см. Энергия связи примесного атома с дислокацией в случае обменного взаимодей ствия весьма значительна и может достигать нескольких электронвольт.
Химическое взаимодействие может быть связано с наличием в твердых растворах ближнего порядка (взаимодействие Фишера).
Величины энергии взаимодействия различного типа точечных дефектов с дислокациями представлены в табл. 27.
Н а п р я ж е н и я , н е о б х о д и м ы е д л я о т р ы в а |
д и с |
||
л о к а ц и и от о б л а к а |
п р и м е с и . Линия краевой |
дисло |
|
кации, |
насыщенной примесями, ркаймлена рядом чужеродных |
||
атомов, |
расположенных |
на очень малом расстоянии г от нее |
(г ^ Ь). Эти атомы удерживают дислокацию на месте. Напря жение, необходимое для отрыва дислокации, по порядку вели
чины |
равно |
|
__ Cl (Цвз) |
где |
Ci — концентрация атомов примеси на дислокации; |
|
b — вектор Бюргерса; |
Uвз — энергия взаимодействия атомов примеси с дислока |
цией.
С повышением температуры наблюдается уменьшение напря жения отрыва. Это можно объяснить, если учесть эффект терми ческой активации (Коттрелл и Билби). Оценка ас сделана в предположении о том, что дислокация при отрыве от атомов при меси остается параллельной этому ряду примеси. Если же ди слокационная линия изгибается (рис. 132), то локальные терми ческие флуктуации могут оторвать дислокацию от атомов при
меси в результате образования петли на линии |
дислокации. |
В этом случае а < ас- |
необходимой |
Были сделаны расчеты энергии активации Е0, |
для образования такой петли в случае дислокаций, насыщенных облаком примесей. Оказалось, что
303
где / — отрезок линии дислокации, образующий петлю;
г— радиус цилиндрической области вокруг кристалла, где достигается насыщение, т. е. концентрация, примесей
равна Ci.
При такой большой энергии активации Е0 (несколько десят ков электрон-вольт) скорость теплового освобождения дислока ций пренебрежимо мала.
Д в и ж е н и е д и с л о к а ц и й в у п о р я д о ч е н н о м т в е р
дом р а с т в о р е . |
Упрочнение в твердом растворе обычно рас |
|
сматривается для |
случая полностью неупорядоченного сплава. |
|
Когда |
в решетке существует преимущественное расположение |
|
атомов |
(ближний или дальний порядок), это приводит к допол |
нительному упрочнению, т. е. для движения дислокаций нужна дополнительная энергия. В случае упорядоченных твердых рас творов (СизАи, Ni3Mn) появление краевой дислокации приводит к нарушению полной степени упорядочения, образуется граница антифазного домена, такая граница имеет характеристическую энергию, зависящую от степени упорядочения решетки. Сохране ние в этом случае дальнего порядка возможно, если в решетке будут существовать пары дислокаций. Такая дислокация восста навливает первоначальное расположение атомов. Поэтому пол ная дислокация в упорядоченной решетке состоит из двух обыч ных дислокаций, соединенных антифазной границей (А. Ф. Г.) — такая дислокация называется сверхструктурной (рис. 133). Для ее движения необходимо дополнительное напряжение.
Характер распределения примесных атомов в кристалле с дислокацией будет другой, чем в бездислокационном кристалле.
Вблизи дислокаций устанавливается ближний |
порядок, причем |
||||
/ |
|
2 |
Нопер дислокации |
3 |
4 |
I |
I |
|
|
I |
I |
304
распределение примесных атомов соответствует минимуму энер гии. Такого рода ближний порядок оказывает определен ное влияние на механические свойства. Скольжение дислокаций на расстояние, равное одному вектору Бюргерса, приводит к на рушению локального порядка вдоль плоскости скольжения; рас пределение связей становится характерным для неупорядочен ного состояния в данной области. Исходя из среднего числа свя зей, пересекаемых при скольжении, можно оценить напряжение, требуемое для передвижения дислокации при наличии локаль ного порядка [15, 14]:
m A r n R v а |
1 |
(VIIIЛ 2) |
т = 1 6 ] / 6 |
|
где /П.4 и шв — молекулярные доли компонентов А и В; а — параметр решетки;
у — энергия взаимодействия для каждой связи раз ноименных атомов;
ai — параметр локального порядка (определяемый рентгеноили нейтронографически, см. гл. IV).
Из уравнения (VIII.9) следует, что при прочих равных усло виях упрочнение, связанное с локальным порядком в о. ц. к. кри сталле, вдвое эффективнее, чем в г. ц. к., так как для данного атомного объема а? в первом случае оно оказывается в два раза меньше.
