Содержание:

5.1. Исследование характеристик и параметров транзистора

5.1.1. Сборка схемы макетной установки, изучение правила пользования приборами инструкции. Снятие вольт-амперных характеристик триода. Исследование вольт-амперных биполярных характеристик транзисторов; расчет параметров по полученным экспериментальным данным, определение параметров модели транзистора.

5.2. Исследование избирательных активных rc цепей : усилитель с т-образным мостом в цепях связей.

5.2.1. Исследование избирательного усилителя с двойным Т-образным мостом в цепи отрицательной обратной связи (ОС).

5.2.2. Исследование избирательного усилителя с мостом Вина в цепи положительной обратной связи (ОС).

5.3. Исследование транзисторного мультивибратора и мультивибратора на операционном усилителе

5.3.1. Изучение физических процессов, происходящих в мультивибраторах на различных активных элементах, исследовать влияние параметров схемы на частоту, форму и амплитуду генерируемых колебаний. Проведение измерений параметров импульса с помощью осциллографа.

5.4. Исследование процессов амплитудной модуляции и детектирования

5.4.1. Исследование амплитудного модулятора на транзисторе с модуляцией смещением

5.4.2. Исследование амплитудного параметрического модулятора на операционном усилителе.

Раздел 6. Самостоятельная работа

№ п/п	Тема самостоятельной работы	Объем, ч.	Литература
	04 семестр
6.1.	Самостоятельная проработка курса лекций	41	[1-3, 24-26,29]
6.2.	Домашнее задание 1. Носители зарядов, электронно-дырочный переход, эквивалентные схемы	5	[1, 2, 24, 26]
6.3.	Домашнее задание 2. Усилители на биполярном и полевом транзисторе, мультивибратор	5	[1, 2, ,19,24, 21,26]
	05 семестр
6.4.	Самостоятельная проработка курса лекций	7	[10, 34]
6.5.	Домашнее задание 1. Составление, минимизация и реализация логической функции на элементах жесткой логики	5	[6, 9]
6.6.	Домашнее задание 2. Разработка функциональной схемы селекции импульсов по их длительности в жесткой логике; с примерами микропрограммирования отдельных операций (ввода-вывода, построения гистограмм)	5	[7, 11,15,16,41]

Содержание

6.1. Самостоятельная проработка курса лекций

Работа студентов над материалом в соответствии с излагаемыми на лекциях вопросами курса, как по конспектам, так и работа с рекомендуемыми литературными источниками. Подготовка к семинарам, активное участие в работе, совершенствование умения составления докладов, рефератов: выполнение домашних заданий. Установка на анализ частного, взаимосвязь отдельного и формирование общего, системного воззрения на предметный блок знаний Электроника.

6.2. Носители зарядов, электронно-дырочный переход, эквивалентные схемы

Выдача – 03 неделя, сдача – 12 неделя.

Пояснить физические процессы возникновения p-n перехода. Переход металл-полупроводник. Общность принципов построения активных элементов

Прямое и обратное напряжения. Токи через p-n переход (ЭДП). Вольт-амперная характеристика ЭДП. Диоды как приборы на одном ЭДП. Схемы включения диода для различных применений.

6.2. Усилители на биполярном и полевом транзисторе, мультивибратор

Выдача – 12 неделя, сдача – 16 неделя.

Биполярный и полевой транзисторы (БПТ и ПТ) как основа электронного усилителя и преобразовательной схемы. Обобщенная схема усилителя как система с активным элементом (транзистором). Обратные связи в усилительных каскадах – отрицательная и положительная. Мультивибраторы как система двух каскадов усилителей с положительной обратной связью. Построение электронного устройства формирования сигнала как комбинации усилительной и мульти - вибраторной схемы.

.