bankin_iit_1
.pdfа) |
б) |
Рисунок 41
Преимущество МДП – транзисторов перед полевыми с управляемым p– n–переходом является гораздо большее входное сопротивление, 10 10 Ом, существенно меньшие межэлектродные емкости.
Рисунок 42
Рисунок 43
Условно-графическое обозначения МДП транзистора с встроенным каналом n-типа изображено на рисунке 42, а; с каналом р – типа на рисунке 42, б; с каналом n–типа с выводом от подложки на рисунке 42, в; с каналом р – типа с выводом от подложки на рисунке 42, г. Аналогично классифицируется условно-графические обозначения МДП транзисторы с индуцированным каналом (рисунок 43,а,б,в,г).
Широкое распространение получили МДП–транзисторы в интегральных микросхемах благодаря удобной технологии изготовления, низкой стоимости, высокому входному сопротивлению, малому собственному шуму, а также большому коэффициенту усиления напряжения и мощности.
5. ТИРИСТОРЫ
5.1 Основные определения
51
Тиристором называют полупроводниковый прибор, имеющий три или более р – n переходов, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.
На основе этой структуры в зависимости от числа выводов могут быть изготовлены два типа тиристоров: диодные называемые динисторами и триодные называемые тринисторами.
Классификация и условные графические обозначения тиристоров изображена в виде схемы на рисунке 44.
Рисунок 44 |
|
|
Диодные тиристоры два вывода от наружного слоя |
– анод; |
– ка- |
тод. Триодные тиристоры кроме двух основных имеют третий вывод управляющего электрода УЭ, от одного из внутренних слоев или .
Исходным материалом служит кремний n – типа, в кристалле которого создается структура p – n – p – n .
Слои и имеют большую концентрацию примесей, а и особенно меньшую. Пластины кремния с готовой четырехслойной структурой припаивают к кристалодержателю. Контакты площадки создают металлизированием, а соединение их с внешними выводами осуществляется через вольфра-
мовые прокладки.
Рассмотрим принцип действия без влияния цепи управления т.е. как динистор. При таком рассмотрении его крайние слои называют эмиттерами, а средние базами. Таким образом переход П является эмиттерным переходом VТ1, а переход П является эмиттерным переходом транзистора VТ2, переход П является общим переходом транзисторов с коллекторным переходом.
52
а) |
б) |
в) |
|
Рисунок 45 |
|
а) |
Рисунок 46 |
б) |
|
|
||
|
|
|
|
|||
На эмиттерных переходах действует прямое напряжение, а на коллек- |
||||||
торном обратное. |
при отсутствии тока в цепи управления – это |
|||||
Ток в цепи тиристора |
||||||
ток, протекающий последовательноА |
через все четыре слоя его структуры. |
|||||
Поэтому можно написать следующие равенства: |
|
|
||||
Рассмотрим, какие составляющиеА Э ; А |
входятЭ ; А |
в Пток. |
через коллекторный |
|||
переход. Для транзистора VТ1 ток через коллекторныйП |
переход |
Э ; где |
–коэффициент передачи тока эмиттера. Для транзистора VТ2 аналогично –
Э. Кроме того, через коллекторный переход П протекает суммарный обратный ток обоих транзисторов К.ОБР., обусловленный движением неос-
новных носителей заряда – дырок из слоя n1 в слой р2 и электронов из в
.
