«Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана»

(МГТУ им. Н.Э. Баумана)

№

Параметр

Источник

Изотопный состав ⁶⁴Zn, ⁶⁶Zn, ⁶⁷Zn, ⁶⁸Zn, ⁷⁰Zn

[5] ст. 20

Электронное строение 3d¹⁰4s²

Атомный номер, атомный вес компонентов 30; 65,37

Температура плавления, Т_пл, [К] 693

Температура кипения, Т_кип, [К] 1180

Температура сублимации, Т_суб, [К] 598 (при P=1,33 Па)

Температура деполимеризации - (для полимеров)

Плотность,  , [кг/м²] 7,14∙10³

Удельная теплота плавления, L_пл [Дж/моль] 7,28∙10³

[4] ст. 290

Удельная теплота парообразования, L_исп [Дж/моль] 114,8∙10³

[4] ст. 290

Удельная теплоемкость, с_р, [Дж/мольК] 25,4

[11] ст.124

Теплопроводность,  [Вт/(мК)] 119

Температуропроводность,  4,2∙10^-5

Сродство к электрону и протону Ae=(-0,09) Ap= -

[3] ст. 423

Потенциалы ионизации 9,4 ; 17,96; 39,7

[11] cт. 123

Энергия диссоциации

-

Работа выхода,φ [эВ] 4,24

Энергия Ферми 9,6∙10^-19 Дж=6 эВ

Коэффициент сжимаемости  , [Па^-1] 1,72∙10^-11

Средний температурный коэффициент линейного/объемного расширения

=30∙10^-6 K^-1 при 273К

=93,5 К^-1 при 273К

Эффективные размеры атомов, ионов, молекул :

Атомный радиус 1,38∙10^-10 м

Ионный радиус 0,83∙10^-10 м

[13] Ст. 11

№

Параметр

Источник

Характеристики кристаллической решетки Гексагональная плотноупакованная (ГПУ)

Е_к=131,5 мкДж/кмоль

[11] ст. 123

Поверхность Ферми

-

Зонная диаграмма

Симметрия

-

Кристаллография

-

Эффективная масса

-

Постоянная кристаллической решетки а=0,2664 нм, с=0,4946 нм, с/а=1,856

[11] ст. 123

Частицы, квазичастицы плазмон(для ZnS) ћ=17 эВ

[8] ст. 137

№

Параметр

Источник

Модуль упругости, Е, [н/м²] 99,2∙10⁹

[4] Ст. 47

Модуль сдвига, G, [н/м²] 37∙10⁹

[4] Ст. 47

Коэффициент Пуассона,  0,3-0,35

Предел текучести, _т, [н/м²] 104∙10⁶

Относительное удлинение 40-50% (литой цинк)

Временное сопротивление разрыву, _вр, [н/м²] 111∙10⁶

Вязкость т.т., , [кг/мс] 1,865…3,168∙10³

[4] Ст. 373

Твердость по Бренелю Н_Б, МПа 300-412

Твердость по Роквеллу Н_R 67-73

Триботехнические свойства. Коэффициент трения f_a=0,088

Коэффициент поверхностного натяжения [Н/м] 0,8

Сжимаемость  , [Па^-1] 1,72∙10^-11

[4] Ст. 88

№

Параметр

Источник

Уравнение состояния вещества, вириальные коэффициенты ,

γ=2,38, γ_0,6=1,6, А=1,84∙10¹⁰Па, b=12,2, K=2,04∙10¹⁰Па

[4] ст. 315

Фазовая диаграмма, фазовые переходы Т_пл, =693 К, Т_кип, =1180 К

Критическая точка Т_кр >2590, P_кр ---, V_кр---

[4] cт. 318

Температурная зависимость теплопроводности,  = (Т) =L₀σT

[11] ст. 123

Температурная зависимость коэффициента линейного/объемного расширения, а = a(Т)

[11] ст. 123

Температурная зависимость теплоемкости, c_р = c_р(T) и c_p/c_V = f(T)

[4] ст. 201

Теплоемкость при фазовых переходах см.п.6

[4] ст. 201

Температурная зависимость температуропроводности,  = (T)

-

Температурная зависимость коэффициента вязкости,  = (T)

[11] ст. 125

Коэффициенты Джоуля-Томсона (для газов), а Zn-металл

Температурная зависимость коэффициентов диффузии, D = D(T)

[11]ст. 126

Давление насыщенных паров, мм.рт.ст. 28 (650̊С), 60 (700̊ С), 240 (800 ̊С), 727 (900 ̊С)

[13] Ст. 11

Температурная зависимость плотности

[11] ст. 124

№

Параметр

Источник

Удельное сопротивление  = (),  = ()

