Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

bankin_iit_1

.pdf
Скачиваний:
25
Добавлен:
14.02.2015
Размер:
11.39 Mб
Скачать

а)

б)

Рисунок 41

Преимущество МДП – транзисторов перед полевыми с управляемым pn–переходом является гораздо большее входное сопротивление, 10 10 Ом, существенно меньшие межэлектродные емкости.

Рисунок 42

Рисунок 43

Условно-графическое обозначения МДП транзистора с встроенным каналом n-типа изображено на рисунке 42, а; с каналом р – типа на рисунке 42, б; с каналом n–типа с выводом от подложки на рисунке 42, в; с каналом р – типа с выводом от подложки на рисунке 42, г. Аналогично классифицируется условно-графические обозначения МДП транзисторы с индуцированным каналом (рисунок 43,а,б,в,г).

Широкое распространение получили МДП–транзисторы в интегральных микросхемах благодаря удобной технологии изготовления, низкой стоимости, высокому входному сопротивлению, малому собственному шуму, а также большому коэффициенту усиления напряжения и мощности.

5. ТИРИСТОРЫ

5.1 Основные определения

51

Тиристором называют полупроводниковый прибор, имеющий три или более р n переходов, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.

На основе этой структуры в зависимости от числа выводов могут быть изготовлены два типа тиристоров: диодные называемые динисторами и триодные называемые тринисторами.

Классификация и условные графические обозначения тиристоров изображена в виде схемы на рисунке 44.

Рисунок 44

 

 

Диодные тиристоры два вывода от наружного слоя

– анод;

– ка-

тод. Триодные тиристоры кроме двух основных имеют третий вывод управляющего электрода УЭ, от одного из внутренних слоев или .

Исходным материалом служит кремний n – типа, в кристалле которого создается структура p – n – p – n .

Слои и имеют большую концентрацию примесей, а и особенно меньшую. Пластины кремния с готовой четырехслойной структурой припаивают к кристалодержателю. Контакты площадки создают металлизированием, а соединение их с внешними выводами осуществляется через вольфра-

мовые прокладки.

Рассмотрим принцип действия без влияния цепи управления т.е. как динистор. При таком рассмотрении его крайние слои называют эмиттерами, а средние базами. Таким образом переход П является эмиттерным переходом VТ1, а переход П является эмиттерным переходом транзистора VТ2, переход П является общим переходом транзисторов с коллекторным переходом.

52

а)

б)

в)

 

Рисунок 45

 

а)

Рисунок 46

б)

 

 

 

 

 

 

На эмиттерных переходах действует прямое напряжение, а на коллек-

торном обратное.

при отсутствии тока в цепи управления – это

Ток в цепи тиристора

ток, протекающий последовательноА

через все четыре слоя его структуры.

Поэтому можно написать следующие равенства:

 

 

Рассмотрим, какие составляющиеА Э ; А

входятЭ ; А

в Пток.

через коллекторный

переход. Для транзистора VТ1 ток через коллекторныйП

переход

Э ; где

коэффициент передачи тока эмиттера. Для транзистора VТ2 аналогично –

Э. Кроме того, через коллекторный переход П протекает суммарный обратный ток обоих транзисторов К.ОБР., обусловленный движением неос-

новных носителей заряда – дырок из слоя n1 в слой р2 и электронов из в

.

Полный ток через коллекторный переход равен сумме этих трех состав-

ляющих:

 

 

 

 

Учитывая, что черезПпереходыЭ

проходитЭ

 

.

 

один и тот же ток , можно за-

К.ОБР.

 

А

писать:

 

 

 

53

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тока цепи тиристора:

 

 

 

откуда можно получить выражениеА Э для анодногоЭ К.ОБР.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А

К.ОБР.⁄ 1

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А

 

Величина

 

и

 

зависит от толщины базовых слоев

 

и

и от тока

в цепи.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При малых значениях тока

 

 

 

 

близки к нулю, поэтому малы со-

ставляющие анодного тока, а токА

через тиристор обусловлен только обрат-

 

 

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ным током перехода

 

 

. В этом режиме тиристор остается закрытым: это

соответствует участку–П1.

 

 

 

 

растет обратное напряжение на переходе

 

С увеличением напряжения

 

П

и немного возрастает ток

К.ОБР.

А, и ток через тиристор

А

. Рост тока

А

вы-

зывает увели чение коэффициентов

 

и

, что в свою очередь приводит к

возрастанию составляющих

 

 

и α2Iэ2 и более бы строму росту тока .

