Источники тока на пт

Наиболее просто источники тока строятся на ПТ с p-n переходом на МОП транзисторах со встроенным каналом. Источники тока на ПТ могут быть просто двухполюсниками. Для источника тока на БТ необходим обязательно задающий ток или схема должна содержать как минимум 3 транзистора.

В рассматриваемой схеме ток, который задается транзистором, это

I = I_с^нач @ const, пока

U_u ³ U_{отсечки}

Диапазон работы до напряжения отсечки, а эта величина ~ 0,5¸10 В.

R_вых = R_к – сопротивление канала.

Можно масштабировать ток на ПТ, заодно увеличить R_вых с помощью одного сопротивления.

U_зи = 0 (в предыдущем случае)

Здесь:

U_зи ¹ 0

U_зи = I_u*R_u = I*R_u @ const

I < I_с^нач

Увеличивая R_u можно уменьшать I.

Каскадное включение ПТ, когда вместо R_u используют также ПТ, позволяет получить источник тока с очень большим R_вых.

Достоинства источника тока на пт:

• Простота схемы

• Простое управление током

Однако, т. е. ПТ обладает большим разбросом параметров, следовательно получается разброс параметров источников токов, т. е. повторяемость источников токов на ПТ хуже, чем на БТ.

Многокаскадные усилители

При создании усилителей наряду с одиночными каскадами широко используются многокаскадные усилители с местными и общими ОС. Используются 2 – х каскадные и 3 – х каскадные усилители.

2 – х каскадные:

ОЭ – ОЭ *

ОБ – ОБ

ОБ – ОК *

ОБ – ОЭ *

ОЭ – ОБ

ОЭ – ОК *

ОК – ОБ

ОК – ОЭ *

* - применяются чаще всего.

Примеры реализации

Такие каскады могут быть построены как на однотипных транзисторах, на комплиментарных транзисторах, в этом случае наиболее просто достигается межкаскадное согласование. Кроме того, усилители могут иметь параллельное питание и последовательное питание на каскады.

Пример

ОЭ – ОЭ

В этой схеме VT₁ и VT₂ комплиментарные, VT₁ – n-p-n, VT₂ – p-n-p.

Каждый из них ОЭ.Т. е. они комплиментарные, это обеспечивает возможность согласования режима их работы и связи по постоянному току непосредственно. В этом усилителе имеют место следующие ООС:

• Местная ООС по току для VT₁ с помощью R_э1;

• Местная ООС по току для VT₂ через R_э2;

• Общая ООС через R_к2, R_э1.

K_u @ 1/b = R_к2/R_э1 @ 20

Из – за наличия местной и общей ООС эта схема является температурно устойчивой, широкополосной. Имеет повышенное R_вх.

Каскадный усилитель

ОЭ – ОБ

VT₁ – VT₂

С последовательным питанием;

С_э – блокирует ОС VT₁;

C_б – заземляет базу VT₂ по переменному току;

Делитель R₁ – R₃ задает режим работы VT₁ и VT₂ одновременно.

i_k1 @ i_э1 @ i_э2 @ i _r2

Такой усилитель используется для обеспечения относительно высокого усиления на ВЧ.

VT₁ – ОЭ усиливает по току К_I >> 1 не усиливает по напряжению К_u < 1, т. к. он нагружен на низкое входное сопротивление ОБ. В результате С_кэТ1 шунтируется низким R_вх ОБ, что устраняет эффект Миллера для VT₁. Т. е. его усилительные свойства на ВЧ максимально используются.

VT₂ включен по схеме ОБ, не усиливает по току К_I £ 1, фактически является транслятором тока VT₁. Для схемы ОБ эффект Миллера отсутствует, поэтому ВЧ свойства VT₂ также используются полностью. VT₂ фактически развязывает нагрузку R_к от усилительного каскада VT₁.

Такая схема чаще всего используется для построения резонансных усилителей ВЧ. Отсутствие эффекта Миллера позволяет обеспечить высокое устойчивое усиление в такой схеме без применения специальных мер нейтрализации проходной емкости в обычных каскадах.

По такой же структуре ОЭ – ОБ может быть построен усилитель и с || - ным питанием, при этом каскады VT₁, VT₂ связываются между собой через емкость.