Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Цифровые многозначные элементы и структуры учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
6.11 Mб
Скачать

позволяет реализовать многоустойчивый элемент с k + 1 устойчивым состоянием [25]. Если же характеристики туннельных диодов подо­ браны так, что выполняются условия

 

{i < г2 < 1 ' ' ' < 1Л>

 

 

 

 

/х >

^2 ^

 

1к,

 

 

 

Uox ^ ~2~ ^02 ^

“С ~2~ Uok>

 

 

где ij — пиковые токи; J t — токи впадины;

U0/- — оконечные напряже­

ния, (/' = 1, 2, ..., k),

то результирующая вольт-амперная характерис­

 

тика имеет 2(2*— 1) экстремумов и может обес­

 

печить 2* устойчивых состояний

[25].

Однако

 

практически

реализовать подобные схемы очень

 

трудно, так как для этого необходимо спе­

 

циально подбирать

характеристики туннельных

 

диодов.

В известных

элементах

такого типа,

 

построенных на основе последовательного соеди­

 

нения туннельных диодов или на основе мно­

Рис. 1. Вольт-амперная

гослойных р — «-структур, используется ампли­

тудно-импульсное

представление

информации,

характеристика (1) и

обусловливающее

низкую

помехоустойчивость

нагрузочная прямая (2)

многоустойчивого эле­

таких элементов и практически исключающее

мента.

возможность их широкого

применения в цифро­

 

вой технике при k >

3.

 

 

 

Более перспективный метод построения

многоустойчивых

элемен­

тов основан на использовании амплитудной характеристики нелиней­

ного четырехполюсника.

 

 

 

Vt*

Удых

Рассмотрим четырехполюсник (рис. 2), ампли­

тудная характеристика

которого представлена

 

 

нелинейной функцией

UBWX =

Ф

четырех­

Рис. 2. Четырехполюс­

При замыкании

входа и

выхода

ник.

 

полюсника через цепь обратной связи

Р с харак­

 

 

теристикой Uвых =

Р (t/Bx) (рис. 3) внешние

на­

 

 

пряжения принимают значения, соответствую­

 

 

щие условиям равновесия

 

 

 

 

 

и т = и вых =

и г,

и'вых = U'm =

и г.

(1.1)

 

 

Если цепь обратной связи линейна, то, учиты­ вая (1.1), получим

^ 2 = Ф (^). U ^ K U . - U , ,

(1.2)

Рис. 3. Четырехполюс­ ник с обратной связью.

где К — коэффициент усиления цепи обратной связи, a U0— постоян­ ное смещение на ее выходе.

При решении системы уравнений (1.2) корни, соответствующие устойчивым состояниям схемы, определяются точками пересечения

10

Рис. 5. Расположение характеристики обрат­ ной связи (/) и нели­ нейной характеристи­ ки четырехполюсника
(2) с точками перегиба.
Рис. 4. Графическое решение системы урав­ нений (1.2).

нелинейной характеристики четырехполюсника с прямой обратной связи (рис. 4). Для каждой такой точки справедливо одно из неравенств

dg? (t/,)

% (ЕЛ)

К

диг < д .

d ( U t)

Первое неравенство соответствует такому случаю, когда при увеличе­ нии напряжения U1 выходное напряжение 0 2 уменьшается, вызывая уменьшение напряжения в цепи обратной связи.

Вследствие этого схема стремится возвратиться в исходное состояние. Если же Ul уменьшается, то U2 увеличивается и вызывает посредством

цепи обратной связи увеличение входного на- к пряжения. Таким образом, точка устойчивого состояния соответствует такому состоянию схе­ мы, когда наклон нелинейной характеристики меньше наклсна характеристики обратной связи.

Аналогично можн) показать, что второе не­ равенство характеризует точку неустойчивого состояния.

