Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Электроника.doc
Скачиваний:
6
Добавлен:
21.09.2019
Размер:
6.91 Mб
Скачать

Передаточная характеристика:

Uвых - уменьшилось.

Переходные процессы.

Сн заряжена до напряжения Еп (в точке В)

Сн разрядилась (в точке D)

Сн заряжается до напряжения Еп (в точке F)

т.к.

Самая быстродействующая схема.

После подачи входного импульса сразу открывается канал Т1 и Сн начинает разряжаться (сначала с постоянным током , а потом по нелинейному закону) формируется фронт 10. По окончании входного импульса Т1 закрывается и открывается Т2. Емкость Сн перезаряжается (сначала постоянным током , а потом по нелинейному закону) формируется фронт 01.

10 – Сн разряжается от “1” до “0” нет потребления энергии от источника питания.

01 – Сн заряжается от “0” до ”1” потребляется энергия от источника питания.

Логические интегральные схемы.

Обозначения:

КР133ЛА1А:

  • К (либо есть, либо нет): если есть схема для общего применения

если нет схема специального применения

  • Р говорит о технических особенностях (либо есть, либо нет) : корпус – пластмассовый (Р) или металлический (F) или (Е)

  • 133 (три цифры) – серия микросхемы.

  • ЛА (две буквы) – функциональное назначение (ЛА – схема “И-НЕ”, ТМ – триггер и т.д.)

  • 1 (одна или 2 цифры) – порядковый номер в данной серии.

  • А говорит об отличии в электрических параметрах (либо есть, либо нет).

Основные параметры логических схем:

n - нагрузочная способность – то максимальное количество таких же схем, которое можно подключить к выходу данной схемы с сохранением работоспособности.

m - число входов – коэффициент объединения по входу.

Uп - помехоустойчивость – два последовательно включенных элемента, между которыми находится генератор помех. - максимальная помеха, при которой схемы работают нормально.

tзр- среднее время задержки распространения.

Рср- средняя мощность потребления

А- работа переключения сравнительный параметр качества.

Основные характеристики:

Измеряемые параметры:

Классификация по технологии изготовления.

по типу транзистора:

  • биполярная технология (ТТЛ, ЭСТЛ, ИИЛ)

  • полевая технология (n-МОП, p-МОП, КМОП)

по сложности (оценивают число элементарных инверторов(N)):

  • простые интегральные схемы N<10 (ИС)

  • схемы средней интеграции N<100 (CИC)

  • большие интегральные схемы N<1000 (БИС)

  • сверхбольшие интегральные схемы N<10000 (СБИС)

Схемы с транзисторно-транзисторной логикой

Схемы ТТЛ с простым инвертором.

многоэммиторный транзистор(МЭТ)

Входная часть “и” Выходная часть:

Ключ инвертор –“не”

Особенность схемы:

Управление выходным транзистором (Т2) осуществляется самой схемой.

Работа схемы:

МЭТ1 выполняет роль переключателя тока. I1 может протекать либо влево (в эммитеры), либо

в базу транзистора Т2

1. Если

Таблица истинности “И-НЕ”

X1

X2

X3

Y

1

1

1

0

0

1

1

1

1

0

1

1

1

1

0

1

“1” “1”

tф10 tф01

“0”

R2 должно быть > 100 Ом, чтобы не сгорел транзистор Т2, когда он находится в режиме насыщения.

Это является недостатком.