Полный ток через коллекторный переход равен сумме этих трех состав-
ляющих: |
|
|
|
|
Учитывая, что черезПпереходыЭ |
проходитЭ |
|
. |
|
один и тот же ток , можно за- |
||||
К.ОБР. |
|
А |
||
писать: |
|
|
|
|
53 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
тока цепи тиристора: |
|
|
|
|||||
откуда можно получить выражениеА Э для анодногоЭ К.ОБР. |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
А |
К.ОБР.⁄ 1 |
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
А |
||||
|
Величина |
|
и |
|
зависит от толщины базовых слоев |
|
и |
и от тока |
||||||||||||||||||
в цепи. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
При малых значениях тока |
|
|
|
|
близки к нулю, поэтому малы со- |
||||||||||||||||||||
ставляющие анодного тока, а токА |
через тиристор обусловлен только обрат- |
|||||||||||||||||||||||||
|
|
и |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
ным током перехода |
|
|
. В этом режиме тиристор остается закрытым: это |
|||||||||||||||||||||||
соответствует участку–П1. |
|
|
|
|
растет обратное напряжение на переходе |
|||||||||||||||||||||
|
С увеличением напряжения |
|
||||||||||||||||||||||||
П |
и немного возрастает ток |
К.ОБР. |
А, и ток через тиристор |
А |
. Рост тока |
А |
вы- |
|||||||||||||||||||
зывает увели чение коэффициентов |
|
и |
, что в свою очередь приводит к |
|||||||||||||||||||||||
возрастанию составляющих |
|
|
и α2Iэ2 и более бы строму росту тока . |
|
||||||||||||||||||||||
|
На рисунке 47 изображенаЭВАХ при |
|
|
; А – точка переключенияА |
, 1– |
|||||||||||||||||||||
участок закрытого состояния, 2 – участок с |
отрицательным сопротивлени- |
|||||||||||||||||||||||||
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
ем,3–участок открытого состояния. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
В точке А мгновенно происходит переклю- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
чение тиристора из закрытого состояния в от- |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
крытое. Напряжение уменьшается, а ток возрас- |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
тает, в точке А в момент переключения, называ- |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
ют соответственно напряжением переключения |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
и током переключения |
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
ПРК Условие, |
|
|
|
|
|
|
|
для переключения |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
необходимоеПРК |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
тиристора, как следует из формулы для тока |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
выражается равенством |
|
|
|
|
|
|
. В этот моА- |
|
|
Рисунок 47 |
|
|
|
|||||||||||||
мент, когда |
|
|
|
|
|
, |
знаменатель обращает- |
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
ся в нуль, а ток |
должен бесконечно возрасти, но он ограничивается сопро- |
|||||||||||||||||||||||||
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
тивлением нагрузки |
, в анодной цепи. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
Обычно |
|
|
Н. До момента переключения |
|
|
|
, |
можно счи- |
|||||||||||||||||
тать, что для каждого транзистора VT1 и VT2 |
|
. |
Это1означает, что |
|||||||||||||||||||||||
большая часть дырок из |
|
|
оседает в базе |
, |
а |
меньшая часть проходит кол- |
||||||||||||||||||||
|
|
|
0.5 |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
лекторный |
переход |
П |
|
Эв |
коллектор |
К |
.БАналогично |
в |
|
транзисторе |
VT2 |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
большая часть электронов из эмиттера Э2 оседает в базе Б2, а |
||||||||||||||||||||||
меньшая проходит в коллектор . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
Таким образом возрастаетКконцентрация неосновных носителей в об- |
|||||||||||||||||||||||||
ластях |
и |
, а напряжение остается обратным. Рост тока через тиристор, |
||||||||||||||||||||||||
остающимся закрытым, происходит за счет увеличения |
К.ОБР.. |
|
|
|
|
54
|
|
|
|
Рисунок 48 |
|
все больше дырок из об- |
|||||
|
С ростом тока и увеличением суммы |
|
|||||||||
ласти |
через базу |
и переход |
переходит в область |
: одновременно |
|||||||
увеличивается поток электронов изПобласти |
через область |
и переход |
|
||||||||
в область . Эти носители заряда скапливаясь по обе стороны от р – n |
пере- |
||||||||||
|
П |
||||||||||
хода |
|
создают электрическое поле направленное встречно полю, создан- |
|||||||||
ному |
Побратным, |
напряжением, и понижают потенциальный барьер коллек- |
|||||||||
торного перехода. В тот момент когда |
|
, |
потенциальный барьер |
||||||||
полностью скомпенсирован, обратное напряжение в1 |
равно нулю, тиристор |
||||||||||
открывается. Одновременно с этим повышением |
концентрации избыточных |
||||||||||
П |
|
|
|
|
основных носителей заряда в базах усиливается инжекция носителей заряда в базы из эмиттеров, что вызывает еще большее возрастание коэффициентов
и |
и их суммы |
, а следовательно, еще более быстрый рост тока. |
Процесс носит лавинообразный характер. |
||
В |
результате этих |
процессов переключение тиристора происходит |
мгновенно и неуправляемо, а напряжение на тиристоре падает, т.к. ни на одном из переходов нет обратного напряжения. Это участок 2 (рисунок 47).