[11] ст. 124

Сверхпроводящие свойства: _s(), _s _s=0,851 К

[4] ст. 450

Диэлектрическая проницаемость,  Zn-проводник

Тангенс угла диэлектрических потерь, tg  Zn-проводник

Пробивное напряжение, Е_пр, [В/М] Zn-проводник

Точка Кюри, Т_с, [К](для ферромагнетиков) Zn-проводник и диамагнетик

Пьезоэлектрические свойства Zn-проводник

Ширина запрещенной зоны Zn-проводник

[3] ст. 375

Постоянная Холла, R, [м³/К] R=0,9∙10^-10

[11] ст.124

Удельная проводимость, , [1/Омм] =16,4∙10⁴

[13] Ст. 11

Подвижность электронов и дырок в п/пр Zn-проводник

Длина диффузии L_D (для полупроводников) Zn-проводник

[3] ст. 341

Время жизни носителей заряда в полупроводниках Zn-проводник

T_D для полупроводников Zn-проводник

№

Параметр

Источник

Скорость звука в расплавах: при t=693 K C=2700-2850 м/с

При t=298 K

Продольн. C_l=4170 м/с

Продольн. С_t=2410

[4] ст. 141

Коэффициент потерь (для т.т.)

-

Добротность, Q

[4] ст. 156

Коэффициент поглощения звука, , где f – частота (692 К) 3,7∙10^-15 с²/м

[11] ст. 127

Декремент затухания

-

№

Параметр

Источник

Работа выхода, e 4,24 (поликристалл); 4,9 (монокристалл)

Скорость испарения, v_исп, [г/(см²с)]

-

Плотность термоэмиссионного тока, j_s, [А/см²] ,

Коэффициент Зомерфельда (для металлов) А = 4рek²m/h³ =120,4а/К² см2

Коэффициент Ричардсона

-

Толщина слоя, испаряющегося за 1 час, d, [мм]

-

Рабочая температура термокатода, Т, [К]

-

Эффективность термокатода, 

-

Фотоэмиссия

-

Порог фотоэмиссии, h₀, [эВ]

-

Максимальный квантовый выход, Y_max, электрон/фотон

-

Максимальная чувствительность, S_max, [мкА/лм]

-

Коэффициенты вторичной эмиссии σ_max=1,41 при Е_pm=0,7 кэВ

[4] ст. 583

Работа выхода, e [эВ] 4,24

Коэффициенты основных электронных эмиссий (энергия осн. пиков и чувствительность) Е_о.э.=994 эВ, ξ=0,17

[4] ст.586

Коэффициенты основных эмиссий атомных частиц σ_вээ=0,034 (Ar⁺), σ_вээ=0,107 (He⁺), σ_вээ=0,918 (O⁺)

[4] cт. 592

Коэффициенты макропереноса – испарения, эрозии

-

Распыление

-

Коэффициенты полевой эмиссии

-

Наилучшим материалом для изготовления термокатодоа является тот материал, который обладает не только малой работой выхода, но и обладает малую скорость испарения материала катода при высоких температурах. Из цинка термокатоды не делают.

№

Параметр

Источник

Удельная магнитная восприимчивость, , [м³/кг] 16,5∙10^-6

Кривые намагничивания Zn-диамагнетик

Удельная намагниченность насыщения, _s Zn-диамагнетик

Точка Кюри, _f, [К] Zn-диамагнетик

Константы магнитной анизотропии Zn-диамагнетик

Константы магнитострикции Zn-диамагнетик

Магнитные потери Zn-диамагнетик

Рентгеновская плотность, _х, [кг/м³] Zn-диамагнетик

Магнитный момент на молекулу, , [_В] Zn-диамагнетик

Ширина линии ферромагнитного резонанса, , [э] Zn-диамагнетик

Начальная магнитная проницаемость, ₀ Zn-диамагнетик

Индукция магнитного насыщения, M_s Zn-диамагнетик

Температура антиферромагнитного упорядочения, T_N Zn-диамагнетик

Молярная магнитная восприимчивость _m, [м³/моль] 0,175∙10^-9

..

Температура переориентации магнитных моментов относительно кристаллических осей, T_п Zn-диамагнетик

Спонтанный магнитный момент, , [гссм³] (СГСМ) Zn-диамагнетик

Магнитный момент иона (атома),  ⁶⁷Zn=0,876, для остальных 0

Магнитный момент иона (атома) A при температуре Т⁰ К (в магнетонах Бора, _В), Zn-диамагнетик

Эффективное обменное поле , Zn-диамагнетик

Эффективное поле магнитной анизотропии, Zn-диамагнетик

Эффективное поле, связанное с взаимодействием Дзялошинского, Zn-диамагнетик

Значение внешнего магнитного поля, при котором наблюдается та или иная особенность в зависимости магнитного момента вещества от магнитного поля, Zn-диамагнетик

Значение магнитного поля, при котором наблюдается АФМР, Zn-диамагнетик

Ширина линии АФМР по полю при _АФМР = const, Zn-диамагнетик

Длина волны, соответствующая частоте АФМР в нулевом магнитном поле (при T<<T_N), (0) Zn-диамагнетик