Количество устойчивых состояний системы зависит от вида не­ линейной характеристики и расположения характеристики обратной связи. При этом нелинейная характеристика не обязательно должна иметь экстремумы: достаточно, чтобы она имела необходимое число то­ чек перегиба (рис. 5). Требуемое положение характеристики обратной

связи можно обеспечить выбором соответствую­ щих значений К и U0. Значительно труднее со­ здать нелинейный четырехполюсник с требуемой зависимостью между величинами одной физичес­ кой природы. Известные в настоящее время че­ тырехполюсники не пригодны для реализации на их основе многоустойчивых элементов в про­

Uf изводственных условиях.

В основу реализации обширного класса мно­ гоустойчивых элементов, отличающихся схемной простотой и достаточно высокой надежностью, положено преобразование нелинейных зависи­ мостей между величинами различной физической природы в требуемые электрические зависимос­

ти [25]. При этом наибольшие возможности для такой реализации открывает динамическое преобразование, связывающее величины, из

которых хотя бы одна является

явной функцией

времени.

Такие

величины обычно изменяются

по

гармоническому

закону

или же

представляются периодической

последовательностью

импульсов.

В соответствии с принципом представления информации в много­ устойчивых элементах различают гармонические и импульсные

И

Рис. 6. Принципы представления информации в многоустойчивых элементах.

элементы. Гармонические элементы подразделяют на частотные, фазо­ вые и амплитудные, а импульсные на частотно-импульсные, времяимпульсные, фазо-импульсные и амплитудно-импульсные. Существуют также элементы с комбинированными принципами представления ин­ формации (рис. 6).

§ 1.2. Частотно-гармонические элементы

Частотно-гармоническими называют элементы, у которых каждо­ му из k уровней квантования информационных сигналов однознач­ но соответствует частота гармонических колебаний. Известно несколь­

12

ко основных способов реализации таких элементов [25], отличающихся типом избирательной системы с управляемой резонансной частотой.

На рис. 7 изображена блок-схема одного из вариантов частотнотармонического элемента, в котором в качестве избирательной сис­ темы используется электрически перестраиваемый колебательный

Рис. 7. Блок-схема частотно-гармонического элемента.

контур ПК. В состав такого элемента входит также гребенчатый фильтр ГФ, усилитель У, детектор Д и фильтр низкой частоты ФНЧ. Динами­ ческие преобразования в таком элементе представляют собой преобра­ зования «напряжение— частота» и «частота — напряжение». Фильтр с гребенчатой характеристикой можно построить по блок-схеме, изо­ браженной на рис. 8. Он состоит из суммирующей схемы С и схемы вре­ менной задержки т. Если на вход этой схемы подано напряжение

Ul = U0sin©/,

то на выходе схемы задержки будет напряжение

U2= Unsin со (t — т),

а на выходе суммирующей схемы напряжение

Ui + U2~ U0(sin at + sin a(t — т)).

..

 

Рис. 8. Блок-схема фильтра

Рис. 9. Амплитудно-частотная

ха­

с гребенчатой характеристи­

рактеристика фильтра с гребенча­

кой.

той характеристикой.

 

 

Переходя к изображениям напряжений IJ1 и Ua, находим операторный коэффициент передачи такой схемы:

модуль которого при р — }а равен

К (со)= 2 cos- у - .

13

Из последнего выражения видно, что амплитудно-частотная харак­ теристика схемы состоит из ряда чередующихся возрастающих и па­ дающих участков (рис. 9).

Если в схеме (рис. 7) замкнуть ключи К1 и К2, она превратится в ре­ лаксационный генератор, спектр колебаний которого содержит все частоты coj, со2, ..., wk. При разомкнутом ключе К1 условия самовоз­ буждения этого генератора выполняются только для той частоты, ко­ торая попадает в полосу пропускания контура ЛК- Если собственная частота сос контура не совпадает ни с одной из частот са1( ю2, •••>

система остается невозбужденной. Поставив сос в зависимость от час­ тоты генерации, получим устройство с несколькими устойчивыми со-

Рис. 10. Принципиальная схема частотно-гармонического многоустой чивого элемента.

стояниями, различающимися частотой генерируемых колебаний на выходе усилителя и величиной напряжения на выходе фильтра низ­ кой частоты.

