Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лекция_6

.pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
12.02.2015
Размер:
7.75 Mб
Скачать

Су шка

В процессах сушки удаляется растворитель, и в пленке фоторезиста происходит сложный релаксационный процесс плотной упаковки молекул,

уменьшающий внутренние напряж ения и увеличивающий адгезию сформированного плотного фоторезистивного слоя к подложке.

Основными параметрами сушки являются температура и время. При низких температурах адгезия фотосл оя к подложке плохая, преобладает сцепление между собственными молекулами полимера (когезия). Этим объясняется отслаивание фоторезиста при проявлении. При температурах больших критических в слое позитивного фоторезиста протекают те же необратимые явлени я, что и при экспонировании.

Применяются следующие методы сушки: конвективная,

инфракрасная, с помощью СВЧ энергии.

31

Совмещение

Совмещение выполняется при наличии зазора (10-15 мкм) между фотошаблоном и подложкой. Эта операция необходима для совмещения подложки (а затем рисунка на подложке) с рисунком фотошаблона. В

настоящее время применяется визуальный и автоматизированный метод совмещения.

Одной из основных трудностей обеспечения точного совмещения -

создание механизмов плавного перемещения подложек на расстояние менее 1 мкм.

32

Экспонирование

Экспонирование и проявление неразрывно связаны между собой. В

силу этого для выбора режимов, обеспечивающих точную передачу размеров, необходимо одновременно изменять время проявления и экспонирования. На практике, однако, часто пользуются методом подбора оптимального значения одного параметра при фиксации другого.

После совмещения подложку и фотошаблон приводят в плотной контакт и выполняют операцию экспонирования. Нужное усилие контакта создается механическим или вакуумным прижимом.

33

Проявление

Проявление – процесс удален ия лишних в фоторезистивном слое участков в соответствии с локальным облучением при экспонировании.

Проявление негативных фоторезистов представляет собой простое растворение необлученных участков в органических растворителях:

толуоле, трихлорэтилене и др. Проявитель должен обладать хорошей растворяющей способностью и минимальным воздействием на облученные участки фотослоя.

Проявление позитивных фоторезистов сопровождается удалением облученных при экспонировании участков фоторезиста. После облучения

(в результате которого полученная инденкарбоновая кислота превращается в легко растворимую соль) поверхность из гидрофобного состояния переходит в гидрофильное. Поэтому облученные участки фоторезистивного слоя, в отличии от необлученных, хорошо смачиваются

проявителем. В качестве проявителей применяют водные щелочные

34

растворы (натрия фосфорнокислого, калия гидрат окиси).

Дубление

Дубление проводится для восстановления набухшего рисунка и придания устойчивости фоторезистивной маске по отношению к последующим агрессивным воздействиям. Применяются более высокие температуры и большое время нагрева.

35

Трав ление

Травление осуществляют через о кна в маске фоторезиста в травящих растворах. Состав растворов очень разнообразен и зависит от скорости травления, избирательности и т.п.

36

Удаление фотор езистивной маски

На заключительных операциях, как правило, необходимо обеспечить не только разрушение и удаление выполнившей свою роль фоторезистивной маски, но и х орошую очистку поверхности от загрязнений, внесенных всем процессом фотолитографии. Можно

выделить три способа удаления фоторезиста: химическая деструкция в

серной кислоте или на ее основе; обработка в органических растворителях; деструкция в оксидированием в кислородосодержащих газовых смесях.

37

План лекции:

1.Введение. Суть фотолитографии

2.Фоторезисты

3.Технология оптической фотолитографии

4.Формирование фоторезистивн го слоя

5.Изготовление фотошаблонов. Мультиплицирование

38

Определение

Фотошаблон — пластина, прозрачная для используемого в данном процессе электромагнитного излу чения, с рисунком, выполненным непрозрачным для используемого изл учения красителем.

В зависимости от материала пленочного покрытия различают фотошаблоны на основе:

фотографическойэмульсии (эмульсионные фотошаблоны);

металлическойпленки (металлические фотошаблоны);

окиси железа (цветные фотошаблоны).

39

Фотошаблоны

40

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]