Лекция_6
.pdf
Контактная
Фотолитография
Проекционная
Фотошаблон
помещается
непосредственно на подложку с нанесенным фоторезистом
Между фотошаблоном и подложкой есть расстояние обусловленное фокусирующей оптической системой
21
22
Прямая
Фотолитография
Взрывная
Формирование
фоторезистивной маски на
напыленном слое и вытравливание через окна его
участков
Формирование
фоторезистивной маски на подложке, затем напыление слоя и удаление фоторезиста (с напыленным на него слоем)
23
Процесс «взрывной» обратной фотолитографии
24
Процесс прямой фотолитографии
25
План лекции:
1.Введение. Суть фотолитографии
2.Фоторезисты
3.Технология оптической фотолитографии
4.Формирование фоторезистивн го слоя
5.Изготовление фотошаблонов. Мультиплицирование
26
27
Подготовк а подложек
Подготовка каждого матер иала (диэлектрика, проводника,
резистивного слоя) в каждом конкретном случае индивидуальна. В
зависимости от дальнейшего маршрута платы, но если перерыв между напылением и нанесением был не большой (1-2 часа), то подготовка сводится к обезжириванию в органич еских растворителях.
28
Нанесение фоторезиста
Операция должна обеспечива ть формирование бездефектных,
равномерных и воспроизводимых по толщине фоторезистивных слоев с максимальной адгезией к подложкам при сохранении исходных характеристик применяемых фоторезистов. В подавляющем большинстве случаев фоторезист наносится центрифугированием, либо окунанием.
29
Нанесение центрифугированием
hф A
,
где hф – толщина нанесенного слоя,
А - эмпирический коэффициент,
-кинематическая вязкость мм2/с,
- частота вращения центрифуги, об/с
30