Принципиальная схема частотно-гармонического многоустойчивого элемента, соответствующего блок-схеме (рис. 7), представлена на рис. 10 [251. Суммирующая схема выполнена на сопротивлениях R3, R4, R5, сопротивления R1 и R2 являются согласующими. Напряжение с выхода гребенчатого фильтра поступает на параллельный перестраива­ емый контур L1C1 и через обмотку связи L3 — на двухкаскадный тран­ зисторный усилитель. Коллекторной нагрузкой второго каскада уси­ лителя служит сопротивление R1, выбираемое из условия согласова­ ния выходных параметров усилителя и входных параметров схемы задержки. С выхода усилителя через цепочку C2R7 напряжение пода­ ется на базу транзистора ТЗ, детектируется переходом база — эмиттер и подается на обмотку L2, определяя величину тока подмагничивания, а следовательно, и частоту колебаний на выходе усилителя.

Характерной особенностью частотно-гармонических элементов с гребенчатыми фильтрами является их автономность. Каждый элемент представляет собой автогенератор, в котором частота колебаний, со­ ответствующая устойчивым состояниям, зависит от параметров его

14

схемы. Так как эти параметры не остаются постоянными в процессе работы, трудно согласовать условия совместной работы таких элемен­ тов. Подобных недостатков нет у неавтономных частотно-гармонических элементов. У них частоты колебаний, соответствующие устойчивым состояниям, вырабатываются внешним генератором, общим для всех

элементов. При этом изменение пара­

 

метров генератора одинаково сказы­

 

вается на признаках устойчивых со­

 

стояний отдельных элементов и не

 

влияет на их взаимодействие.

-------ш н—

Неавтономным частотно-гармони­

ческим элементом является спектро-

трон, блок-схема которого изображе­

Рис. 11. Блок-схема спектротрона.

на на рис. 11. Здесь на перестраивае­

мый контур ПК подается периодическое напряжение U (i), спектр которого содержит составляющие с частотами од, о)2, ..., cofc (рис. 12). Если контур перестраивать напряжением Unx при разомкнутой цепи обратной связи, то спектральные составляющие, лежащие в диапазоне перестройки контура, будут поочередно попадать в его полосу пропус­ кания. Ограничив полосу пропускания контура некоторой величиной До = со,-— соt_1 (i = 1, 2, ..., k), получим гребенчатую зависимость амплитуды гармонических колебаний на выходе ПК от величины ВХОД­

ИЛ

Um

Ui

U f

и );./

й); U cj

to u t

Щ

ЫМ

Рис. 12. Спектр напряжения, подаваемого на вход спектротрона.

Устойчивые состояния

Рис. 13. Амплитудная характеристика спектротрона.

ного напряжения. Если детектор Д линейный относительно средних значений напряжения, то амплитудную характеристику Uaых = / (UBX) можно изобразить, как на рис. 13. В спектротроне функции преобра­ зований напряжения в частоту и частоты в напряжение совмещены в перестраиваемом контуре.

15

Замыкание цепи обратной связи соответствует условию

Um = - ± - U m + U0,

(1.3)

где Ку — коэффициент усиления цепи обратной связи,

а £/„ — по­

стоянное смещение на ее входе. Значения Ку и U0 определяют смещение линии обратной связи относительно начала координат и угол ее на­ клона к оси абсцисс (рис. 13). Если внешним воздействием перестраи­ вать ПК так, чтобы спектральная составляющая со,- попала в полосу пропускания (рис. 12, кривая Л), то на выходе контура появится на­ пряжение Um, которое после детектирования и усиления будет при­ ближать настройку контура к частоте со,., то есть в системе будет уста­ навливаться положительная обратная связь. Если коэффициент обрат­ ной связи больше единицы, то развивается лавинообразный процесс, заканчивающийся переходом системы в устойчивое состояние (рис. 12, кривая Б). Напряжения Ut на выходе контура достаточно для того, чтобы удерживать в полосе пропускания частоту сог и после прекраще­ ния внешнего воздействия. Таким образом, спектротрон может иметь несколько устойчивых состояний, различающихся частотой колебаний на выходе контура и величиной напряжения на выходе усилителя. При этом число устойчивых состояний не зависит от количества ис­ пользуемых в схеме активных и пассивных элементов.