Консервативное движение дислокаций в решетке с равномер ным распределением примесных атомов еще не дает заметного эффекта упрочнения. В разбавленных растворах значительное упрочнение будет иметь место при наличии предпочтительных, энергетически более выгодных распределений примесных атомов.
Эффективность барьерного действия растворенных атомов, как указывалось, естественно зависит от температуры испыта ния. Зависимость эта носит сложный характер. При низких (комнатная и ниже) температурах даже ближнее взаимодейст вие преодолевается главным образом за счет внешних напряже ний (из-за малой скорости диффузии взаимодействие ближнего порядка, типа атмосфер Коттрелла, неэффективно). В области средних температур приобретает значение возможность диффу зионного перераспределения атомов. При скорости диффузии растворенных атомов, равной скорости движения дислокаций, происходит постоянное торможение дислокаций и увеличение В этом случае предел текучести будет зависеть от коэффициента
диффузии примесных атомов в решетке твердого раствора (со гласно Коттреллу, критическая скорость дислокации с/кр, при которой дислокация освобождается от примесей,
305
где D — коэффициент диффузии примеси, а I связан с радиусом облака) [16].
При высоких температурах ( ^ - ^ - Тпл) большая скорость
диффузии и статистически равномерное распределение раство ренных атомов делают малоэффективными многие барьеры, обу
словливающие упрочнение при относительно |
низких |
темпера |
||
турах. |
|
|
|
уп |
При образовании твердых растворов внедрения эффект |
||||
рочнения больше, чем |
при образовании растворов замещения. |
|||
Так, введение в железо |
каждой сотой процента углерода |
или |
||
азота дает прирост as ~ |
40 50 Мн/м2 (4—5 кГ/мм2), |
а введе |
||
ние такого же количества никеля — на два |
порядка |
меньше: |
||
- 0 ,3 Мн/м2 (0,03 кГ/мм2) [267]. |
|
|
|
Атомы внедрения в решетке могут занимать некоторое пре имущественное положение в поле напряжений, создаваемом ди слокацией (атмосферы Снука). Несимметричные и значительные искажения кристаллической решетки при образовании растворов внедрения вызывают сильное взаимодействие атомов внедрения с дислокациями [277]. Так, для углерода в железе энергия взаи
модействия U « |
8 • 10-20 дж (0,5 эв), а для цинка в меди только |
|||
1,6 - 10-20 дж (0,1 эв) [14]. При тетрагональном искажении |
(при |
|||
меси внедрения |
в о. ц. к. решетке) |
напряжение течения |
прямо |
|
пропорционально концентрации |
(или |
У с). Для поликристаллов |
||
|
as« |
Ge2c, |
|
|
где е — деформация смещения.
Соотношение подтверждается, например, для раствора угле рода в a-железе или в ниобии.
Сильную температурную зависимость предела текучести о. ц. к. металлов связывают либо со свойствами решетки (Грид нев, Трефилов [6]), либо с сильным взаимодействием с дислока циями примесей внедрения, растворимость которых в о. ц. к. очень мала (Давиденков, Чучман [274]). Хорошо известно, что уменьшение количества примесей внедрения в твердом растворе ослабляет температурную зависимость <js и уменьшает хладно ломкость. Например, в поликристаллическом молибдене техни ческой чистоты порог хладноломкости находится вблизи ком натной температуры: в монокристалле молибдена, полученном зонной плавкой,— около —140° С, а после превращения моно кристалла в поликристалл (рекристаллизации) порог хладно ломкости равен —70° С. Техническое железо хрупко разрушает ся при температуре жидкого азота, а железо, очищенное зонной плавкой, остается пластичным и при 1,2° К; щелочные металлы, также имеющие о. ц. к. решетку, но не образующие растворы внедрения, вообще не склонны к хладноломкости [275].