Удельная магнитная восприимчивость, , [м³/кг] 16,5∙10^-6

[13] Ст.11

№

Параметр

Источник

Коэффициент термо-э.д.с. при 298 К е=+2,9 мкВ/К

[11] ст. 124

Коэффициенты Пельтье

Эффект Пельтье обратен эффекту Зеебека. При прохождении тока через спай проводников кроме джоулева тепла выделяется или поглощается, в зав-ти от направления тока, некоторое кол-во тепла Q_п=П/t

Zn→Ni 15̊C П=1,534 Мккал/К

Znǁ→ Zn﬩ 20̊C П=0,126 Мккал/К

[3] ст. 467

Коэффициент Томсона

Если вдоль проводника существует перепад температур, то кроме джоулева тепла в объеме проводника выделяется или поглощается некоторое кол-во тепла Q_S=S(T₂-T₁)/t

Zn (монокристалл) ǁ S=+4,6; ﬩ S= +8,8

[3] cт. 466

Коэффициент Зеебека

Эффект Зеебека состоит в том, что в замкнутой цепи из разнородных металлов возникает термодвижущая сила (термо-э.д.с.), если места контактов поддерживаются при разных температурах.

Термо-эд.с при различных температурах и всестороннем давлении:

[3] ст. 464

Контактные явления, свойства контактной границы

-

№

Параметр

Источник

Коэффициент Холла при комнатной температуре R=0,9∙10^-10 м³/Кл

Эффект Холла- возникновение поперечного электрического поля в кристалле, по которому протекает ток, при помещении его во внешнее магнитное поле.

[11] ст. 124

[3] ст. 472

Коэффициент Эттинсгаузена T=P[JH], P= 

Эффект Эттингаузена- появление поперечного градиента температуры при протекании тока в поперечном магнитном поле

Коэффициент Риги-Ледюка yT=S[H_xT], S=1,2910³ м²/Всек

Эффект Риги-Ледюка- в кристалле с разными температурными градиентами встречные диффузионные потоки отклоняются.

Коэффициент Эттинсгаузена-Нериста Е=Q[TH] при J=0, Q=-2,40∙10⁸ м²/градсек

Эффект Эттинсгаузена-Нериста- т.к. быстрые электроны сильней отклоняются полем, а медленные – слабее, то создается градиент температур

[3] ст. 474

Изменение сопротивления металлов и сплавов в магнитном поле

[3] ст. 496

№

Параметр

Источник

Фактор спектроскопического расщепления, g

-

Показатель преломления, n_абс λ=5000нм→ n_абс =3,8

[3] ст. 639

Показатели преломления для определенных спектральных линий, n_i

-

Спектральные зависимости показателя преломления n = f(h, T, P)

[11] ст. 126

Коэффициент отражения, R, R = f(h, T, P)

[11] ст. 126

Коэффициент поглощения, ,  = f(h, T, P) см.п.4

[11] ст. 126

Области прозрачности

-

Спектральная степени черноты, _т, _т = f(h, T,) 0,05

[11] ст. 126

Интегральная степень черноты

-

Взаимодействие с рентгеновским излучением

-

Лазерные переходы

-

Коэффициент ослабления рентгеновского излучения

-

№

Параметр

Источник

Взаимодействие с нейтронами

[3] ст. 885

Сечение рассеяния тепловых нейтронов

[3] ст. 905

Сечение захвата

-

, , -активность

[4] ст. 995

№

Параметр

Источник

Рассеяние электронов на атомах, молекулах, ионах. Сечение пеннинговского процесса A*+B→A+B⁺+e при тепловой энергии, 10^-16 см² : He→2³S→36; Ne→³P₂→42; Ar→³P₂→ 53; Kr→³P₂→93

[4] cт 393

Сечение/константы скорости резонансных процессов –

Перезарядка

[4] ст. 395

Рекомбинация

-

Ионизация

-

Энергия связи электронов во внутренних оболочках

[4] ст.418

Энергия сродства атомов и молекул к электрону у Zn не существует

[5] Ст. 117

Атомные и молекулярныые спектры

[5] ст. 204

Диаграммы Гротриана

[4] ст. 825

№

Параметр

Источник

Эффект Поккельса, электрооптические свойства кристаллов- для кристаллов, не обладающих центром симметрии, Zn-симметричен

Эффект Фарадея Zn-диамегнетик

Температура Нееля (для антиферромагнетиков) Zn-диамегнетик

Удельное Фарадеевское вращение, F(для ферромагнетиков) Zn-диамегнетик

Температура компенсации

Коэффициент поглощения, 

Показатель качества, 2F/(для ферромагнетиков) Zn-диамегнетик

Эффект Керра(для молекул, обладающих электричиским моментом) Zn-проводник

Постоянная Керра Zn-проводник

[4] ст. 872

Фотоупругие свойства

[4] ст. 873

Оптическая активность

[4] ст. 877

Вынужденное рассеяние света

[4] ст. 893

Вынужденное рассеяние света Мандельштама-Бриллюэна

[3] ст.794