 

 

На рисунке 47 изображенаЭВАХ при

 

 

; А – точка переключенияА

, 1–

участок закрытого состояния, 2 – участок с

отрицательным сопротивлени-

0

 

 

 

 

 

 

 

 

ем,3–участок открытого состояния.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В точке А мгновенно происходит переклю-

 

 

 

 

 

 

 

 

чение тиристора из закрытого состояния в от-

 

 

 

 

 

 

 

 

крытое. Напряжение уменьшается, а ток возрас-

 

 

 

 

 

 

 

 

тает, в точке А в момент переключения, называ-

 

 

 

 

 

 

 

 

ют соответственно напряжением переключения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и током переключения

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПРК Условие,

 

 

 

 

 

 

 

для переключения

 

 

 

 

 

 

 

 

необходимоеПРК

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тиристора, как следует из формулы для тока

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

выражается равенством

 

 

 

 

 

 

. В этот моА-

 

 

Рисунок 47

 

 

 

мент, когда

 

 

 

 

 

,

знаменатель обращает-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ся в нуль, а ток

должен бесконечно возрасти, но он ограничивается сопро-

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тивлением нагрузки

, в анодной цепи.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Обычно

 

 

Н. До момента переключения

 

 

 

,

можно счи-

тать, что для каждого транзистора VT1 и VT2

 

.

Это1означает, что

большая часть дырок из

 

 

оседает в базе

,

а

меньшая часть проходит кол-

 

 

 

0.5

 

 

 

 

 

 

лекторный

переход

П

 

Эв

коллектор

К

.БАналогично

в

 

транзисторе

VT2

 

 

 

 

 

 

 

 

большая часть электронов из эмиттера Э2 оседает в базе Б2, а

меньшая проходит в коллектор .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таким образом возрастаетКконцентрация неосновных носителей в об-

ластях

и

, а напряжение остается обратным. Рост тока через тиристор,

остающимся закрытым, происходит за счет увеличения

К.ОБР..

 

 

 

 

54

 

 

 

 

Рисунок 48

 

все больше дырок из об-

 

С ростом тока и увеличением суммы

 

ласти

через базу

и переход

переходит в область

: одновременно

увеличивается поток электронов изПобласти

через область

и переход

 

в область . Эти носители заряда скапливаясь по обе стороны от р – n

пере-

 

П

хода

 

создают электрическое поле направленное встречно полю, создан-

ному

Побратным,

напряжением, и понижают потенциальный барьер коллек-

торного перехода. В тот момент когда

 

,

потенциальный барьер

полностью скомпенсирован, обратное напряжение в1

равно нулю, тиристор

открывается. Одновременно с этим повышением

концентрации избыточных

П

 

 

 

 

основных носителей заряда в базах усиливается инжекция носителей заряда в базы из эмиттеров, что вызывает еще большее возрастание коэффициентов

и

и их суммы

, а следовательно, еще более быстрый рост тока.

Процесс носит лавинообразный характер.

В

результате этих

процессов переключение тиристора происходит

мгновенно и неуправляемо, а напряжение на тиристоре падает, т.к. ни на одном из переходов нет обратного напряжения. Это участок 2 (рисунок 47).

55

В открытом состоянии все три перехода находятся под прямым напряжением, обратный ток коллекторного перехода отсутствует. Ток в основной цепи создается движением инжектируемых из эмиттеров носителей заряда. С увеличением приложенного напряжения возрастает напряжение на p – n переходах и растет ток.

С уменьшением напряжения на тиристоре в открытом состоянии, ток тиристора уменьшается, а при определенном значении тока тиристор перехо-

дит в закрытое состояние. Наименьший ток в основной цепи, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии, называется током удержания тиристора УД.

Такой способ включения используют только в схемах с динисторами.

5.2 Тиристор

Тиристор - полупроводниковый прибор у которого помимо основной цепи между анодом и катодом имеет цепь управления. Для этой цели нужен вывод управляющего электрода УЭ. Назначении цепи управления состоит в управлении моментом включения тиристора при напряжениях в основной

цепи меньших, чем напряжение переключения

 

. Если вывод управляю-

щего электрода сделан от базового слоя , то

источник управляющего тока

ПРК

 

включается между УЭ и катодом. Такая схема управления по катоду при-

веденаУ

на рисунок35,а. Возможна и другая схема, в которой вывод управ-

ляющего электрода сделан из базового слоя , а источник

включается

между УЭ и анодом. В этом случае осуществляется управление поУ

аноду.

На рисунок 49,а изображена схема включения тиристора с цепью управления; на рисуноке 49,б,в,г условные графические обозначения динистора, тринистора с управлением по катоду и по аноду соответственно; на рисунке 49, д – схема включения тиристора.

56

Рисунок 49

Рассмотрим влияние тока управления на работу тиристора при прямом напряжение между анодом и катодом в схеме рисунок 49, а. В основную цепь включены источник питания А и нагрузка Н. В цепь управления включен источник управляющего сигнала У, дающий ток управления У. Полярность источника совпадает по знакам с прямым напряжением на переходе П .