Хладноломкость о. ц. к. металлов в этом случае связывается с присутствием атомов внедрения, блокирующих дислокации н
306
затрудняющих |
образование новых. |
|
|
|
Мн/м* |
|||||
Однако |
нет |
оснований |
исключать |
|
|
|
|
|||
влияние |
на |
хладноломкость |
изме |
|
|
|
|
|||
нения с температурой свойств самой |
|
|
|
|
||||||
решетки. |
|
основанная |
на упругом |
|
|
|
210 |
|||
Теория, |
|
|
|
|
||||||
взаимодействии |
примесей |
внедре |
|
|
|
т |
||||
ния с дислокациями, все же не объ |
|
|
|
|||||||
ясняет полностью наблюдаемые эф |
|
|
|
|
||||||
фекты. Возможно также, как указы |
|
|
|
|
||||||
валось выше, электрическое и хими |
|
|
|
70 |
||||||
ческое взаимодействие. |
Так, азот |
|
|
|
|
|||||
сильнее |
блокирует дислокации, чем |
|
|
|
|
|||||
углерод, |
хотя |
степень |
искажения |
|
|
|
|
|||
решетки они создают примерно оди |
|
|
|
|
||||||
наковую и, |
кроме того, |
определен |
|
|
|
|
||||
ный |
вклад в увеличение as о. ц. к. |
Рис. |
134. |
Температурная зависи |
||||||
металлов вносит изменение |
состоя |
мость |
предела |
пропорциональ |
||||||
ния |
решетки твердого раствора. |
ности никеля (/), а также |
||||||||
сплавов |
никеля с углеродом |
|||||||||
Упрочнение |
за счет атмосфер |
[2 — 0,5% |
(ат.); |
3 — 1,0% (ат.)] |
||||||
Коттрелла наблюдаетя |
также в ме |
|
|
|
|
таллах с плотной упаковкой, например при растворении азота в кадмии и цинке или углерода в никеле. Так, *в чистом никеле (как это обычно наблюдается в г. ц. к. металлах) температурная зависимость os не велика. Но при введении небольшого количе ства углерода предел пропорциональности сильно возрастает с понижением температуры (рис. 134). Однако в общем случае в металлах с г. ц. к. решеткой энергия взаимодействия дислокаций с атомами внедрения значительно меньше, чем в о. ц. к. метал лах, насыщение дислокаций примесными атомами происходит при очень низких температурах, а напряжение отрыва дислока ций меньше и температурная зависимость os слабее.
Взаимодействие дислокаций с примесями внедрения и, следо вательно, изменение механических свойств зависят от состава твердого раствора. Так, при исследовании амплитуднозависимо го внутреннего трения было показано, что никель и кобальт уменьшают энергию взаимодействия примесей внедрения с ди
слокациями в решетке a-железа. Введение |
3% Ni уменьшает |
|||
энергию связи углерода с |
дислокациями |
от |
—^8*10-20 |
до |
~3,2- 10~20 дж (от ~0,5 до |
— 0,2 эв). Кремний, |
наоборот, |
по |
|
вышает энергию связи [203]. |
|
|
|
|
Гетерогенная структура
Подвижность дислокаций в материале с гетерогенной струк турой сильно ограничена. Наиболее эффективные способы упроч нения сплавов связаны с созданием внутренней неоднородности твердого раствора или гетерофазности.
307
Весьма эффективным структурным фактором упрочнения яв ляется образование на начальных стадиях старения химической неоднородности. При образовании пересыщенного твердого рас твора эффект упрочнения до начала старения такой же, как при введении чужеродных атомов в твердый раствор. Это, например, показано при исследовании сплавов А1 — Си с переменным со держанием меди. Однако если старение началось, то изменение свойств происходит скачком [185]. На примере классической си стемы А1 — Си показано, что в случае естественного старения (комнатная температура) предел текучести будет максималь
ным, если размер когерентных (или частично когерентных выде-
о
лений) составляет 5—100 нм (50—1000 А ). Начальные стадии старения существенно увеличивают прочность в монокристаллах А1 + 1,7% Си — на два порядка. Максимальный эффект наблю дается при наличии когерентных образований (зон Г — П или упорядоченных зон 0", или во всяком случае частично когерент ных выделений 0' при более высоких температурах старения). При этом, однако, скорость деформационного упрочнения неве лика и мало отличается от таковой для чистого металла. Наобо рот, для некогерентных выделений она значительна, хотя по абсолютной величине прочность ниже. На рис. 135 показаны кри вые истинных напряжений после различной продолжительности старения алюминиевого сплава при 190° С. До т = 30 ч образу ются когерентные 0" выделения, скорость упрочнения мала; при т ^ 100 ч — 0' и 0, скорость упрочнения велика. После дости жения некоторого предела скорость упрочнения больше не воз растает [185].
Наибольшая интенсивность упрочнения во всех случаях на блюдается в начале деформации. После нескольких процентов деформации она заметно падает.
Подобная картина наблюдается и при исследовании поликри сталлов: если в структуре сплава содержатся мелкодисперсные
Пн/пг (кГ/пм2)
Рис. 135. Кривые истинных напряжении для сплава А1 + 1,68°/о Си после закалки старения при 190° С:
/ — 2 ч\ 2 — 30 ч; 3 — 100 ч; 4 — 300 ч (кривые / и 2 приведены не полностью)
308