Типичные значения параметров полупроводников.
|
Параметры полупроводников |
Обозначение |
Размерность |
Численные значения параметров | ||||||
|
Seаморф |
Seкрист |
CdTe |
Гипоте-тич. |
Ge |
InSb |
Bi2Te3 | |||
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|
Электропроводность |
|
См/м ом-1.см-1 |
110-10 110-12 |
1.10-3 110-5 |
110-5 110-7 |
0,1 110-3 |
1102 1 |
3104 3102 |
1105 1103 |
|
Теплопроводность |
х |
Вт/(м.К) Вm/см.град |
0,24 2,410-3 |
2,5 2,510-2 |
5 0,05 |
10 0,1 |
63 0,63 |
42 0,42 |
1,8 1,810-2 |
|
Термо-э.д.с. |
aТ |
Мв/К Мв/г рад |
1,0 1,0 |
0,9 0,9 |
0,4 0,4 |
0,5 0,5 |
0,55 0,55 |
0,36 0,36 |
0,17 0,17 |
|
Подвижность |
|
м2/(В.с) см2/в сек |
110-5 0,1 |
110-4 1 |
0,07 7102 |
510-3 50 |
0,36 3,6103 |
6 6104 |
0,02 2102 |
|
Коэффициент Холла |
RH |
м3/Кл см3/кул |
1105 11011 |
0,1 1105 |
7103 7109 |
510-2 5104 |
3,610-3 3,6103 |
210-4 2102 |
210-7 0,2 |
|
Концентрация Носителей |
n |
м-3 см-3 |
6,251013 6,25107 |
6,251019 6,251013 |
91014 9108 |
1,251020 1,251014 |
1,71021 1,71015 |
3,11022 3,11016 |
3,1 1025 3,1 1019 |
|
Ток |
Ix |
A |
110-12 |
310-6 |
310-8 |
310-5 |
110-3 |
310-2 |
0,1 |
|
Э.д.с. Холла |
Vу |
В |
110-5 |
310-5 |
2,110-2 |
1,510-4 |
3,610-4 |
610-4 |
210-6 |
HТаблица 2.
Сравнительная оценка величины эффекта Холла и побочных эффектов
|
Эффект |
Отношение э.д.с. побочного эффекта к э.д.с. Холла , % | ||||||
|
Seаморф |
Seкрист |
CdTe |
Гипотетич. |
Ge |
InSb |
BiTe3 | |
|
Неэквипотенциальность |
1 107 |
1106
|
1,4 103 |
2 104 |
2,8102 |
17 |
5103 |
|
Магниторезистивный эффект неэквипотенциальности |
3,710-6 |
3,710-5
|
2,610-2 |
1,9 10-3 |
0,13 |
2,2 |
7,410-3 |
|
Термо- э.д.с. |
1 |
3 103 |
1,9 |
3,3 102 |
1,5 102 |
6 102 |
8,5 103
|
|
Эттингсгаузена |
6,310-13 |
5,5 10-7
|
1,2 10-9 |
7,6 10-6 |
1,3 10-3 |
0,4 |
1,4 |
|
Нернста-Эттингсгаузена |
5 10-4
|
1,7 10-3
|
1,710-3 |
1,7 10-2 |
0,5 |
5 |
5 |
|
Пельтье-Нернста-Эттингсгаузена |
1,310-12 |
1,1 10-16
|
2,4 10-9 |
1,5 10-5 |
2,6 10-3 |
0,8 |
30 |
|
Риги-Ледюка |
1,510-19 |
4,4 10-19
|
1,1 10-12 |
6,1 10-9 |
3,2 10-5 |
9,4 10-2 |
3,5 |
|
Пельтье-Риги-Ледюка |
5 10-26
|
2,6 10-1 4 |
1,310-19 |
510-12 |
1,6 10-7 |
1,3 10-2 |
18 |
При расчетах были
приняты адиабатические условия и
следующие величины:
(см.
рис. 2 ); Т =300К;
;
;Bz=0,1
T
и
.
Как видно из табл.2, самый большой вклад в измеряемую поперечную э.д.с. могут внести напряжение неэквипотенциальности и термо-э.д.с. почти для всех полупроводниковых материалов. Поэтому даже проводимое усреднение э.д.с. Холла может не обеспечить удовлетворительной точности измерений, так что целесообразно осуществлять геометрическую или электрическую балансировку контактов Холла.
Э. д. с. гальвано-
и термомагнитных эффектов сказываются
в низкоомных полупроводниковых материалах
(
>102
См/м). Поэтому при измерениях эффекта
Холла в низкоомных полупроводниках
необходимо принимать тщательные меры
для соблюдения изотермических условий
эксперимента, что особенно важно при
измерениях с постоянными первичными
полями Ex
и Вz.