2.3. Студент должен иметь навыки:

►	провести экспериментальное исследование характеристик и параметров элементарного электронного устройства с использованием измерительной техники;
►	анализировать результаты исследований, сопоставлять с расчетными значениями, представлять в виде временных диаграмм, таблиц, графиков;
►	оформлять результаты работы в виде схем, графиков, пояснительных записок с соблюдением требований ГОСТ

Раздел 3. Содержание дисциплины

№ п/п	Раздел дисциплины	Лекции, ч.	Семинары, ч.	Лабораторные работы, ч.	Литература
	04 семестр	51	17	¾
3.1.	Элементная база электронных устройств	19		¾	[1-3, 24-26]
3.2.	Усиление электрических сигналов	15		¾	[1, 3,521,42]
3.3.	Генерирование электрических сигналов	4		¾	[3, 25,22,43]
3.4.	Источники вторичного электропитания	3		¾	[1,22]
3.5.	Линейное и нелинейное преобразование сигналов	5		¾	[3, 25,22,43]
3.6.	Импульсные устройства	5		¾	[1,43]
	05 семестр	34	17	17
3.7.	Представление информации в цифровых системах и алгебра логики.	6	¾	¾	[6, 9, 10,44]
3.8.	Цифровые устройства	8	¾	¾	[8-10,22,31]
3.9.	Микропроцессорные устройства	12	¾	¾	[6,7,9,27,32,40]
3.10.	Запоминающие устройства и преобразователи**	8	¾	¾	[8, 11,22]

Содержание:

3.1. Элементная база электронных устройств.

3.1.1. Краткая история развития электроники. Основоположники электроники, Вклад отечественных и зарубежных ученых и инженеров. Роль электроники в современной науке и технике и народном хозяйстве. Место дисциплины в учебном плане подготовки инженеров соответствующих специальностей. Основные тенденции и перспективы её развития.

Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Полупроводники, как базовые материалы современных технологий и приборов. Основные понятия и термины. Одноэлектронные приборы, электровакуумные диоды, триоды.

3.1.2. Полупроводниковый p-n переход, переход металл-полупроводник: физические процессы, ВАХ, особенности, модели. Разновидности полупроводниковых диодов: выпрямительные, импульсные, варикапы, стабилитроны, обращенные, туннельные, фотопреобразовательные и т.д. Разновидности электрических переходов и методы их создания, вольт-амперная характеристика (ВАХ) идеализированного диода, емкости перехода. ВАХ реального p-n диода. Токи генерации-рекомбинации, сопротивление базы, пробой перехода.

Особенности конструкций, параметров, характеристик и моделей. Влияние внешних условий на характеристики и параметры диодов. Переходные процессы в диодно-резисторной цепи.

3.1.3. Биполярные транзисторы (БПТ): характеристики, параметры, модели. Структура и принцип действия БПТ. Режимы работы. Схемы включения. Коэффициенты передачи токов в статическом режиме. Модель Эберса-Молла. Статические характеристики БПТ. Влияние сопротивления базы и зависимости ширины базы от коллекторного напряжения. Влияние температуры и радиации на характеристики и параметры БПТ. Эквивалентные схемы транзистора, линейные модели БПТ: физические параметры, П-образные и Т-образные эквивалентные схемы Системы статических параметров триода. Н-параметры. Связь физических параметров с Н-параметрами, с данными, приводимыми в справочниках, граничные частоты. Работа БПТ в ключевом режиме. Переходные процессы. Импульсные параметры ключа. Конструктивно-технологические разновидности дискретных транзисторов.

3.1.4. Полевые транзисторы (ПТ): характеристики, параметры, модели. Классификация ПТ. Устройство и принцип действия ПТ с управляющим р-п-переходом. Физические параметры (сопротивление канала, напряжение отсечки, крутизна) и их зависимости от температуры. ВАХ в схеме с общим истоком. Особенности ПТ с барьером Шоттки.

3.1.5. Устройство и принцип действия МДП-транзисторов. Физические процессы в МДП-структурах и физические параметры МДП-транзисторов. ВАХ и их зависимость от температуры. Сравнение ПТ с управляющими p-n переходами – с МДП транзисторами.

3.1.6. Структуры на комплементарных МДП транзисторах. Структуры ПТ с управляющим p-n переходом и с барьером Шоттки. Принципы построения преобразовательных приборов на основе передачи зарядовых пакетов (ПЗС).

3.1.7. Фотоэлектрические и излучательные приборы. Рекомбинация и генерация носителей заряда под действием излучения. Фоторезисторы. Фотодиоды. Фототранзисторы. Светодиоды. Вынужденное излучение.