Чтобы определить число устойчивых состояний спектротрона и их признаки, необходимо получить аналитическое выражение для амплитудной характеристики системы (рис. 11). Если на контур спек­ тротрона подается напряжение питания

k

U (0 =■ S Uicos мМ i= 1

и собственная частота контура сос линейно зависит от входного на­ пряжения

“ с = ®о + aU„х,

то зависимость выходного напряжения UВЫх системы от входного UBX при разомкнутой петле обратной связи имеет вид [25]

£ /.-*

2

V 1 +Q 3

UjKxKc

(1.4)

(ft>0

^UBX)

 

i=i

 

1 -

(Ч г

где Кя — коэффициент передачи последовательного соединения детек­ тора и фильтра низкой частоты; Кс — резонансный коэффициент пере­ дачи перестраиваемого контура; Q — добротность контура.

Выражения (1.3) и (1.4) являются исходными для анализа ста­ ционарного режима работы спектротрона. Совместно решая уравне­ ния (1.3) и (1.4), определяют признаки устойчивых состояний спектро­

16

трона, однако эти уравнения не разрешимы в радикалах и их необхо­ димо упростить [25]. Выражение (1.4) справедливо для сколь угодно плотного расположения составляющих спектра напряжения питания. Когда же расстояние между соседними спектральными линиями А со значительно превышает полосу пропускания контура, можно пренеб­ речь влиянием соседних частот при настройке контура на частоту со(. Уравнение амплитудной характеристики при этом разбивается на не­ сколько независимых уравнений

UiKaKc

(1.5)

U ВЫХ -----

(о,, -|- aUBJ -

| / ‘+«4'

и

(i = 1, 2,

. . . , k),

 

каждое из которых справедливо в определенном диапазоне собствен­ ных частот контура. Дальнейшее совместнее решение уравнения

(1.3) и системы (1.5) из-за

значительных трудностей вычисления це­

лесообразно

производить,

применяя

графические

методы.

В [25]

приведено аналитическое

решение системы

(1.5)

при со0 =

aU0Ka.

Изложенная методика

дает возможность

определить

признаки

устойчивых

состояний спектротрона,

соответствующих

точкам пе­

ресечения прямой обратной связи с каждым «всплеском» амплитудной характеристики. Число устойчивых состояний определяется количе­

ством таких пересечений (рис.

13). Если спектр напряжения

питания

эквидистантный (Aw = consl), то при перестройке контура

от wMHh

до соМакс в его полосу пропускания попадает k составляющих

спектра,

причем

 

 

k = Ent (

ЫмаКд ~ Ч'ИН ) + 1-

 

(Запись Ent (А ) означает, что берут целую часть числа А).

Введя обо

значение коэффициента перестройки

контура

Кп = —

получим

 

 

 

шмин

 

k — Ent тмакс

Кп

1

I 1

 

Д(0

Кп

I

 

 

Для увеличения числа состояний спектротрона необходимо увели' чивать КП или уменьшать Aw. При заданной добротности контура Q

и числе k спектральных составляющих

минимально допустимый ко­

эффициент перестройки контура

Кп определяют по

формуле [251

Кп =

(k

I) Дсо

1,

 

 

ш г ~

 

 

где А/ — полоса пропускания контура.

 

подмагничива-

В результате изменения

индуктивностей L1 и L2

нием, в принципиальной схеме спектротрона, (ряс. 14) контур LI L2JC2

2

896

17

 

 

перестраивается. Напряжение U (t) с заданным линейчатым спек­ тром подается на контур через конденсатор Cl. С выхода контура через обмотки связи L5 и L6 напряжение поступает на двухкаскадный уси­ литель постоянного тока, выполненный на транзисторах 77 и Т2, детектируется переходом база — эмиттер транзистора 77 и сглажива­ ется цепочкой СфЯф. Сглаженное напряжение усиливается транзисто­ ром Т2, коллекторной нагрузкой которого служат обмотки подмагничивания L3 и L4, включенные встречно, чтобы исключить шунтирую­ щее действие цепи подмагничивания на контур. Таким образом, схема охватывается обратной связью по постоянному току.

