Частина іі дослідження біполярного транзистора в ключовому режимі для схеми із загальною базою Лабораторне завдання

1. Підготувати віртуальну лабораторну установку до роботи

та увімкнути двохпроменевий осцилограф і функціональний генератор.

2. На функціональному генераторі встановити таку амплітуду імпульсів, щоб транзистор був у мінімальному режимі насичення.

3. Запустити віртуальну лабораторну установку на моделювання. За допомогою візирних ліній “1” і “2” виміряти амплітуду вхідного імпульсу U_е та вихідного імпульсу U_к і такі часові параметри: t_зт , t_нр , t_р . Звернути увагу на те, що часові параметри зменшились порівняно з схемою із загальним емітером.

4. У масштабі перерисувати у звіт часові діаграми вхідного і вихідного імпульсів.

5. За допомогою клавіатури підключити діод до БТ і повторити п.п. 3, 4.

6. На функціональному генераторі встановити амплітуду вхідних імпульсів рівною U_вх = 0,5 U_е.нас.. Отже, БТ знаходиться в активному режимі. Виконати пункти 3, 4, 5.

7. На функціональному генераторі встановити амплітуду вхідних імпульсів рівною U_вх = 1,5 U_е.нас.. При цьому БТ перейде в режим глибокого насичення і значно збільшиться час t_р . Виконати пункти 3, 4, 5.

8. Порівняти результати досліджень частини І і ІІ та зробити висновки.

Лабораторну роботу підготувати та виконати за допомогою методичних матеріалів [7, ст. 33-35].

А.5. Індивідуальна робота

У кожному семестрі робочою програмою передбачається індивідуальна робота зі студентами в обсязі 5 годин. На І модуль виділяється 3 години.

Кожен студент отримує завдання на індивідуальну роботу. Це, як правило, розділи теоретичної частини посібника, які плануються для самостійного вивчення.

Завдання на індивідуальну роботу містить:

1. Назву розділу теоретичного курсу, який передбачено на самостійне вивчення.

2. Підготовку реферату по заданному розділу.

3. Співбесіду по змісту реферату на індивідуальному занятті.

Перелік завдань на індивідуальну роботу

1. Методи легування (ст. 60)

2. Іонна імплантація (ст. 62)

3. Методи травлення (ст. 63)

4. Порівняльна характеристика епітаксіального і дифузійного процесів (ст. 65)

5. Фотолітографія (ст. 66)

6. Нанесення тонких плівок (ст. 69)

7. Методи формування та класифікація електронно-діркових переходів (ст. 87)

8. Імпульсні діоди (ст. 97)

9. Полікристалічні випрямлячі (ст. 99)

10. Контакти напівпровідник-метал (ст. 102)

11. Конструкції біполярних транзисторів (ст. 141)