55
В открытом состоянии все три перехода находятся под прямым напряжением, обратный ток коллекторного перехода отсутствует. Ток в основной цепи создается движением инжектируемых из эмиттеров носителей заряда. С увеличением приложенного напряжения возрастает напряжение на p – n переходах и растет ток.
С уменьшением напряжения на тиристоре в открытом состоянии, ток тиристора уменьшается, а при определенном значении тока тиристор перехо-
дит в закрытое состояние. Наименьший ток в основной цепи, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии, называется током удержания тиристора УД.
Такой способ включения используют только в схемах с динисторами.
5.2 Тиристор
Тиристор - полупроводниковый прибор у которого помимо основной цепи между анодом и катодом имеет цепь управления. Для этой цели нужен вывод управляющего электрода УЭ. Назначении цепи управления состоит в управлении моментом включения тиристора при напряжениях в основной
цепи меньших, чем напряжение переключения |
|
. Если вывод управляю- |
щего электрода сделан от базового слоя , то |
источник управляющего тока |
|
ПРК |
|
включается между УЭ и катодом. Такая схема управления по катоду при- |
||
веденаУ |
на рисунок35,а. Возможна и другая схема, в которой вывод управ- |
|
ляющего электрода сделан из базового слоя , а источник |
включается |
|
между УЭ и анодом. В этом случае осуществляется управление поУ |
аноду. |
На рисунок 49,а изображена схема включения тиристора с цепью управления; на рисуноке 49,б,в,г условные графические обозначения динистора, тринистора с управлением по катоду и по аноду соответственно; на рисунке 49, д – схема включения тиристора.
56
Рисунок 49
Рассмотрим влияние тока управления на работу тиристора при прямом напряжение между анодом и катодом в схеме рисунок 49, а. В основную цепь включены источник питания А и нагрузка Н. В цепь управления включен источник управляющего сигнала У, дающий ток управления У. Полярность источника совпадает по знакам с прямым напряжением на переходе П .
При включении цепи управления ток У, проходя от управляющего электрода через переход П к катоду, добавляется к току эмиттера Э2 и вызывает увеличение коэффициента передачи тока . В результате этого возрастает ток коллекторного перехода П , а значит, и ток в цепи тиристора, и переключение тиристора происходит при меньшем напряжении на нем. Чем больше ток управления, тем меньше напряжение, при котором открывается тиристор. Это отражает семейство вольт–амперных характеристик, снятых в прямом направлении при разных значениях тока управления (рисунок 50). При определенном значении тока управления, называемым током управления спрямления УС, прямая ветвь характеристики спрямляется, участок закрытого состояния 1 отсутствует; тиристор при прямом напряжении открыт, как диод.
Ток управления влияет только на крутизну участка 1 закрытого состояния тиристора и напряжение перехода в открытое состояние; на рабочий участок характеристики в открытом состоянии ток управления не оказывает влияния. После включения тиристора цепь управления может быть разомкнута, а тиристор будет продолжать работать в открытом состоянии.
Благодаря этому свойству в практических схемах используют автоматическую подачу кратковременных импульсов тока управления для включения тиристора в нужный момент времени.