При включении цепи управления ток У, проходя от управляющего электрода через переход П к катоду, добавляется к току эмиттера Э2 и вызывает увеличение коэффициента передачи тока . В результате этого возрастает ток коллекторного перехода П , а значит, и ток в цепи тиристора, и переключение тиристора происходит при меньшем напряжении на нем. Чем больше ток управления, тем меньше напряжение, при котором открывается тиристор. Это отражает семейство вольт–амперных характеристик, снятых в прямом направлении при разных значениях тока управления (рисунок 50). При определенном значении тока управления, называемым током управления спрямления УС, прямая ветвь характеристики спрямляется, участок закрытого состояния 1 отсутствует; тиристор при прямом напряжении открыт, как диод.

Ток управления влияет только на крутизну участка 1 закрытого состояния тиристора и напряжение перехода в открытое состояние; на рабочий участок характеристики в открытом состоянии ток управления не оказывает влияния. После включения тиристора цепь управления может быть разомкнута, а тиристор будет продолжать работать в открытом состоянии.

Благодаря этому свойству в практических схемах используют автоматическую подачу кратковременных импульсов тока управления для включения тиристора в нужный момент времени.

57

Рисунок 50

Выключение тиристора – переход в закрытое состояние – может быть осуществлено уменьшением тока до величины, меньшей тока удержания, или изменением полярности основного напряжения А на обратную.

Рисунок 51

Обратная ветвь характеристики, как было сказано, соответствует обратной ветви вольт–амперной характеристики диода (участок 4 на рисунок 50). При обратном напряжении, равном напряжению пробоя ОБР.ПРОБ. происходит лавинный пробой тиристора (участок 5).

5.3 Симметричный тиристор

Симметричным тиристором, или симистором, называют тиристор, который переключается из закрытого состояния в открытое как в прямом,

так и в обратном направлении. Он имеет симметричную вольт–амперную характеристику, т.е. одинаковые по виду прямую и обратные ветви. В связи

58

с этим симисторы применяют как переключающие приборы в цепях переменного тока.

Симметричные тиристоры разделяют на диодные и триодные. Диодный симметричный тиристор (диак) включается при достижении как в прямом, так и в обратном направлениях определенного значения между основными выводами, равного напряжению переключения. Триодный симметричный тиристор (триак) включается как в прямом, так и в обратном направлениях при подаче сигнала на его управляющий электрод.

Структура симистора характеризуется большим, чем четыре, числом чередующихся областей р – и n – типа и, соответственно, имеет не три, а больше число переходов: для диака пять слоев и четыре перехода, для триака– шесть и более слоев, пять и более переходов

Рассмотрим структуру и принцип действия симистора, на рисуноке 52, а изображен эквивалент в виде двух тиристоров; 52,б,в – условные графические обозначения диака и триака; 52,г – схема включения триака.

Эту структуру можно рассматривать как два обычных тиристора, включенных встречно–параллельно. Первый из них включает часть структуры

правой стороны –

 

 

c переходами ,

 

и

 

(рисунок 52,а);

для него прямым будет положительное

напряжение на аноде относительно

П

П

 

П

 

 

катода. В этом случае переходы

 

и

 

находятся под прямым напряжени-

ем, а

П

– под обратным. Как

было подробно рассмотрено для обычного ти-

 

 

П

 

П

 

 

 

 

 

 

ристора, с увеличением тока в

–слое накапливаются электроны, а в

слое – дырки, что приводит к перемене полярности напряжения на переходе

обратной на прямую, и тиристор переключается из закрытого состояния

Пв открытоес

.

 

 

 

 

Если на электрод УЭ подавать импульс управляющего напряжения со

знаком “плюс” относительно анода А, то на дополнительном переходе

Пв

создается прямое напряжение, электроны инжектируются из области

область

диффундируют через нее к переходу

и перебрасываются по-

лем его контактной,

разности потенциалов в

Пслой. Насыщение

слоя приводит в свою очередь к увеличению

59

Рисунок 52

прямого напряжения на переходе , под действием которого усиливается

инжекция дырок

– слоя в n2

слой; они диффундируют через

 

– слой и

П

 

 

 

в –

перебрасываются под действием обратного напряжения на переходе

 

слой. Накопление дырок в – слое и электронов в

– слое под

действием

 

П

 

импульсов управляющего сигнала происходит мгновенно, и тиристор переключается в открытое состояние при меньшем напряжение между основными электродами, чем напряжение переключения при отсутствии тока управления.

Рисунок 53

При перемени полярности напряжения в основной цепи – процессы происходят так же, как в обычном тиристоре. Импульс управляющего сигнала создает дополнительное прямое напряжение на переходе П , и через него проходит ток управления У, вызывая переключение симистора из закрытого состояния в открытое.

60

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]