- •Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем Раздел: Полевые транзисторы
- •Часть II
- •Аннотация
- •I. Цель работы
- •II. Введение
- •Входная емкость определяется как емкость затвор-исток
- •III. Описание измерительной установки
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности.
- •VI. Литература
- •VII. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 8
- •I. Цель работы
- •II. Введение
- •Таким образом, с помощью анализа реальных вольт-фарадных характеристик мдп-структур и сравнения их с идеальными можно определить:
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •Основные параметры мдп-структуры
- •Экспериментальные значения емкости мдп-структуры
- •VIII. Контрольные вопросы
- •II. Введение
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •VII. Контрольные вопросы
- •I. Цель работы
- •II. Введение Физические ограничения предельной частоты полевого транзистора
- •III. Методика измерения и измерительная установка
- •IV. Задание
- •V. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •VI. Обработка результатов эксперимента
- •VII. Содержание отчета
- •VIII. Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры мдп-транзисторов Приложение 1
- •Содержание
- •Часть II
III. Методика измерения и измерительная установка
Поскольку при выполнении лабораторной работы необходимо провести измерения нескольких параметров полевых транзисторов, рассмотрим методики измерения некоторых из них.
Измерение тока стока полевых транзисторов малой мощности осуществляется методом измерения тока в цепи стока при заданных напряжениях на затворе, стоке и подложке. Эти напряжения подаются от блока режимов установки. Источники питания полевых транзисторов представляют собой полупроводниковые стабилизаторы регулируемого напряжения. Выходное напряжение стабилизатора регулируется с помощью переключателей и переменных резисторов. Все переключатели и переменные резисторы выведены на переднюю панель блока режимов. Для контроля выходных напряжений предназначен вольтметр. Вольтметр подключается к одному из источников при помощи переключателя, обозначенного на передней панели буквой «Е».
Для контроля тока стока измеряемого транзистора применяется миллиамперметр, обозначенный «IСТ». Выбор диапазона измерений от 0,3 до 300 мА производится с помощью переключателя «JСТ», выведенного на передней панели блока режимов.
Измерение порогового напряжения UПОР проводится путем измерения напряжения на затворе при заданном значении тока стока. Напряжения на стоке и подложке задаются при этом блоком режимов. Ток стока, величина которого задается на уровне (1 мкА, 10 мкА и 1 мА), протекает через нагрузку RН и создает падение напряжения, пропорциональное этому току. Напряжение на затворе устанавливается автоматически в зависимости от выбранного значения тока стока с помощью схемы слежения (рис.9).
На рис.10 представлена структурная схема измерения тока стока. Напряжения на затвор и сток подаются от блока режимов. Напряжение затвора преобразуется в импульсное и с помощью этого напряжения производится управление полевым транзистором. Полезный сигнал снимается с нагрузки и подается на делитель напряжения, который определяет поддиапазон измеряемого тока, далее
через ряд каскадов на индикатор, по которому производится отсчет измеряемого тока.
Крутизна полевого транзистора определяется как отношение переменной составляющей тока стока к переменной составляющей напряжения на затворе, поэтому измерение крутизны осуществляется методом измерения переменной составляющей тока стока в режиме короткого замыкания выхода транзистора по переменному току. Переменный сигнал на затвор транзистора подается от генератора низкочастотных сигналов. В цепи стока стоит сопротивление, величина которого должна быть много меньше выходного сопротивления транзистора. Переменное напряжение, снимаемое с этого сопротивления пропорционально крутизне, это напряжение измеряется так, как показано на рис.11.
Чувствительность измерительной схемы устанавливается в режиме калибровки, когда сигнал от генератора низкой частоты через калибровочное сопротивление RК и сопротивление нагрузки в цепи стока RН через трансформатор ТР подается на вход измерительной схемы. В этом режиме устанавливается чувствительность по максимальному отклонению стрелки индикатора.
При измерении крутизны сигнал на затвор испытуемого транзистора подается от генератора через делитель, определяющий поддиапазоны измеряемой крутизны. С помощью делителя напряжения в каждом поддиапазоне устанавливается такая величина переменного сигнала, чтобы переменный сигнал со стока, подаваемый на вход измерительной схемы, сохранял одинаковую амплитуду при отклонении стрелки на максимальное деление шкалы.