57
Рисунок 50
Выключение тиристора – переход в закрытое состояние – может быть осуществлено уменьшением тока до величины, меньшей тока удержания, или изменением полярности основного напряжения А на обратную.
Рисунок 51
Обратная ветвь характеристики, как было сказано, соответствует обратной ветви вольт–амперной характеристики диода (участок 4 на рисунок 50). При обратном напряжении, равном напряжению пробоя ОБР.ПРОБ. происходит лавинный пробой тиристора (участок 5).
5.3 Симметричный тиристор
Симметричным тиристором, или симистором, называют тиристор, который переключается из закрытого состояния в открытое как в прямом,
так и в обратном направлении. Он имеет симметричную вольт–амперную характеристику, т.е. одинаковые по виду прямую и обратные ветви. В связи
58
с этим симисторы применяют как переключающие приборы в цепях переменного тока.
Симметричные тиристоры разделяют на диодные и триодные. Диодный симметричный тиристор (диак) включается при достижении как в прямом, так и в обратном направлениях определенного значения между основными выводами, равного напряжению переключения. Триодный симметричный тиристор (триак) включается как в прямом, так и в обратном направлениях при подаче сигнала на его управляющий электрод.
Структура симистора характеризуется большим, чем четыре, числом чередующихся областей р – и n – типа и, соответственно, имеет не три, а больше число переходов: для диака пять слоев и четыре перехода, для триака– шесть и более слоев, пять и более переходов
Рассмотрим структуру и принцип действия симистора, на рисуноке 52, а изображен эквивалент в виде двух тиристоров; 52,б,в – условные графические обозначения диака и триака; 52,г – схема включения триака.
Эту структуру можно рассматривать как два обычных тиристора, включенных встречно–параллельно. Первый из них включает часть структуры
правой стороны – |
|
|
c переходами , |
|
и |
|
(рисунок 52,а); |
|||||
для него прямым будет положительное |
напряжение на аноде относительно |
|||||||||||
П |
П |
|
П |
|
|
|||||||
катода. В этом случае переходы |
|
и |
|
находятся под прямым напряжени- |
||||||||
ем, а |
П |
– под обратным. Как |
было подробно рассмотрено для обычного ти- |
|||||||||
|
|
П |
|
П |
|
|
|
|
|
|
||
ристора, с увеличением тока в |
–слое накапливаются электроны, а в |
– |
слое – дырки, что приводит к перемене полярности напряжения на переходе |
|||||
обратной на прямую, и тиристор переключается из закрытого состояния |
|||||
Пв открытоес |
. |
|
|
|
|
Если на электрод УЭ подавать импульс управляющего напряжения со |
|||||
знаком “плюс” относительно анода А, то на дополнительном переходе |
Пв |
||||
создается прямое напряжение, электроны инжектируются из области |
|||||
область |
диффундируют через нее к переходу |
и перебрасываются по- |
|||
лем его контактной, |
разности потенциалов в |
– |
Пслой. Насыщение |
– |
слоя приводит в свою очередь к увеличению
59
Рисунок 52
прямого напряжения на переходе , под действием которого усиливается
инжекция дырок |
– слоя в n2– |
слой; они диффундируют через |
|
– слой и |
||
П |
|
|
|
в – |
||
перебрасываются под действием обратного напряжения на переходе |
|
|||||
слой. Накопление дырок в – слое и электронов в |
– слое под |
действием |
||||
|
П |
|
импульсов управляющего сигнала происходит мгновенно, и тиристор переключается в открытое состояние при меньшем напряжение между основными электродами, чем напряжение переключения при отсутствии тока управления.
Рисунок 53
При перемени полярности напряжения в основной цепи – процессы происходят так же, как в обычном тиристоре. Импульс управляющего сигнала создает дополнительное прямое напряжение на переходе П , и через него проходит ток управления У, вызывая переключение симистора из закрытого состояния в открытое.
60