Рис. 14. Принципиальная схема

Рис. 15. Принципиальная схема

спектротрона.

спектротрона на базе диэлектричес­

 

кого усилителя.

Напряжение U (t) с требуемым линейчатым спектром обеспечи­ вается за счет использования отдельных генераторов для каждой со­ ставляющей или за счет применения генератора релаксационных колебаний.

В описанной схеме спектротрона наиболее дорогостоящей и наи­ менее надежной частью является транзисторный усилитель. Исполь­ зование резонансного магнитного или диэлектрического усилителя позволяет совместить функции избирательности и усиления и тем са­ мым исключить из схемы спектротрона активные элементы. Принци­ пиальная схема спектротрона на базе диэлектрического усилителя изо­ бражена на рис. 15. Напряжение V (t) с линейчатым спектром поступа­ ет на колебательный контур Ь1С1Д1Д2. Резонансная частота этого кон­

тура изменяется

с помощью нелинейных емкостей р — /г-переходов

диодов Д1 и Д2.

Напряжение с выхода контура через обмотку связи

L2

поступает на последовательную

детектирующую цепочку ДЗС2

и

после детектирования управляет

нелинейными емкостями диодов

Д1 и Д2.

можно построить, не охватывая резонансный усили­

 

Спектротрон

тель внешней обратной связью. Использование внутренней обратной связи в нелинейном колебательном контуре позволяет получить пре­ дельно простую реализацию спектротрона. Один из вариантов схемы такого спектротрона с использованием нелинейной емкости р — « пе­ рехода представлен на рис. 16. Несмотря на простоту этой схемы,

18

Рис. 16. Принципиаль­ ная схема спектротро­ на с нелинейной ем­ костью.

в ней содержатся все элементы спектротрона в соответствии с блоксхемой (рис. 11). Напряжение питания U (t) через конденсатор С2 подается на параллельный колебательный контур, состоящий из ли­ нейной индуктивности и емкости последовательного соединения кон­ денсатора С1 и р — «-перехода полупроводникового прибора Д, в ка­ честве которого могут быть использованы кремниевые стабилитроны или переход база— коллектор транзисторов. Устойчивые состояния спектротрона различаются частотой колебаний на контуре и напря­ жением на конденсаторе С1.

Для передачи информации в схемах, построенных на основе спектротронов, обычно используют кратковременное воздействие на ем­ кость фильтра низкой частоты, приводящее к изменению ее заряда. Такой способ управления ь(1)

спектротроном обеспечивает наибольшее быстро­ действие элемента [15].

Перевод спектротрона из одного состояния в другое можно также осуществить, вызвав внеш­ ним воздействием кратковременную перестрой­ ку контура. Это достигается, например, измене­ нием коэффициента усиления. Однако такой спо­ соб управления спектротроном критичен к ам­ плитуде и длительности внешнего воздействия.

Другой способ управления спектротроном состоит в кратковре­ менном разрыве петли обратной связи, что можно осуществить, от­ ключая, например, напряжение U (t) с линейчатым спектром, шунти­ руя контур или отключая его от входа последующего звена. При этом устраняется критичность к амплитуде внешнего воздействия, но со­ храняется критичность к его длительности.

Высокой надежностью отличаются способы управления спектро­ троном путем кратковременного смещения амплитудной характеристи­ ки. Такое смещение осуществляется изменением собственной частоты контура или сменой спектров питающего напряжения. Эти способы управления спектротроном подробно описаны в [25].

§ 1.3. Фазо-гармонические элементы

Элементы, устойчивые состояния которых отличаются фазой гар­ монических колебаний, называют фазо-гармоническими. Принцип действия многих фазо-гармонических элементов основан на явлении параметрического резонанса. Сами же элементы такого типа полу­ чили название параметрических генераторов, или параметронов.

Параметрон представляет собой резонансную цепь, в которой периодически изменяется индуктивность или емкость. В соответствии с этим различают индуктивные и емкостные параметроны (рис, 17).

19

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